本实用新型专利技术公开了一种改变SiC晶片翘曲度的抛光装置，包括机架和可转动设置于所述机架上的抛光盘，所述抛光盘上固定有一抛光垫，所述抛光垫边缘处至少设有一可转动并可下压的抛光头组件，所述抛光头组件底部设有用于收容晶片的收容槽，所述收容槽底部设有用于吸附所述晶片的吸气通道。本实用新型专利技术利用抛光头组件吸附晶片并将晶片下压至旋转的抛光垫上，抛光晶片，使晶片翘曲面平坦化。使晶片翘曲面平坦化。使晶片翘曲面平坦化。
【技术实现步骤摘要】
一种改变SiC晶片翘曲度的抛光装置
[0001]本技术属于半导体晶片加工
，尤其涉及一种改变SiC晶片翘曲度的抛光装置。
技术介绍
[0002]第三代半导体由于其特殊的物理、化学及良好的光学性能，在航空航天、探测卫星等先进领域应用越来越广泛，因此对晶片无缺陷生长及无损伤加工的要求也越来越高。
[0003]SiC晶片在外延工艺过程中，处于1000摄氏度以上的高温环境内，SiC晶片受热应力的影响翘曲会增大。晶片翘曲偏大对器件的制备有一定的影响，严重的情况会导致光刻不准确。通常利用刻蚀或利用碱性溶液对晶片进行电离，解决晶片翘曲问题，但这些工艺条件要求苛刻，且加工效率不高，难以实现批量生产。
[0004]因此，专利技术人致力于设计一种抛光装置以解决上述问题。
技术实现思路
[0005]本技术的目的在于：提供一种改变SiC晶片翘曲度的抛光装置，利用抛光头组件吸附晶片并将晶片下压至旋转的抛光垫上，抛光晶片，使晶片翘曲面平坦化。
[0006]为了达到上述目的，本技术所采用的一种技术方案为：
[0007]一种改变SiC晶片翘曲度的抛光装置，包括机架和可转动设置于所述机架上的抛光盘，所述抛光盘上固定有一抛光垫，所述抛光垫边缘处至少设有一可转动并可下压的抛光头组件，所述抛光头组件底部设有用于收容晶片的收容槽，所述收容槽底部设有用于吸附所述晶片的吸气通道。
[0008]作为本技术改变SiC晶片翘曲度的抛光装置的一种改进，所述收容槽深度小于所述晶片深度，所述晶片的吸附面上贴附有保护膜。
[0009]作为本技术改变SiC晶片翘曲度的抛光装置的一种改进，所述抛光头组件包括陶瓷盘和抛光固定头，所述抛光固定头叠加固定于所述陶瓷盘上表面，所述收容槽位于所述陶瓷盘底部。
[0010]作为本技术改变SiC晶片翘曲度的抛光装置的一种改进，所述抛光固定头通过一修整环与所述陶瓷盘固定连接，所述修整环套设于所述陶瓷盘和抛光固定头外。
[0011]作为本技术改变SiC晶片翘曲度的抛光装置的一种改进，所述抛光固定头上穿设有多个上吸气孔，所述陶瓷盘上穿设有多个下吸气孔，所述上吸气孔与所述下吸气孔之间通过设置于所述抛光固定头底部的连接腔连通，形成所述吸气通道，所述吸气通道与所述收容槽连通。
[0012]作为本技术改变SiC晶片翘曲度的抛光装置的一种改进，所述上吸气孔上设有吸气管，多个所述吸气管通过同一管道与真空泵连接。
[0013]作为本技术改变SiC晶片翘曲度的抛光装置的一种改进，所述抛光头组件由固定于所述机架上的气缸驱动上下移动，所述气缸位于所述抛光头组件上方并通过一框型
的支架与所述抛光头组件固定连接。
[0014]作为本技术改变SiC晶片翘曲度的抛光装置的一种改进，所述支架上固定设有一供所述气缸的气缸轴穿过的轴承座，所述支架相对所述气缸轴转动。
[0015]作为本技术改变SiC晶片翘曲度的抛光装置的一种改进，所述气缸轴穿过所述支架且其末端固定有一电机，所述电机的输出轴与所述抛光头组件固定连接。
[0016]作为本技术改变SiC晶片翘曲度的抛光装置的一种改进，所述抛光盘上方设有一出料管，所述出料管与所述抛光盘同轴。
[0017]与现有技术相比，本技术改变SiC晶片翘曲度的抛光装置，利用具有真空吸附功能的抛光头组件吸附SiC晶片，通过抛光头组件将晶片下压并与旋转的抛光垫接触，抛光晶片的翘曲面，使晶片的翘曲面快速平坦化，提高产品的可靠性、速度和成品率，降低加工成本。
附图说明：
[0018]图1是本技术陶瓷盘的分布示意图；
[0019]图2是本技术改变SiC晶片翘曲度的抛光装置的剖视示意图；
[0020]图3图2中A处放大视图；
[0021]图4图2中B处放大视图。
[0022]图示说明：
[0023]1、抛光盘，11、抛光垫，2、出料管，3、抛光头组件，31、修整环，32、抛光固定头，321、上吸气孔，322、连接腔，33、陶瓷盘，331、下吸气孔，332、收容槽，4、吸气管，5、支架，51、轴承座，6、电机，7、气缸，71、气缸轴，8、保护膜，9、SiC晶片，10、抛光液。
具体实施方式
[0024]下面结合附图，具体阐明本技术的实施方式，附图仅供参考和说明使用，不构成对本技术专利保护范围的限制。
[0025]参照图1和图2，一种改变SiC晶片翘曲度的抛光装置，包括机架(未标示)、一可转动的抛光盘1、一抛光垫11、至少一个可转动并可下压抛光头组件3、支架5、电机6、气缸7和出料管2，所述抛光盘1底部的转轴设置于机架上(未图示)，抛光垫11固定于抛光盘1上表面并随着抛光盘1一起转动，抛光盘1和抛光垫11上方设有一出料管2，该出料管2与抛光盘1同轴，以便提供抛光液10。
[0026]参照图1至图4，所述抛光头组件3可转动并可上下移动，该抛光头组件3位于抛光垫11的边缘处，为了加快抛光头组件3的抛光速度，抛光头组件3的转动方向与抛光盘1的转动方向相反，本技术优选四个抛光头组件3，四个抛光头组件3间隔分布并靠近抛光盘1边缘，抛光头组件3包括一修整环31、一抛光固定头32和一陶瓷盘33，陶瓷盘33靠近抛光垫11，主要用于收容SiC晶片9，该陶瓷盘33底部设有收容槽332，SiC晶片9收容于该收容槽332内，该收容槽332深度小于SiC晶片9深度，以便SiC晶片9部分外漏并与抛光垫11接触抛光，为了防止陶瓷盘33刮伤SiC晶片9的上表面，本技术优选在SiC晶片9的吸附面(即SiC晶片9的上表面)上贴附保护膜8，收容槽332底部设有多个下吸气孔331，多个下吸气孔331贯穿整个陶瓷盘33，抛光固定头32叠加固定于陶瓷盘33上表面，该抛光固定头32上穿设有多
个上吸气孔321，该抛光固定头32底部还设有一连接腔322，多个上吸气孔321贯穿抛光固定头32并与连接腔322连通，多个上吸气孔321与多个下吸气孔331之间通过连接腔322连通，形成吸气通道(未标示)，该吸气通道与收容槽332连通，每个上吸气孔321上设有吸气管4，多个吸气管4通过同一管道(未图示)与真空泵(未标示)连接，具体的，该管道一端分支并与各个吸气管4连通，另一端与真空泵连接，真空泵通过吸气管4抽取吸气通道内的空气，吸附收容槽332内的SiC晶片9，修整环31呈环形并套设于陶瓷盘33和抛光固定头32外，将陶瓷盘33与抛光固定头32固定连接。
[0027]参照图2，所述支架5呈框型并固定于抛光固定头31上，气缸7固定于机架上并位于该支架5上方，该气缸7的气缸轴71间隙穿过机架和支架5的水平板，支架5的水平板上固定设有一供气缸轴71穿过的轴承座51，使支架5可相对气缸轴71转动，气缸轴71的末端穿过支架5的水平板且电机6固定于其末端，电机6的输出轴向下延伸并与抛光固定头32固定连接。
[0028]参照图1至4，本技术改变本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种改变SiC晶片翘曲度的抛光装置，包括机架和可转动设置于所述机架上的抛光盘，所述抛光盘上固定有一抛光垫，其特征在于，所述抛光垫边缘处至少设有一可转动并可下压的抛光头组件，所述抛光头组件底部设有用于收容晶片的收容槽，所述收容槽底部设有用于吸附所述晶片的吸气通道。2.根据权利要求1所述的改变SiC晶片翘曲度的抛光装置，其特征在于，所述收容槽深度小于所述晶片深度，所述晶片的吸附面上贴附有保护膜。3.根据权利要求1所述的改变SiC晶片翘曲度的抛光装置，其特征在于，所述抛光头组件包括陶瓷盘和抛光固定头，所述抛光固定头叠加固定于所述陶瓷盘上表面，所述收容槽位于所述陶瓷盘底部。4.根据权利要求3所述的改变SiC晶片翘曲度的抛光装置，其特征在于，所述抛光固定头通过一修整环与所述陶瓷盘固定连接，所述修整环套设于所述陶瓷盘和抛光固定头外。5.根据权利要求3所述的改变SiC晶片翘曲度的抛光装置，其特征在于，所述抛光固定头上穿设有多个上吸气孔，所述陶瓷盘上穿设有多个下吸气孔，所述上吸气...
【专利技术属性】
技术研发人员：蓝宝，李清彬，韩景瑞，周泽成，杨旭腾，邱树杰，冯禹，
申请(专利权)人：东莞市天域半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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