X光曝光机制造技术

本发明专利技术提出了一种可对特定区域进行曝光且曝光分辨率较佳的Ｘ光曝光机，其包括可控制局部发光的Ｘ光背光源和液晶显示面板。液晶显示面板配置于可控制局部发光的Ｘ光背光源的外侧。可控制局部发光的Ｘ光背光源可受到控制，使其发光表面的局部区域发出Ｘ光。通过控制液晶显示面板的像素，Ｘ光通过液晶显示面板的强度会有所变化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种曝光才几(exposure machine ),特别涉及一种X光 曝光机(X-ray exposure machine )。
技术介绍
光刻技术(photolithography)已成为现今工业生产中的一种常用 工艺。对于不同分辨率的要求，光刻工艺中所使用到的光线也会具有 不同的波长。例如对于较高分辨率的光刻工艺，通常使用波长较短的 紫外光(ultraviolet, UV)。然而，在线宽越来越小的趋势下，紫外 光已无法达到更高分辨率的要求。因此，具有更短波长的X光便成为 较佳的选择。图1示出了一种公知的X光源的结构示意图。参照图1，公知的 X光源10包括阴极灯丝(cathode filament) 11、聚焦电极12以及阳 极耙材B。阴极灯丝11在通电加热之后，电子将会从阴极灯丝ll逸 出。而在阴极灯丝11与阳极耙材13之间施加有加速电压差，此加速 电压差可使逸出的电子加速，以形成电子束14。在电子束14射向阳 极靶材13期间，为了避免电子束14发散，在聚焦电极12上将会施加 聚焦电压，以使电子束14聚焦于阳极靶材13。电子束14撞击阳极靶 材13之后，将导致阳极把材13放出X光15。然后，X光15即可被 加以利用。值得注意的是，X光15的照射区域具有固定的范围，无法只针对 面积较小的特定区域进行照射。因此，X光源10不适合直接作为曝光装置。为了能达到较小区域的曝光，公知还有一种X光源结构。图2示 出了公知的另一种X光源的结构示意图。参照图2， X光源20包括基 板21、导电层22、多个电子发射源23、栅极电极24、集电极25以及阳极耙材26。电子从电子发射源23发出，并由栅极电极24控制发出的电子数量。经过集电极25聚集以及施加于导电层22与阳极靶材26 之间的加速电压加速后，电子会撞击阳极耙材26,导致阳极靶材26 放出X光28。虽然在X光源20中，可通过驱动部分的电子发射源23 4吏X光源20的局部区域发出X光28,以进行曝光，但是所述X光 28为发散的光束。在利用X光28进行曝光后，会导致曝出的线宽(critical dimension, C.D.)过大。换言之，X光源20的曝光分辨率(resolution )不佳。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术的目的是提供一种曝光分辨率较佳的X光 曝光机。为达到上述或其他目的，本专利技术提出了一种X光曝光机。所述X 光曝光机包括可控制局部发光的X光背光源和液晶显示面板。可控制 局部发光的X光背光源可受到控制而在其发光表面的局部区域发出X 光。液晶显示面板配置于可控制局部发光的X光背光源外侧。附图说明图1示出公知的一种X光源的结构示意图； 图2示出了公知的另一种X光源的结构示意图； 图3示出了根据本专利技术的一个实施例的X光曝光机的结构示意 图；以及图4示出了可控制局部发光的X光背光源的结构示意图。附图中，各标号所代表的部件列表如下10、20: X光源11:阴极灯丝12:聚焦电极13、 26:阳极耙材14、112a:电子束15、 28、 150、 150， X光21:基板22:导电层23:碳纳米管24:栅极电极25:集电^L 100: X光曝光才几110:可控制局部发光的X光背光源112:电子束产生装置114:靶材120:液晶显示面板130:扩散板160:透窗具体实施例方式为了使本专利技术的上述和其他目的、特征和优点更加明显易懂，下 文特举优选实施例，并配合附图，作详细说明如下。图3示出了本专利技术的一个实施例的X光曝光机的结构示意图，图 4示出了可控制局部发光的X光背光源的结构示意图。先参照图3， X 光曝光才几100包括可控制局部发光的X光背光源110和液晶显示面板 120。液晶显示面板120配置于可控制局部发光的X光背光源110外 侧。其中，可控制局部发光的X光背光源110可受到控制，使其发光 表面的局部区域发出X光150。液晶显示面板120则用作光阀(light valve),以控制X光150通过液晶显示面板120的强度。在本实施例中，可控制局部发光的X光背光源IIO与液晶显示面 板120之间还配置有透窗160。 X光在通过透窗160后，其强度会较 均匀。此外，X光曝光机100还包括扩散板130。扩散板130可配置 于可控制局部发光的X光背光源110与液晶显示面板120之间。在图 3中，透窗160配置于扩散板130与可控制局部发光的X光背光源110 之间。扩散板130的作用是使射入液晶显示面板120前的X光的强度 更均匀。参照图4，在本实施例中，可控制局部发光的X光背光源110包 括阴极板112与阳极耙材114。其中，阳极靶材114对应阴极板112 配置。为了使阴极板112与阳极靶材114电绝缘，可控制局部发光的 X光背光源110可包括至少一个阻隔壁结构(图中未示出)，配置于 阴极板112与阳极輩巴材114之间。具体地说，可控制局部发光的X光背光源IIO可发出较低能量的 X光150。阴极板112所产生的电子束112a在撞击阳极靶材114之后， 阳极耙材114便会放出X光150。本专利技术的可控制局部发光的X光背 光源IIO可为阴极射线管或场发射装置，图中所示的X光背光源110 为场发射装置。液晶显示面板120例如为扭转向列型液晶显示面板、 多域垂直配向型液晶显示面板、共平面扭转型液晶显示面板或其他适 当类型的液晶显示面板。值得注意是，X光背光源110所发出的X光150在经过扩散板130 的作用后，光强度分布会更加均匀，尽管X光150为发散的光束。在 通过控制液晶显示面板120的像素(pixel)，使X光150经过液晶显 示面板120的偏光片和液晶作用之后，可4吏部分X光150通过液晶显 示面板120。如此，通过液晶显示面板120的X光150，的发散程度将 远小于未通过液晶显示面板120前的X光150的发散程度。此外，通 过液晶显示面板120的X光150，对应到特定的像素。换言之，利用控 制液晶显示面板120的像素，不仅能达到对特定区域进行曝光，更可 以提高曝光分辨率。需注意的是，虽然在本实施例中，X光曝光机100包括扩散板130 与透窗160。然而，在其他实施例中可才艮据需求来决定是否配置扩散 板130与透窗160。综上所述，本专利技术所提出的X光曝光机至少具有下列优点一、 本专利技术所提出的X光曝光机利用控制液晶显示面板的像素， 寸吏部分X光通过液晶显示面板。与通过液晶显示面板前相比，通过液 晶显示面板后的X光的发散程度较小，因此可提高曝光分辨率。二、 本专利技术所提出的X光曝光机利用控制液晶显示面板的像素， 使部分X光通过液晶显示面板。而通过液晶显示面板的X光对应到特 定的像素。因此，本专利技术所提出的X光曝光机可对特定区域进行曝光。三、 本专利技术所提出的X光曝光机可直接对特定区域进行曝光，不 需另外制作掩模。四、 本专利技术所提出的X光曝光机除了可用于光刻工艺的曝光用途 以外，也可用于其他领域，例如用于工业检测，以检查封装结构的缺陷或电路板的焊4矣情况等。以上所述仅为本专利技术的优选实施例，并非因此即限制本专利技术的专利 范围，凡是在本专利技术的精神和范围内所作的其它等效变化或修饰，均应 包括在本专利技术的专利范围内。权利要求1.一种X光曝光机，包括可控制局部发光的X光背本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ｘ光曝光机，包括：可控制局部发光的Ｘ光背光源，所述Ｘ光背光源可受到控制而在其发光表面的局部区域发出Ｘ光；以及液晶显示面板，配置于所述可控制局部发光的Ｘ光背光源外侧。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑正元，詹德凤，郑奎文，
申请(专利权)人：东元电机股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]