高电子迁移率晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包含第一III-V族化合物层，第二III-V族化合物层设置于第一III-V族化合物层上，第二III-V族化合物层的组成与第一III-V族化合物层不同，其中浅凹槽、第一深凹槽和第二深凹槽设置于第二III-V族化合物层中，第一深凹槽和第二深凹槽分别位于浅凹槽的两侧，源极电极填入第一深凹槽并且接触第一III-V族化合物层的上表面，漏极电极填入第二深凹槽并且接触第一III-V族化合物层的上表面，其中源极电极和漏极电极的形状相异，栅极电极设置浅凹槽的正上方。栅极电极设置浅凹槽的正上方。栅极电极设置浅凹槽的正上方。

【技术实现步骤摘要】
高电子迁移率晶体管及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种高电子迁移率晶体管的结构及其制作方法，特别是涉及一种源极电极和漏极电极形状不同的高电子迁移率晶体管的结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]III-V族半导体化合物由于其半导体特性而可应用于形成许多种类的集成电路装置，例如高功率场效晶体管、高频晶体管或高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor，HEMT)。在高电子迁移率晶体管中，两种不同能带隙(band-gap)的半导体材料结合而于结(junction)形成异质结(heterojunction)而为载流子提供通道。近年来，氮化镓系列的材料由于拥有较宽能隙与饱和速率高的特点而适合应用于高功率与高频率产品。氮化镓系列的高电子迁移率晶体管由材料本身的压电效应产生二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG)，相较于传统晶体管，高电子迁移率晶体管的电子速度及密度均较高，故可用以增加切换速度。
[0003]然而随着电子产品升级，因此需增加高电子迁移率晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：第一III-V族化合物层；第二III-V族化合物层，设置于该第一III-V族化合物层上，该第二III-V族化合物层的组成与该第一III-V族化合物层不同；浅凹槽、第一深凹槽和第二深凹槽，设置于该第二III-V族化合物层中，其中该第一深凹槽和该第二深凹槽分别位于该浅凹槽的两侧；源极电极，填入该第一深凹槽并且接触该第一III-V族化合物层的一上表面；漏极电极，填入该第二深凹槽并且接触该第一III-V族化合物层的该上表面，其中该源极电极和该漏极电极的形状相异；以及栅极电极，设置于该浅凹槽的正上方。2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中在该浅凹槽和该第一深凹槽之间的该第二III-V族化合物层具有第一上表面，在该浅凹槽和该第二深凹槽之间的该第二III-V族化合物层具有第二上表面。3.如权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，其该源极电极接触该第一上表面，该漏极电极不接触该第二上表面。4.如权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，其中该源极电极包含：源极主体，其中该源极主体填入该第一深凹槽、接触该第一III-V族化合物层的该上表面、并且不接触该第二III-V族化合物层的该第一上表面；以及源极延伸层，覆盖并接触该源极主体以及该第二III-V族化合物层的该第一上表面。5.如权利要求4所述的高电子迁移率晶体管，其中该源极主体和该源极延伸层的材料不同。6.如权利要求4所述的高电子迁移率晶体管，其中该源极延伸层包含氮化钛、金、铂、钛、氧化铟锡或掺铝氧化锌，该源极主体包含钛、铝、镍、铂或金。7.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，另包含保护层，覆盖并接触该第二III-V族化合物层和部分的该源极电极并且填入该浅凹槽。8.如权利要求7所述的高电子迁移率晶体管，其中该保护层包含氮化硅或氮化铝。9.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一III-V族化合物层为氮化镓，该第二III-V族化合物层包含氮化铝镓、氮化铝铟、氮化铝铟镓或氮化铝。10.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该浅凹槽不贯穿该第二III-V族化合物层，该第一深凹槽和该第二深凹槽都贯穿该第二III-V族化合物层。11.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一深凹槽和该浅凹槽之间的距离小...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢柏光，蔡世鸿，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：