半导体器件以及制造半导体器件的方法技术

半导体器件包括第一及第二氮化物半导体层、源极、漏极、栅极结构、第一p型掺杂氮化物半导体凸块以及多个第二p型掺杂氮化物半导体凸块。第二氮化物半导体层设置于第一氮化物半导体层上，其带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。源极、漏极及栅极结构设置于第二氮化物半导体层上，且漏极的至少一部分沿着第一方向延伸，栅极结构位于源极和漏极之间。第一p型掺杂氮化物半导体凸块设置于栅极结构与第二氮化物半导体层之间。第二p型掺杂氮化物半导体凸块从第二氮化物半导体层的顶面突出，且在栅极结构和漏极之间沿着第一方向排列。第二p型掺杂氮化物半导体凸块与漏极相邻，使得漏极比栅极结构更接近第二p型掺杂氮化物半导体凸块。极结构更接近第二p型掺杂氮化物半导体凸块。极结构更接近第二p型掺杂氮化物半导体凸块。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件以及制造半导体器件的方法
本申请是2020年04月30日提交的题为“半导体器件以及制造半导体器件的方法”的中国专利申请202080002210.8的分案申请。


[0001]本专利技术总体来说为涉及半导体器件。更具体地说，本专利技术涉及具有p型掺杂III-V族化合物/氮化物半导体层的高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor；HEMT)半导体器件，以达到减少热载流子效应。

技术介绍

[0002]近年来，高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor；HEMT)的研究在半导体器件中得到了广泛的应用，如高功率开关器件和高频应用器件。HEMT利用具有不同带隙的两种材料之间的接面作为通道。例如，氮化铝镓/氮化镓(AlGaN/GaN)HEMT是一种异质结合器件，其能够在比常规晶体管更高的频率下工作。在HEMT异质结合结构中，会因两种材料之间的带隙不连续，而形成量子阱结构，其能够容纳二维电子气(two-dimensional electron gas；2DE本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，设置于所述第一氮化物半导体层上，且具有的带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙；源极，设置于所述第二氮化物半导体层上；漏极，设置于所述第二氮化物半导体层上，且其至少一部分沿着第一方向延伸；栅极结构，设置于所述第二氮化物半导体层上，且位于所述源极和所述漏极之间；第一p型掺杂氮化物半导体凸块，设置于所述栅极结构与所述第二氮化物半导体层之间；以及多个第二p型掺杂氮化物半导体凸块，从所述第二氮化物半导体层的顶面突出，且在所述栅极结构和所述漏极之间沿著所述第一方向排列，所述多个第二p型掺杂氮化物半导体凸块与所述漏极相邻，使得所述漏极比所述栅极结构更接近所述第二p型掺杂氮化物半导体凸块。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述漏极的所述至少一部分高过所述第二p型掺杂氮化物半导体p型掺杂氮化物半导体凸块，且于垂直所述第二氮化物半导体层的方向上，所述漏极与所述第二p型掺杂氮化物半导体凸块为互相重叠的。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述漏极覆盖所述第二p型掺杂氮化物半导体凸块。4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，至少一个所述第二p型掺杂氮化物半导体凸块的上表面未被所述漏极覆盖。5.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述漏极和所述第二p型掺杂氮化物半导体凸块于所述第二氮化物半导体层上具有彼此重合的边缘。6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：介电层，设置于所述第二氮化物半导体层上，其中所述第二p型掺杂氮化物半导体凸块的顶表面至少由所述介电层覆盖。7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第二p型掺杂氮化物半导体凸块的第一侧表面与所述漏极形成第一界面，且所述第二p型掺杂氮化物半导体凸块的第二侧表面与所述介电层形成第二界面。8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第一界面和所述第二界面沿不同方向延伸。9.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第二p型掺杂氮化物半导体凸块的侧表面与所述漏极形成界面，且所述界面具有曲线形的边界。10.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述介电层填充于所述第二p型掺杂氮化物半导体凸块之间的间隔中。11.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二p型掺杂氮化物半导体凸块的间...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝荣晖，黄敬源，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：