半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括一基板与一缓冲层，缓冲层设置于基板之上。半导体装置也包括一沟道层，沟道层设置于缓冲层之上。半导体装置更包括一阻挡层，阻挡层设置于沟道层之上。半导体装置包括一源极、一漏极与一栅极，源极、漏极与栅极设置于阻挡层之上，且源极与漏极分别位于栅极的两侧。半导体装置也包括一第一掺杂区，第一掺杂区自阻挡层的顶表面向下延伸并位于源极与漏极的外侧。半导体装置更包括一第二掺杂区，第二掺杂区自阻挡层的顶表面向下延伸并位于栅极的下方。方。方。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法


[0001]本专利技术有关于一种半导体装置，且特别有关于一种用于高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMT)器件的半导体装置。

技术介绍

[0002]在半导体工业中，氮化镓(gallium nitride,GaN)由于具有许多优秀的材料特性，例如：高抗热性、宽能隙(band-gap)、高电子饱和速率等，因而常被用来形成各种集成电路器件，例如：高电子迁移率晶体管(HEMT)器件。高电子迁移率晶体管可以具有高击穿电压、高电子迁移率与低输入电容等优点，因而适合用于高功率器件上。
[0003]现有的高电子迁移率晶体管虽大致符合需求，但并非在每个方面皆令人满意，仍需进一步改良，以提升效能并具有更广泛的应用。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例包括一种半导体装置。半导体装置包括一基板与一缓冲层，缓冲层设置于基板之上。半导体装置也包括一沟道层(channel layer)，沟道层设置于缓冲层之上。半导体装置更包括一阻挡层(barrier layer本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一基板；一缓冲层，设置于所述基板之上；一沟道层，设置于所述缓冲层之上；一阻挡层，设置于所述沟道层之上；一源极、一漏极与一栅极，设置于所述阻挡层之上，且所述源极与所述漏极分别位于所述栅极的两侧；一第一掺杂区，自所述阻挡层的顶表面向下延伸并位于所述源极与所述漏极的外侧；以及一第二掺杂区，自所述阻挡层的顶表面向下延伸并位于所述栅极的下方。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一掺杂区的深度大于所述第二掺杂区的深度。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一掺杂区的底表面与所述第二掺杂区的底表面位于沟道层中。4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一掺杂区的平均掺杂浓度大于所述第二掺杂区的平均掺杂浓度。5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区中的掺杂质为中性原子或中性分子。6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括：一生长层，设置于所述基板与所述缓冲层之间；一化合物半导体层，设置于所述阻挡层之上；及一保护层，设置于所述化合物半导体层之上；其中所述源极、所述漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈柏安，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：