氮化镓晶体管制造技术

本申请公开了一种氮化镓晶体管，该氮化镓晶体管包括：衬底；氮化镓沟道层，位于所述衬底上；势垒层，位于所述氮化镓沟道层上；第一掺杂区与第二掺杂区，位于所述势垒层中；反射层，位于所述势垒层上方，具有暴露所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的开口；源电极与漏电极，位于所述势垒层上，分别与所述第一掺杂区和所述第二掺杂区接触；栅介质层，至少部分位于所述势垒层表面和所述反射层表面，并与所述势垒层和所述反射层接触；以及栅电极，位于所述栅介质层上并与所述栅介质层接触，其中，所述栅介质层与所述栅电极位于所述源电极与所述漏电极之间。该氮化镓晶体管通过反射层达到了在激光退火时保护部分势垒层的目的，减小了器件的导通电阻。通电阻。通电阻。

【技术实现步骤摘要】
氮化镓晶体管


[0001]本公开涉及半导体器件制造领域，更具体地，涉及一种氮化镓晶体管。

技术介绍

[0002]与Si和GaAs两种半导体材料相比，氮化镓(GaN)具有更大的禁带宽度(3.4eV)、更强的临界击穿场强以及更高的电子迁移速率，因此得到了国内外研究者们的广泛关注，在电力电子功率器件和高频功率器件方面具有巨大的优势和潜力。
[0003]作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，氮化镓(GaN)材料不但具有禁带宽度大、临界击穿电场高、电子饱和漂移速度大、耐高温、抗辐射以及化学稳定性好等特点，同时由于GaN材料的极化效应，可以与AlGaN等材料形成具有高浓度(大于10
13
atom/cm-3
)和高迁移率(大于2000cm2/V
·
s)的二维电子气(2DEG)，非常适合制备功率开关器件，成为当前功率器件领域的研究热点。目前GaN晶体管的源漏电极一般采用钛、铝、镍、金、氮化钛、钨等两种以上的金属组合而成，经过快速退火的方式形成欧姆接触，接触电阻的大小受金属厚度、退火温度的影响较大，工艺不容易控本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓晶体管，其特征在于，包括：衬底；氮化镓沟道层，位于所述衬底上；势垒层，位于所述氮化镓沟道层上；第一掺杂区与第二掺杂区，位于所述势垒层中；反射层，位于所述势垒层上方，具有暴露所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的开口；源电极与漏电极，位于所述势垒层上，分别与所述第一掺杂区和所述第二掺杂区接触；栅介质层，至少部分位于所述势垒层表面和所述反射层表面，并与所述势垒层和所述反射层接触；以及栅电极，位于所述栅介质层上并与所述栅介质层接触，其中，所述栅介质层与所述栅电极位于所述源电极与所述漏电极之间。2.根据权利要求1所述的氮化镓晶体管，其特征在于，所述反射层具有高于设定值的反射率，以便于阻挡激光射入所述势垒层中未被所述开口暴露的部分。3.根据权利要求2所述的氮化镓晶体管，其特征在于，所述源电极位于所述反射层的表面，并经由所述开口与所述第一掺杂区接触，所述漏电极位于所述反射层的表面，并经由所述开口与所述第二掺杂区接触。4.根据权利要求1所述的氮化镓晶体管，其特征在于，所述源电极经所述第一掺杂区直接与所述势垒层形成欧姆接触；所述漏电极经所述第二掺杂区直接与所述势垒层形成欧姆接触。5.根据权利要求4所述的氮化镓晶体管，其特征在于，还包括隔离层，位于所述势垒层与所述反射层之间，其中，所述源电极、所述漏电极以及所述栅介质层穿过所述隔离层。6.根据权利要求5所述的氮化镓晶体管，其特征在于，还包括通孔，穿过所述反射层与所述隔离层，其中，所述栅介质层位于所述通...

【专利技术属性】
技术研发人员：逯永建，吴贵阳，肖金平，贾利芳，闻永祥，李东昇，
申请(专利权)人：杭州士兰明芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：