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半导体器件包括第一及第二氮化物半导体层、源极、漏极、栅极结构、第一p型掺杂氮化物半导体凸块以及多个第二p型掺杂氮化物半导体凸块。第二氮化物半导体层设置于第一氮化物半导体层上，其带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。源极、漏极及栅极结构设置于第二...
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