半导体装置结构和其制造方法制造方法及图纸

本揭露提供了半导体装置结构和其制造方法。所述半导体装置结构包含衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、阻挡层、第三氮化物半导体层以及栅极结构。所述第一氮化物半导体层安置在所述衬底上。所述第二氮化物半导体层安置在所述第一氮化物半导体层上，并且所述第二氮化物半导体层的能隙大于所述第一氮化物半导体层的能隙。所述阻挡层安置在所述第二氮化物半导体层上，并且所述阻挡层的能隙大于所述第二氮化物半导体层的能隙。所述第三氮化物半导体层掺杂有杂质并且安置在所述阻挡层上。所述栅极结构安置在所述第三氮化物半导体层上。体层上。体层上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置结构和其制造方法


[0001]本公开涉及一种半导体装置结构，并且更具体地涉及一种具有位于栅极结构与氮化物半导体层之间的阻挡层的半导体装置结构。

技术介绍

[0002]包含直接能隙半导体的组件，例如包含III-V族材料或III-V族化合物(类别：III-V族化合物)的半导体组件可以在各种条件下或各种环境中(例如，在不同的电压和频率下)操作或工作。
[0003]半导体组件可以包含异质结双极性晶体管(heterojunction bipolar transistor，HBT)、异质结场效应晶体管(heterojunction field effect transistor，HFET)、高电子迁移率晶体管(high-electron-mobility transistor，HEMT)、调制掺杂FET(modulation-doped FET，MODFET)等。

技术实现思路

[0004]根据本公开的一些实施例，一种半导体装置结构包含衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、阻挡层、第三氮化物半导体层以及栅极结构。所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置结构，其包括：衬底；第一氮化物半导体层，所述第一氮化物半导体层安置在所述衬底上；第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层安置在所述第一氮化物半导体层上，并且所述第二氮化物半导体层的能隙大于所述第一氮化物半导体层的能隙；第三氮化物半导体层，所述第三氮化物半导体层掺杂有杂质并且安置在所述第二氮化物半导体层上；阻挡层，所述阻挡层与所述第三氮化物半导体层接触，并且所述阻挡层的能隙大于所述第二氮化物半导体层的能隙；以及栅极结构，所述栅极结构安置在所述第三氮化物半导体层上。2.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述阻挡层的能隙大于所述第三氮化物半导体层的能隙。3.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述阻挡层的材料包括氧化镓、氮氧化镓、金刚石、氮化铝或其组合。4.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述阻挡层安置在所述第三氮化物半导体层与所述栅极结构之间。5.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述阻挡层与所述栅极结构接触。6.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述阻挡层覆盖所述栅极结构的下表面。7.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述阻挡层覆盖所述第三氮化物半导体层的上表面。8.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述阻挡层覆盖所述第三氮化物半导体层的侧表面。9.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述阻挡层覆盖所述第二氮化物半导体层的上表面。10.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述阻挡层安置在所述第三氮化物半导体层与所述第二氮化物半导体层之间。11.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中所述阻挡层覆盖所述第三氮化物半导体层的下表面。12.一种半导体装置结构，其包括：衬底；第一氮化物半导体层，所述第一氮化物半导体层安置在所述衬底上；第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层安置在所述第一氮化物半导体层上，并且所述第二氮化物半导体层的能隙大于所述第一氮化物半导体层的能隙；第三氮化物半导体层，所述第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨超，周春华，赵起越，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：