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本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包含第一III-V族化合物层，第二III-V族化合物层设置于第一III-V族化合物层上，第二III-V族化合物层的组成与第一III-V族化合物层不同，其中浅凹槽、第一深凹...
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