阵列发光结构及其制造方法技术

技术编号:27305919 阅读:30 留言:0更新日期:2021-02-10 09:18
一种阵列发光结构及其制造方法。阵列发光结构包含基板、多个显示单元、多个封装结构以及挡光结构。显示单元位于基板上方且包含多个发光元件。发光元件为红光发光元件、绿光发光元件或蓝光发光元件。封装结构分别包覆显示单元。封装结构具有顶面及底面,且顶面的面积小于底面的面积。挡光结构位于基板上方且围绕封装结构。挡光结构可降低光线的全反射以减少色偏现象的产生,并可避免相邻的显示单元的光线彼此干扰以减少混光(crosstalk)现象的发生。彼此干扰以减少混光(crosstalk)现象的发生。彼此干扰以减少混光(crosstalk)现象的发生。

【技术实现步骤摘要】
阵列发光结构及其制造方法


[0001]本揭露是有关于一种阵列发光结构及一种阵列发光结构的制造方法。

技术介绍

[0002]由于发光二极管(light-emitting diode,LED)具有寿命长、功耗低以及驱动简单等优点,因此广泛应用于各种照明领域中。一般来说,以发光二极管为发光元件的显示器具有多个像素(pixel),每一个像素具有红、绿、蓝发光二极管晶片,而像素经排列后可形成全彩的发光二极管显示器。
[0003]然而,由于发光二极管显示器中相邻的像素常无法被明显区隔开来,因此容易产生混光现象进而无法提供明显的单点光源。此外,像素中的光线的全反射亦常导致严重的色偏现象,使得发光二极管显示器的色彩分布不均匀。

技术实现思路

[0004]本揭露的一技术态样为一种阵列发光结构。
[0005]根据本揭露一实施方式,一种阵列发光结构,包含基板、多个显示单元、多个封装结构以及挡光结构。显示单元位于基板上方且包含多个发光元件。发光元件为红光发光元件、绿光发光元件或蓝光发光元件。封装结构分别包覆显示单元。封装结构具有顶面及底面,且顶面的面积小于底面的面积。挡光结构位于基板上方且围绕封装结构。
[0006]在本揭露一实施方式中,封装结构的俯视形状为圆形或椭圆形。
[0007]在本揭露一实施方式中,封装结构的顶面与挡光结构的顶面实质上齐平。
[0008]在本揭露一实施方式中,封装结构与基板的接触角在45
°
至90
°
之间。
[0009]在本揭露一实施方式中,封装结构垂直投影于基板的总面积为a,且挡光结构垂直投影于基板的面积为b,且a/(a+b)的值在0.7512至0.8214之间。
[0010]在本揭露一实施方式中,封装结构具有侧壁,且侧壁包含弧形区段。
[0011]在本揭露一实施方式中,阵列发光结构的占黑比在70%至97%之间。
[0012]本揭露的另一技术态样为一种阵列发光结构的制造方法。
[0013]在本揭露一实施方式中,一种阵列发光结构的制造方法包含:设置多个显示单元于基板上,其中显示单元包含多个发光元件,且发光元件为红光发光元件、绿光发光元件或蓝光发光元件;形成多个封装结构于基板上,使得封装结构分别包覆显示单元,其中封装结构具有顶面及底面,且顶面的面积小于底面的面积;形成挡光结构于基板上,使得挡光结构包覆封装结构;研磨封装结构及挡光结构,使得封装结构由挡光结构裸露;以及切割挡光结构及基板。
[0014]在本揭露一实施方式中,形成封装结构于基板上包含:使用模具将封装材料成型于基板上;以及移除模具。
[0015]在本揭露一实施方式中,形成封装结构于基板上包含:以点胶的方式将封装材料成型于基板上。
[0016]根据本揭露上述实施方式,由于挡光结构围绕由封装结构所包覆的发光元件,因此可吸收穿透封装结构的侧壁的光线,进而降低光线的全反射以减少色偏现象的产生。此外,挡光结构可避免相邻的显示单元的光线彼此干扰,以有效降低显示单元之间的混光(crosstalk)现象。另外,由于在制造阵列发光结构时,可直接形成多个封装结构于基板上以包覆发光元件,因此可减少切割制程的步骤以有效降低生产成本。
附图说明
[0017]为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,所附附图的详细说明如下:
[0018]图1绘示根据本揭露一实施方式的阵列发光结构的立体图;
[0019]图2绘示图1的阵列发光结构的上视图;
[0020]图3绘示图1的阵列发光结构的剖面图;
[0021]图4绘示各种阵列发光结构在不同角度下的色温关系图;
[0022]图5A及图5B绘示各种阵列发光结构的立体图;
[0023]图6绘示图1的阵列发光结构的制造方法的流程图;
[0024]图7至图12绘示图1的阵列发光结构的制造方法在各步骤的剖面图;
[0025]图13绘示根据本揭露另一实施方式的阵列发光结构的立体图;
[0026]图14绘示图13的阵列发光结构的上视图;
[0027]图15绘示图13的阵列发光结构的剖面图;
[0028]图16绘示图13的阵列发光结构的制造方法的流程图;
[0029]图17至图21绘示图13的阵列发光结构的制造方法在各步骤的剖面图。
[0030]【符号说明】
[0031]100、100'、100”、100a:阵列发光结构
[0032]110、110'、110”、110a:基板
[0033]120、120'、120”、120a:显示单元
[0034]122、122'、122”、122a:发光元件
[0035]122R、122R'、122R”、122Ra:红光发光元件
[0036]122G、122G'、122G”、122Ga:绿光发光元件
[0037]122B、122B'、122B”、122Ba:蓝光发光元件
[0038]123:侧壁
[0039]130、130'、130”、130a:封装结构
[0040]131、131a:顶面
[0041]132a:侧壁
[0042]133:侧壁
[0043]133a:弧形表面
[0044]135a:底面
[0045]136:封装材料
[0046]140、140a:挡光结构
[0047]141、141a:顶面
[0048]R1:半边长
[0049]R2:半径
[0050]r:曲率半径
[0051]P:距离
[0052]θ:接触角
[0053]H1、H2、H3、H3a、H4、H4a:高度
[0054]SP:空间
[0055]D1、D1a、D2:延伸方向
[0056]S10、S10a、S20、S20a、S30、S30a、S40、S40a、S50、S50a、S60:步骤
[0057]a-a、b-b:线段
具体实施方式
[0058]以下将以附图揭露本揭露的多个实施方式,为明确说明起见,许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而,应了解到,这些实务上的细节不应用以限制本揭露。也就是说,在本揭露部分实施方式中,这些实务上的细节是非必要的。此外,为简化附图起见,一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。
[0059]图1绘示根据本揭露一实施方式的阵列发光结构100的立体图。图2绘示图1的阵列发光结构100的上视图。同时参阅图1及图2,阵列发光结构100包含基板110、多个显示单元120、多个封装结构130以及挡光结构140。显示单元120位于基板110上方且包含多个发光元件122。发光元件122为红光发光元件122R、绿光发光元件122G或蓝光发光元件122B。封装结构130分别包覆显示单元120,且封装结构130的俯视形状为矩形(例如半本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列发光结构,其特征在于,包含:一基板;多个显示单元,位于该基板上方,其中每一所述显示单元包含多个发光元件,且每一所述发光元件为红光发光元件、绿光发光元件或蓝光发光元件;多个封装结构,分别包覆所述多个显示单元,其中每一所述封装结构具有顶面及底面,且该顶面的面积小于该底面的面积;以及一挡光结构,位于该基板上方且围绕所述多个封装结构。2.如权利要求1所述的阵列发光结构,其特征在于,每一所述封装结构的俯视形状为圆形或椭圆形。3.如权利要求1所述的阵列发光结构,其特征在于,每一所述封装结构的顶面与该挡光结构的顶面实质上齐平。4.如权利要求1所述的阵列发光结构,其特征在于,每一所述封装结构与该基板的接触角在45
°
至90
°
之间。5.如权利要求1所述的阵列发光结构,其特征在于,所述多个封装结构垂直投影于该基板的总面积为a,且该挡光结构垂直投影于该基板的面积为b,且a/(a+b)的值在0.7512至0.8214之间。6.如权利要求1所述的阵列发光结构,其特征在于,所...

【专利技术属性】
技术研发人员:苏信纶赖世伦梁建钦陈若翔林志豪
申请(专利权)人:隆达电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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