1053nm高功率窄线宽的信号源制造技术

技术编号:2723921 阅读:179 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种1053nm高功率窄线宽的信号源,构成为:采用光学平板封装的多模半导体激光器在泵浦源,采用线宽为10↑[-4]nm的1053nm的单纵模DFB激光器作弱信号种子光源,所述的多模半导体激光器的输出端与多模泵浦合束器的一个泵浦端相熔接,所述的DFB激光器经一低功率隔离器接该多模泵浦合束器信号端,该多模泵浦合束器的输出端尾纤与掺镱双包层光纤放大器的输入端熔接,该掺镱双包层光纤放大器的输出端经高功率光纤隔离器后由8度斜面跳线输出。本实用新型专利技术可作为窄线宽、高功率、单纵模、高信噪比、稳定性好的信号源,且由于是全光纤系统,故很容易封装,受环境影响较小。(*该技术在2016年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种1053nm高功率窄线宽的信号源,特征在于其构成:采用光学平板封装的多模半导体激光器(1)作泵浦源,采用线宽为10↑[-4]nm、波长为1053nm的DFB激光器(3)作弱信号光源,所述的多模半导体激光器(1)的输出端与多模泵浦合束器(2)的一个泵浦端相熔接,所述的DFB激光器(3)经一低功率隔离器(7)接该多模泵浦合束器(2)信号端,该多模泵浦合束器(2)的输出端尾纤与掺镱双包层光纤放大器(4)的输入端熔接,该掺镱双包层光纤放大器(4)经高功率光纤隔离器(5)后由8度斜面跳线(6)输出。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:常丽萍范薇陈嘉琳王利孙安李国扬
申请(专利权)人:中国科学院上海光学精密机械研究所
类型:实用新型
国别省市:31[中国|上海]

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