一种处理方法包括：将衬底装载到处理室的衬底支撑件上，所述衬底具有在其表面上沉积的金属氧化物膜；基于预定温度，控制通过所述衬底支撑件提供至冷却剂通道的冷却剂的温度，其中所述预定温度小于50摄氏度；以及在基于所述预定温度控制所述冷却剂的温度的同时，选择性地蚀刻金属氧化物膜，其包括：使分子氢流入所述处理室；以及在所述处理室内激励等离子体。以及在所述处理室内激励等离子体。以及在所述处理室内激励等离子体。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】去除金属氧化物膜的温度控制系统和方法
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求于2018年6月19日申请的美国专利申请No.16/012,120的优先权。上述引用的申请其全部公开内容都通过引用合并于此。
[0002]本公开公开涉及等离子体室，并且更具体地涉及用于去除金属氧化物膜以防止粉末形成的温度控制系统和方法。
技术介绍
[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
[0004]衬底处理系统可用于处理例如半导体晶片之类的衬底。可在衬底上被执行的示例性处理包含但不限于沉积、蚀刻、清扫以及其他种类的处理。衬底可被布置在位于处理室中的衬底支撑件上，例如底座或静电卡盘(ESC)上。在处理期间，可以将气体混合物引入处理室，并且可以将等离子体用于引发化学反应。
[0005]可以控制处理室内的衬底(例如半导体晶片)的温度。例如，可以在衬底支撑组件中布置一个或多个加热器，并且可以控制提供给加热器的功率以控制衬底支撑件上的衬底的温度。附加地或者替代地，一种或者多种流体可以在衬底支撑件内的使用阀的一个或者多个流动通道循环，以加热和/或冷却衬底和衬底支撑件。
技术实现思路
[0006]在一特征中，一种处理方法包括：将衬底装载到处理室的衬底支撑件上，所述衬底具有在其表面上沉积的金属氧化物膜；基于预定温度，控制通过所述衬底支撑件提供至冷却剂通道的冷却剂的温度，其中所述预定温度小于50摄氏度；以及在基于所述预定温度控制所述冷却剂的温度的同时，选择性地蚀刻金属氧化物膜，其包括：使分子氢流入所述处理室；以及在所述处理室内激励等离子体。
[0007]在进一步的特征中，所述金属氧化物膜是氧化锡膜。
[0008]在进一步的特征中，所述预定温度小于在将所述金属氧化物膜沉积在所述衬底上期间的所述冷却剂的温度。
[0009]在进一步的特征中，所述预定温度小于或等于30摄氏度。
[0010]在进一步的特征中，所述预定温度小于或等于25摄氏度。
[0011]在进一步的特征中，所述处理室位于房间内；以及所述预定温度小于所述房间内的温度。
[0012]在进一步的特征中，选择性地蚀刻所述金属氧化物膜还包括将气体泵出所述处理室。
[0013]在进一步的特征中，使分子氢流入所述处理室包括仅使分子氢流入所述处理室。
[0014]在一特征中，一种处理方法包括：基于预定温度，向以下两者中的至少一者供应冷却剂：穿过处理室的衬底支撑件的冷却剂通道；和围绕所述处理室的冷却剂通道，其中所述预定温度小于50摄氏度；以及在基于所述预定温度供应所述冷却剂的同时，从所述处理室内去除金属氧化物膜，其包括：使分子氢流入所述处理室；以及在所述处理室内激励等离子体。
[0015]在进一步的特征中，所述金属氧化物膜是氧化锡膜。
[0016]在进一步的特征中，所述预定温度小于或等于30摄氏度。
[0017]在进一步的特征中，所述预定温度小于或等于25摄氏度。
[0018]在进一步的特征中，处理室位于房间内；以及所述预定温度小于所述房间内的温度。
[0019]在进一步的特征中，所述处理方法还包括：将衬底装载到所述处理室的所述衬底支撑件上；以及在所述衬底的表面上沉积所述金属氧化物膜。
[0020]在进一步的特征中，所述处理方法还包括在将所述金属氧化物膜沉积在所述衬底的所述表面上期间，基于大于所述预定温度的第二预定温度来供应所述冷却剂。
[0021]在进一步的特征中，去除所述金属氧化物膜还包括将气体泵出所述处理室。
[0022]在进一步的特征中，使分子氢流入所述处理室包括仅使分子氢流入所述处理室。
[0023]在一特征中，一种衬底处理系统包括处理室以及控制器。所述处理室包括衬底支撑件。所述控制器被配置成：基于预定温度，控制通过所述衬底支撑件提供至冷却剂通道的冷却剂的温度，其中所述预定温度小于50摄氏度；以及在基于所述预定温度控制所述冷却剂的温度的同时，选择性地蚀刻沉积在被布置在所述衬底支撑件上的衬底的表面上的金属氧化物膜，所述选择性地蚀刻包括：使分子氢流入所述处理室；以及在所述处理室内激励等离子体。
[0024]在进一步的特征中，所述金属氧化物膜是氧化锡膜。
[0025]在进一步的特征中，所述预定温度小于在将所述金属氧化物膜沉积在所述衬底上期间的所述冷却剂的温度。
[0026]在进一步的特征中，所述预定温度小于或等于30摄氏度。
[0027]在进一步的特征中，所述预定温度小于或等于25摄氏度。
[0028]在进一步的特征中，所述处理室位于房间内；以及所述预定温度小于所述房间内的温度。
[0029]在进一步的特征中，所述控制器被进一步配置为将气体泵出所述处理室。
[0030]在进一步的特征中，所述控制器被进一步配置为仅使分子氢流入所述处理室。
[0031]在一特征中，一种衬底处理系统包括处理室以及控制器，所述处理室包括衬底支撑件。所述控制器被配置成基于预定温度，向以下两者中的至少一者供应冷却剂：穿过所述衬底支撑件的冷却剂通道；和围绕所述处理室的冷却剂通道，其中所述预定温度小于50摄氏度；以及在基于所述预定温度供应所述冷却剂的同时，从所述处理室内去除金属氧化物膜，其包括：使分子氢流入所述处理室；以及在所述处理室内激励等离子体。
[0032]在进一步的特征中，所述金属氧化物膜是氧化锡膜。
[0033]在进一步的特征中，所述预定温度小于或等于30摄氏度。
[0034]在进一步的特征中，所述预定温度小于或等于25摄氏度。
[0035]在进一步的特征中，处理室位于房间内；以及所述预定温度小于所述房间内的温度。
[0036]在进一步的特征中，所述控制器还被配置为将所述金属氧化物膜沉积在布置在所述衬底支撑件上的衬底的表面上。
[0037]在进一步的特征中，所述控制器还被配置为：在将所述金属氧化物膜沉积在所述衬底的所述表面上期间，基于大于所述预定温度的第二预定温度来供应所述冷却剂。
[0038]在进一步的特征中，所述控制器还被配置为将气体泵出所述处理室。
[0039]在进一步的特征中，所述控制器还被配置为仅使分子氢流入所述处理室。
[0040]根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。
附图说明
[0041]根据详细描述和附图将更充分地理解本公开，其中：
[0042]图1包括示例性衬底处理室的功能框图；
[0043]图2包括功能框图，其包括含有冷却剂组件的示例性冷却系统；
[0044]图3包括描绘示例性方法的流程图，该方法用于在处理室内的衬本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种处理方法，其包括：将衬底装载到处理室的衬底支撑件上，所述衬底具有在其表面上沉积的金属氧化物膜；基于预定温度，控制通过所述衬底支撑件提供至冷却剂通道的冷却剂的温度，其中所述预定温度小于50摄氏度；以及在基于所述预定温度控制所述冷却剂的温度的同时，选择性地蚀刻金属氧化物膜，其包括：使分子氢流入所述处理室；以及在所述处理室内激励等离子体。2.根据权利要求1所述的处理方法，其中，所述金属氧化物膜是氧化锡膜。3.根据权利要求1所述的处理方法，其中，所述预定温度小于在将所述金属氧化物膜沉积在所述衬底上期间的所述冷却剂的温度。4.根据权利要求1所述的处理方法，其中，所述预定温度小于或等于30摄氏度。5.根据权利要求1所述的处理方法，其中，所述预定温度小于或等于25摄氏度。6.根据权利要求1所述的处理方法，其中：所述处理室位于房间内；以及所述预定温度小于所述房间内的温度。7.根据权利要求1所述的处理方法，其中选择性地蚀刻所述金属氧化物膜还包括将气体泵出所述处理室。8.根据权利要求1所述的处理方法，其中使分子氢流入所述处理室包括仅使分子氢流入所述处理室。9.一种处理方法，其包括：基于预定温度，向以下两者中的至少一者供应冷却剂：穿过处理室的衬底支撑件的冷却剂通道；和围绕所述处理室的冷却剂通道，其中所述预定温度小于50摄氏度；以及在基于所述预定温度供应所述冷却剂的同时，从所述处理室内去除金属氧化物膜，其包括：使分子氢流入所述处理室；以及在所述处理室内激励等离子体。10.根据权利要求9所述的处理方法，其中，所述金属氧化物膜是氧化锡膜。11.根据权利要求9所述的处理方法，其中，所述预定温度小于或等于30摄氏度。12.根据权利要求9所述的处理方法，其中，所述预定温度小于或等于25摄氏度。13.根据权利要求9所述的处理方法，其中：所述处理室位于房间内；和所述预定温度小于所述房间内的温度。14.根据权利要求9所述的处理方法，其还包括：将衬底装载到所述处理室的所述衬底支撑件上；以及在所述衬底的表面上沉积所述金属氧化物膜。
15.根据权利要求14所述的处理方法，其还包括在将所述金属氧化物膜沉积在所述衬底的所述表面上期间，基于大于所述预定温度的第二预定温度来供应所述冷却剂。16.根据权利要求9所述的处理方法，其中去除所述金属氧化物膜还包括将气体泵出所述处理室。17.根据权利要求9所述的处理方法，其中使分子氢流入所述处理室包括仅使分子氢流入所述处理室。18.一种衬底处理系统，其包括：处理室，其包括衬底支撑件；以及控制器，其被配置成基于预定温度，控制通...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿希尔，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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