基板处理设备制造技术

一种具有改进的排气结构的基板处理设备包括接地的导电延伸部，其配置成防止在连接到反应空间的排气空间中产生寄生等离子体。基板处理设备防止在反应空间以外的区域比如反应空间中产生寄生等离子体。因此，可以防止功率损失并且可以实现稳定的等离子体处理。损失并且可以实现稳定的等离子体处理。损失并且可以实现稳定的等离子体处理。

【技术实现步骤摘要】
基板处理设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年7月30日在美国专利商标局提交的美国临时专利申请号62/880,637的权益，其全部公开内容通过引用合并于此。


[0003]一个或多个实施例涉及一种基板处理设备，更具体地，涉及一种具有改进的排气结构的基板处理设备。

技术介绍

[0004]在半导体沉积处理中，与热处理相比，可以在低温下执行等离子体处理，因此可以减少对半导体器件的热冲击。此外，随着施加到半导体沉积设备的热冲击减小，可以提高设备的耐用性和组成部件的寿命，因此等离子体处理被应用于许多过程。
[0005]在使用等离子体的沉积处理中，通过向供应到反应空间的反应气体施加RF功率以使反应气体离子化来产生等离子体。离子化的反应气体被激活以与基板反应，从而在基板上形成薄膜。韩国专利公开号10-2019-0032077和韩国专利号10-1680379公开了使用等离子体的上述沉积处理。
[0006]韩国专利公开号10-2019-0032077公开了一种原子层沉积系统，作为使用等离子体的沉积处本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理设备，包括：基板支撑单元，其配置为支撑基板；处理单元，其设置在基板支撑单元上方，其中，反应空间限定在基板支撑单元与处理单元之间；排气单元，其提供连接到反应空间的排气空间；以及导电延伸部，其围绕排气空间的至少一部分。2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述导电延伸部配置成防止在排气空间中产生寄生等离子体。3.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述导电延伸部接地。4.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述导电延伸部具有与基板的形状相对应的形状的圆周。5.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述排气单元包括设置在反应空间和排气空间之间的阻挡壁，并且所述阻挡壁的第一表面限定反应空间，并且所述阻挡壁的第二表面限定排气空间。6.根据权利要求5所述的基板处理设备，其中，所述导电延伸部沿着阻挡壁的第二表面延伸。7.根据权利要求5所述的基板处理设备，其中，所述导电延伸部与阻挡壁接触。8.根据权利要求1所述的基板处理设备，还包括：支撑部，其支撑所述处理单元和排气单元，其中，所述排气单元设置在处理单元和支撑部之间。9.根据权利要求8所述的基板处理设备，其中，所述处理单元用作限定反应空间的上表面的第一盖，并且所述排气单元用作限定反应空间的侧表面的第二盖。10.根据权利要求8所述的基板处理设备，其中，所述排气单元包括：阻挡壁，其设置在反应空间和排气空间之间；外壁，其设置成平行于阻挡壁并与支撑部接触；以及连接壁，其连接阻挡壁和外壁并提供与处理单元的接触表面，并且所述导电延伸部沿着阻挡壁、连接壁、外壁和支撑部延伸。11.根据权利要求10所述的基板处理设备，其中，所述导电延伸部电连接到支撑部，以允许导电延伸部和支撑部...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑元基，李主日，张夏硕，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：