用于非易失性存储器中的错误校正的快速失效支持制造技术

本申请公开了一种用于改进非易失性存储器中的错误校正的快速失效支持的装置、系统及方法。一种示例性方法包括：(a)在快速失效模式中从读取操作接收码字，(b)初始配置最大迭代次数(N

【技术实现步骤摘要】
用于非易失性存储器中的错误校正的快速失效支持


[0001]本专利文件通常涉及一种非易失性存储器装置，且更具体地，涉及一种非易失性存储器装置中的错误校正。

技术介绍

[0002]数据完整性是任何数据存储装置和数据传输的重要特征。推荐包括NAND闪速存储器装置的各种类型的数据存储装置使用强错误校正码(ECC)。
[0003]固态驱动器(SSD)使用多层NAND闪存装置以供永久存储。然而，多层NAND闪存装置在本质上是不可靠的，并且通常需要以用于ECC奇偶校验位的额外存储空间为代价来使用ECC以允许显著增加数据可靠性。需要愈发高效的ECC和控制机制，以提供最小的奇偶校验和延迟要求的最大数据保护。

技术实现思路

[0004]所公开的技术的实施例涉及针对非易失性存储器装置中的错误校正提供快速失效支持。本文中描述的方法和装置有利地使得快速失效操作能够适应ECC解码器的剩余迭代次数，同时保持严格的延迟要求。
[0005]本专利技术提供针对非易失性存储器装置中的错误校正的快速失效支持的方法、装置及系统。在示例方面，一种用于非易失本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于非易失性存储器中的改进的错误校正的方法，包括：(a)在快速失效模式中从读取操作接收码字；(b)初始地配置最大迭代次数和用于多个位翻转阈值的值的集合，以用于对所述码字执行解码操作；(c)执行多次解码迭代，每次迭代使用位翻转阈值的子集；(d)计算作为所述最大迭代次数与已执行的所述多次解码迭代之间的差的剩余迭代次数；(e)基于所述剩余迭代次数和所述快速失效模式中的所述读取操作的延迟要求，重新配置所述多个位翻转阈值的所述值的集合以重新开始所述解码操作；并且(f)重复操作(c)至(e)，直到所述码字被成功解码或者所述剩余迭代次数小于或等于零。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述解码操作的收敛速率和校正能力是基于所述多个位翻转阈值的所述值的集合。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述位翻转阈值的子集中的每一个随着所述剩余迭代次数的减少而增加。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述快速失效模式是所述非易失性存储器的读取恢复级别即RRL，并且其中所述快速失效模式的最大延迟小于由所述非易失性存储器支持的任何其它RRL的最大延迟。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述最大迭代次数是基于所述快速失效模式的最大延迟。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述非易失性存储器是NAND闪速存储器。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述NAND闪速存储器包括多个存储器单元，每一个存储器单元被配置为存储多于一个的数据位。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述码字是广义的低密度奇偶校验码字，即G-LDPC码字。9.一种系统，所述系统用于非易失性存储器中的改进的错误校正，包括：处理器和存储器，所述存储器包括存储在其上的指令，其中所述指令在由所述处理器运行时使所述处理器：(a)在快速失效模式中从读取操作接收码字；(b)初始地配置最大迭代次数和用于多个位翻转阈值的值的集合，以用于对所述码字执行解码操作；(c)执行多次解码迭代，每次迭代使用位翻转阈值的子集；(d)计算作为所述最大迭代次数与已执行的所述多次解码迭代之间的差的剩余迭代次数；(e)基于所述剩余迭代次数和所述快速失效模式中的所述读取操作的延迟要求，重新配置所述多个位翻转阈值的所述值的集合以重新开始所述解码操作；以及(f)重复操作(c)至(e)，直到所述码字被成功解码或者所述剩余迭代次数小于或等于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张帆，熊晨荣，吕宣宣，美萨姆，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：