存储器控制器及其操作方法技术

本申请涉及一种存储器控制器，该存储器控制器具有提高的写入资源管理性能。该存储器控制器控制包括多个流存储区域的至少一个存储器装置。该存储器控制器包括缓冲器、写入历史管理器、写入控制器和垃圾收集控制器。缓冲器存储写入数据。写入历史管理器存储多个流存储区域中的每个流存储区域中的写入计数值，并且基于该写入计数值来生成指示多个流存储区域中的每个流存储区域的写入操作频率的写入历史信息。写入控制器控制至少一个存储器装置存储从缓冲器提供的写入数据。垃圾收集控制器控制至少一个存储器装置以对基于写入历史信息而从多个流存储区域之中选择的目标流存储区域执行垃圾收集操作。域执行垃圾收集操作。域执行垃圾收集操作。

【技术实现步骤摘要】
存储器控制器及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本专利申请要求于2019年7月30日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2019-0092465的韩国专利申请的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。


[0003]本公开涉及一种电子装置，并且更特别地，涉及一种存储器控制器及其操作方法。

技术介绍

[0004]存储装置是一种在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据的装置。存储装置可包括存储数据的存储器装置和控制存储器装置的存储器控制器。存储器装置可以是易失性存储器装置或非易失性存储器装置。
[0005]易失性存储器装置是一种仅当供电时存储数据，并且当供电被切断或中断时无法进行检索数据的装置。易失性存储器装置的非限制性示例包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)等。
[0006]非易失性存储器装置是在供电被切断或中断后也可进行检索数据的装置。非易失性存储器装置的非限制性示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器控制器，所述存储器控制器控制至少一个存储器装置，所述至少一个存储器装置包括多个流存储区域，所述存储器控制器包括：缓冲器，存储写入数据；写入历史管理器，存储所述多个流存储区域中的每个流存储区域的写入计数值，并且基于所述写入计数值来生成指示所述多个流存储区域中的每个流存储区域的写入操作频率的写入历史信息；写入控制器，控制所述至少一个存储器装置以存储从所述缓冲器提供的所述写入数据；以及垃圾收集控制器，控制所述至少一个存储器装置以对基于所述写入历史信息而从所述多个流存储区域之中选择的目标流存储区域执行垃圾收集操作。2.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中所述写入历史管理器通过对所述多个流存储区域中的每个流存储区域的写入计数值求和来生成所述写入历史信息，所述写入历史信息包括所述多个流存储区域中的每个流存储区域的总写入计数值。3.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中所述写入历史管理器将在设定时段中对所述多个流存储区域中的每个流存储区域执行的写入操作的数量存储为写入计数信息。4.根据权利要求3所述的存储器控制器，其中所述设定时段是预定长度的时间段。5.根据权利要求3所述的存储器控制器，其中所述设定时段是所述至少一个存储器装置执行了预设数量的写入操作的时间段。6.根据权利要求3所述的存储器控制器，其中当所述写入历史管理器中存储的写入计数信息的数量达到预设数量时，所述写入历史管理器利用新生成的写入计数信息来重写最早存储的写入计数信息。7.根据权利要求2所述的存储器控制器，其中所述缓冲器包括分别对应于所述多个流存储区域的多个流缓冲区域，并且所述写入控制器基于所述写入历史信息来控制所述多个流缓冲区域中的每个流缓冲区域的大小。8.根据权利要求7所述的存储器控制器，其中所述多个流缓冲区域中的每个流缓冲区域包括固定区域和可变区域，并且其中所述写入控制器基于所述写入历史信息来控制所述多个流缓冲区域中的每个流缓冲区域中的所述可变区域的大小。9.根据权利要求7所述的存储器控制器，其中将所述多个流缓冲区域的总写入计数值设置为相应的多个流存储区域的总写入计数值，并且其中所述多个流缓冲区域之中的第二流缓冲区域的总写入计数值大于所述多个流缓冲区域之中的第一流缓冲区域的总写入计数值时，所述写入控制器减小所述第一流缓冲区域的大小，并且增加所述第二流缓冲区域的大小。10.根据权利要求9所述的存储器控制器，其中所述写入控制器将所述第一流缓冲区域的一部分分配给所述第二流缓冲区域。11.根据权利要求9所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：申熙赞，吴用锡，金宙铉，金真永，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：