制造薄膜可驱动反射镜阵列的方法技术

技术编号:2721413 阅读:130 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
制造薄膜可驱动反射镜阵列的方法包括:提供有源矩阵;形成薄膜待除层;制出带尖角的空槽阵列;磨掉尖角;形成支持元件;沉淀弹性层;形成导线管;形成第二薄膜层;沉淀薄膜电致位移层;成型薄膜电致位移元件和第二薄膜电极阵列;沉淀绝缘层;成型绝缘和弹性元件阵列;去除薄膜待除层,从而提供驱动空间;形成阻光层,阻光材料也填充在驱动空间内;去除形成在各薄膜电致位移元件顶上的阻光层和绝缘元件;以及形成第一薄膜电极。(*该技术在2015年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制造用于一种光学投影系统的M×N薄膜可驱动反射镜阵列的方法,其中M和N是整数,并且各薄膜可驱动反射镜具有单压电晶片结构,该方法包括以下步骤:提供包括在其顶面上的一个连接端阵列、一个基底和一个晶体管阵列的一个有源矩阵;在有源矩阵的 顶面上这样形成一个薄膜待除层,使得薄膜待除层完全覆盖连接端的阵列;在薄膜待除层中制出一个空槽阵列,其中各空槽位于连接端的周围,并且空槽的产生使得在薄膜待除层和空槽之间的边界出现尖角;磨掉尖角;通过在其中填充第一绝缘材料在各空槽内 形成支持元件;在支持元件和薄膜待除层的顶上沉淀由与支持元件相同的材料制成的弹性层;形成一适当数目的导线管,各导线管从弹性层的顶部通过支持元件延伸到相应的连接端的顶上;在弹性层和导线管的顶上形成由导电材料制成的第二薄膜层;在第 二薄膜层的顶上沉淀薄膜电致位移层;分别将薄膜电致位移层和第二薄膜层成型为一个M×N薄膜电致位移元件和第二薄膜电极的阵列,使得各薄膜电致位移元件和第二薄膜电极形成在支持元件的顶上,弹性层介于期间,其中各薄膜电致位移元件和第二薄膜电极具有侧 面;将由第二绝缘材料制成的绝缘层沉淀在各薄膜电致位移元件和弹性层的顶上,包括各薄膜电致位移元件和第二薄膜电极的侧面上;分别将绝缘和弹性层成型为一个绝缘和弹性元件的阵列,直到薄膜待除层暴露出来;去除薄膜待除层,从而形成一个M×N半 成品驱动器的阵列,其中各半成品驱动器提供有一驱动空间;在M×N半成品驱动器阵列的顶上形成一阻光层,阻光材料完全填充进那里的驱动空间;去除形成在各半成品驱动器中薄膜电致位移元件顶上的阻光层和绝缘元件的部分;去除在各绝缘元件和填充进 驱动空间的阻光材料的顶上的阻光层部分,从而形成一个M×N半成品可驱动反射镜的阵列;以及在各半成品可驱动反射镜的顶上形成由导电和光反射材料制成的第一薄膜电极,从而形成M×N薄膜可驱动反射镜的阵列。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:闵庸基具明权郑在
申请(专利权)人:大宇电子株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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