一种IGBT功率半导体测试设备制造技术

本发明专利技术提供了一种IGBT功率半导体测试设备，涉及一种IGBT功率半导体测试技术。它解决了现有技术中测试设备的主回路会带来不必要的杂散电感的问题。本IGBT功率半导体测试设备，包括IGBT双脉冲测试电路，所述IGBT双脉冲测试电路具有多级测试电感负载，IGBT双脉冲测试电路的高压电容为母排电容组，所述母排电容组由低感值储能电容器通过叠层母排并联而成，所述叠层母排电容组具有对称的电容器连接口；每个低感值储能电容器并联高频吸收电容，用以吸收测试过程中产生的电压尖峰。本发明专利技术实现对IGBT等功率半导体模组的动态工作特性及损耗的测试，减小回路中杂散电感对测试结果的影响，提高整体的测试精度。提高整体的测试精度。提高整体的测试精度。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT功率半导体测试设备


[0001]本专利技术属于功率半导体
，特别是一种IGBT功率半导体测试技术。

技术介绍

[0002]通常我们对某款IGBT的认识主要是通过阅读相应的数据手册，数据手册中所描述的参数是基于一些已经给定的外部参数条件测试得来的，而实际应用中的外部参数都是个性化的，往往会有所不同，因此这些参数有些是不能直接拿来使用的。因此可以通过双脉冲测试，对IGBT的性能进行更为准确的评估，例如如专利：CN201510144297.3 一种SiC IGBT串联阀组动态均压特性和反向恢复特性的测试方法及测试电路；CN201910828489.4 一种压接式IGBT模块测试系统及测试方法；CN201610890393.7 一种利用双脉冲技术测试IGBT动态开关特性的测试方法及装置；CN201610893753.9 一种大功率IGBT动态测试电路及其控制方法。但测试设备的主回路会带来不必要的杂散电感，严重影响测试结果的准确性，减小测试回路中的杂散电感参数是准确测试的关键。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是针对现有技术存在的上述问题，提出了一种IGBT功率半导体测试设备，本IGBT功率半导体测试设备能减小测试回路中的杂散电感。
[0004]本专利技术的目的可通过下列技术方案来实现：。
[0005]在某些实施方式中，包括IGBT双脉冲测试电路，其特征在于，所述IGBT双脉冲测试电路具有多级测试电感负载，IGBT双脉冲测试电路的高压电容为母排电容组，所述母排电容组由低感值储能电容器通过叠层母排并联而成，所述叠层母排电容组具有对称的电容器连接口；每个低感值储能电容器并联高频吸收电容，用以吸收测试过程中产生的电压尖峰。
[0006]在某些实施方式中，还包括负极铜排、负载铜排、负载铜排、第一负载连接块、第二负载连接块、第三负载连接块、第四负载连接块；其中所述负极铜排与所述叠层母排负极连接，所述负载铜排与所述叠层母排正极连接；所述负载铜排通过绝缘块安装于所述负极铜排与所述负载铜排之间，并且使得所述负极铜排、所述负载铜排、所述负载铜排处于同一平面内。
[0007]在某些实施方式中，多级测试电感负载为第一空心电感、第二空心电感、第三空心电感、第四空心电感一端共同连接至负载铜排上，所述第一空心电感的另一端连接到第一负载连接块上，所述第二空心电感连接到第二负载连接块上，所述第三空心电感连接到第三负载连接块上，所述第四空心电感连接到第四负载连接块上，所述第一负载连接块、第二负载连接块、第三负载连接块、第四负载连接块分别通过绝缘块连接于所述铜排上；在所述负极铜排上方连接有与四个负载连接块上端连接块静触点对应的四个铜排静触点，在所述负极铜排下方连接有与四个负载连接块下端连接块静触点对应的四个铜排静触点，从而每个连接块静触点与一个铜排静触点构成一个触点对，对应每个触点对设置有伸缩接触块，伸缩接触块上设置有与触点对对应的两个伸缩接触块触点，伸缩接触块上的两个触点是电
连接的，接触块伸缩气缸控制伸缩接触块相对铜排的移动，实现连接块静触点与铜排静触点电连接的通断。
[0008]在某些实施方式中，还包括短路测试回路，所述短路测试回路包括分别固定到所述负极铜排和所述负载铜排上的第一短路定触点对，及分别固定到所述负载铜排和所述正极铜排上的第二短路定触点对，对应所述第一短路定触点对及第二短路定触点对分别设置有第一短路伸缩接触块与第二短路伸缩接触块；伸缩接触块上设置有与短路定触点对对应的两个触点，第一短路伸缩气缸与第二短路伸缩气缸控制伸缩接触块相对短路定触点对的移动，从而控制短路定触点对的通断。
[0009]在某些实施方式中，测试装置的产品测试探针设置在针床下面，针床下方设置待测产品托盘，待测产品托盘由升降装置控制相对针床升降，以便于探针与待测产品相应的触点接触或离开。
[0010]在某些实施方式中，还包括短路测试回路，所述短路测试回路包括分别固定到所述负极铜排和所述负载铜排上的第一短路定触点对，分别固定到所述负载铜排和所述正极铜排上的第二短路定触点对；对应所述第一短路定触点对及第二短路定触点对分别设置有第一短路伸缩接触块与第二短路伸缩接触块；伸缩接触块上设置有与短路定触点对对应的两个触点，伸缩接触块上的两个触点是电连接的，第一短路伸缩气缸与第二短路伸缩气缸控制伸缩接触块相对短路定触点对的移动，从而控制短路定触点对的通断。
[0011]在某些实施方式中，所述针床下方设置有用于传送待测产品的传送带，所述待测产品托盘具有支撑腿，所述待测产品托盘通过升降腿支撑在测产品传送轨道上，所述升降腿包括剪叉升降机构，所述剪叉升降机构上部的杆体的内侧端部与伸缩装置连接，所述剪叉升降机构上方的杆体的外侧端部与导杆的端部铰链连接，所述导杆滑动的设置在导向座上，所述导向座固定在所述待测产品托盘上，所述伸缩装置的伸缩方向与待测产品托盘移动方向垂直，所述待测产品传送轨道上并列设置两组传送带，定义为内传送带与外传送带，两个传送带分别由独立的驱动装置驱动，所述剪叉升降机构底部的杆体的两个中部铰链轴上设置有滑套，滑套内滑动的配合有支撑杆，所述支撑杆下端支撑有脚轮，即使得所述剪叉升降机构支撑在脚轮上。
[0012]与现有技术相比，本IGBT功率半导体测试设备具有以下优点：本专利技术实现对IGBT等功率半导体模组的动态工作特性及损耗的测试，减小回路中杂散电感对测试结果的影响，提高整体的测试精度，特定的叠层母排，特定的回路连接方式，特定的开关触点减小测试回路中的杂散电感参数。
附图说明
[0013]在附图(其不一定是按比例绘制的)中，相似的附图标记可在不同的视图中描述相似的部件。具有不同字母后缀的相似附图标记可表示相似部件的不同示例。附图以示例而非限制的方式大体示出了本文中所讨论的各个实施例。
[0014]图1是测试电路示意图；图2是测试装置的示意图；图3是图2的俯视示意图；图4是图2的去掉伸缩气缸的示意图；
图5是图4的俯视示意图；图6是接触块伸缩气缸的示意图；图7是第一恢复伸缩气缸的示意图；图8是实施例二的示意图。
[0015]图中，负极铜排1、负载铜排2、正极铜排3，待测产品IGBT4，储能电容5，针床6，托盘7；剪叉升降机构8，内侧端部801，外侧端部802，滑套803，伸缩装置9，导杆10，导向座101，内传送带11，外传送带12，驱动轮13，支撑杆131；叠层母排14，第一空心电感151、第二空心电感152、第三空心电感153、第四空心电感154，第一负载连接块161，第二负载连接块162，第三负载连接块163，第四负载连接块164；连接块静触点160，铜排静触点101；伸缩接触块17，伸缩接触块触点171，接触块伸缩气缸18；第一短路定触点对191，第二短路定触点对192，第一短路伸缩接触块201，第二短路伸缩接触块202，第一短路伸缩气缸211与第二短路伸缩气缸212；快恢复二极管22，二极管移动气缸23，第一恢复定触点对241，第二恢复定触点对242，第一恢复伸缩接触块2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT功率半导体测试设备，包括IGBT双脉冲测试电路，其特征在于，所述IGBT双脉冲测试电路具有多级测试电感负载，IGBT双脉冲测试电路的高压电容为母排电容组，所述母排电容组由低感值储能电容器通过叠层母排并联而成，所述叠层母排电容组具有对称的电容器连接口；每个低感值储能电容器并联高频吸收电容，用以吸收测试过程中产生的电压尖峰。2.根据权利要求1所述的IGBT功率半导体测试设备，其特征在于，还包括负极铜排、负载铜排、负载铜排、第一负载连接块、第二负载连接块、第三负载连接块、第四负载连接块；其中所述负极铜排与所述叠层母排负极连接，所述负载铜排与所述叠层母排正极连接；所述负载铜排通过绝缘块安装于所述负极铜排与所述负载铜排之间，并且使得所述负极铜排、所述负载铜排、所述负载铜排处于同一平面内。3.根据权利要求2所述的IGBT功率半导体测试设备，其特征在于，多级测试电感负载为第一空心电感、第二空心电感、第三空心电感、第四空心电感一端共同连接至负载铜排上，所述第一空心电感的另一端连接到第一负载连接块上，所述第二空心电感连接到第二负载连接块上，所述第三空心电感连接到第三负载连接块上，所述第四空心电感连接到第四负载连接块上，所述第一负载连接块、第二负载连接块、第三负载连接块、第四负载连接块分别通过绝缘块连接于所述铜排上；在所述负极铜排上方连接有与四个负载连接块上端连接块静触点对应的四个铜排静触点，在所述负极铜排下方连接有与四个负载连接块下端连接块静触点对应的四个铜排静触点，从而每个连接块静触点与一个铜排静触点构成一个触点对，对应每个触点对设置有伸缩接触块，伸缩接触块上设置有与触点对对应的两个伸缩接触块触点，伸缩接触块上的两个触点是电连接的，接触块伸缩气缸控制伸缩接触块相对铜排的移动，实现连接块静触点与铜排静触点电连接的通断。4.根据权利要求3所述的IGBT功率半导体测试设备，其特征在于，还包括短路测试回路，所述短路测试回路包括分别固定到所述负极铜排和所述负载铜排上的第一短路定触点对，及分别固...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭斌，闫晗，赵静，彭云良，王彦明，刘俊丽，方辉煌，陈涛，
申请(专利权)人：杭州沃镭智能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：