本实用新型专利技术涉及一种老化寿命试验用老化板装置，其包括老化板体、测试工位以及老化板金手指组，老化板金手指组内包括若干器件连接指体，还包括转接板体，转接板体包括金手指插槽以及转接板金手指组，转接板金手指组内包括若干转接连接指体，转接板金手指组内的转接连接指体与老化板金手指组内的器件连接指体一一对应，老化板金手指组嵌置在金手指插槽内后，老化板金手指组内的器件连接指体通过转接板体能与转接板金手指组内相应的转接连接指体适配连接，以通过转接板金手指组内的转接连接指体与器件连接指体配合能满足对测试工位上测试器件的测试连接需要。本实用新型专利技术能适应不同封装的测试需要，降低测试成本，使用方便，安全可靠。安全可靠。安全可靠。
【技术实现步骤摘要】
老化寿命试验用老化板装置
[0001]本技术涉及一种老化板装置，尤其是一种老化寿命试验用老化板装置，属于老化试验的
技术介绍
[0002]高温环境老化寿命试验是评价半导体器件品质常用的一类方法，如HTRB试验(HTRB：High Temperature Reverse Bias，高温反偏试验)、HTGB试验(High Temperature Gate Bias，中文名称为高温栅偏试验)、HTFB试验(High Temperature Forward Bias，中文名称为高温正偏试验)、H3TRB试验(H3TRB：High Humidity High Temperature Reverse Bias，高温高湿反偏试验)等。但由于被测器件的引脚定义以及封装的不同，就导致要针对每种被测器件的封装、引脚定义以及试验项目来设计对应的老化板，老化板的数量和成本大大增加。
[0003]例如N-MOSFET与P-MOSFET，在对N-MOSFET进行HTRB试验时，测试正负电压是加在N-MOSFET的源极与漏极之间的，但在测试P-MOSFET时，与N-MOSFET相反，正负电压则是加在P-MOSFET的漏极与源极之间，这样就导致同一块老化板不能同时兼容这两种类型的MOSFET器件。
[0004]在进行不同的试验项目时，引脚接线需要特殊配置，例如在对MOSFET或者IGBT进行HTGB试验时，需要将被测器件的源极(集电极)和漏极(发射极)连接在一起(DS短接)，HTRB试验则需要将门极(栅极)和漏极(发射极)连接在一起(GS短接)。
[0005]现有老化板的结构如图1和图2所示，在老化板体1上有多个工位2，每个工位2焊有老化座，通过老化座能用以安装被测器件，老化座的引脚通过在老化板体1上的铜线连接到器件连接指体6。在试验时，老化板体1安装在机器上，通过老化板金手指组3与机器内部测试系统及采集系统相连接，由于采集系统内部电路是不可变更的，所以需要对不同种封装的被测器件设计不同的老化板体1来兼容采集系统的电路。
[0006]目前的老化板体1只能对应兼容一种封装的器件，例如TO-220的N-MOSFET老化板就不能与TO-247的N-MOSFET或TO-220的P-MOSFET相兼容，为了匹配这些器件的测试就需要对应这些器件的封装和管脚顺序专门设计的老化板体1。即目前进行老化试验时，不同封装设计需要不同的老化板体1，从而存在多种类型的老化板体1，而老化板体1种类多时，不便于保存且制板成本大大增加。
技术实现思路
[0007]本技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种老化寿命试验用老化装置，其结构紧凑，能适应不同封装的测试需要，降低测试成本，使用方便，安全可靠。
[0008]按照本技术提供的技术方案，所述老化寿命试验用老化板装置，包括老化板体、设置于老化板体上的若干测试工位以及位于老化板体端部的老化板金手指组，所述老化板金手指组内包括若干器件连接指体，老化板金手指组内的器件连接指体与老化板体上
的测试工位一一对应连接；
[0009]还包括能与老化板体适配连接的转接板体，所述转接板体包括能允许老化板金手指组嵌置的金手指插槽以及测试连接用的转接板金手指组，所述转接板金手指组内包括若干转接连接指体，转接板金手指组内的转接连接指体与老化板金手指组内的器件连接指体一一对应，老化板金手指组嵌置在金手指插槽内后，老化板金手指组内的器件连接指体通过转接板体能与转接板金手指组内相应的转接连接指体适配连接，以通过转接板金手指组内的转接连接指体与器件连接指体配合能满足对测试工位上测试器件的测试连接需要。
[0010]测试工位上的测试器件为NMOSFET且对测试器件进行HTRB试验时，器件连接指体包括NMOSFET栅极连接指体、NMOSFET漏极连接指体以及NMOSFET源极连接指体，所述转接板体为HTRB转接板，转接连接指体包括设置于HTRB转接板端部的HTRB转接连接指体，HTRB转接连接指体包括N-HTRB栅极连接指体、N-HTRB漏极连接指体以及N-HTRB源极连接指体；
[0011]在HTRB转接板内设置板体N-HTRB连接线组，通过板体N-HTRB连接线组能使得NMOSFET栅极连接指体、NMOSFET源极连接指体均与N-HTRB源极连接指体电连接，NMOSFET漏极连接指体与N-HTRB漏极连接指体电连接。
[0012]测试工位上的测试器件为NMOSFET且对测试器件进行HTGB试验时，器件连接指体包括NMOSFET栅极连接指体、NMOSFET漏极连接指体以及NMOSFET源极连接指体，所述转接板体为HTGB转接板，转接连接指体包括设置于HTGB转接板端部的HTGB转接连接指体，HTGB转接连接指体包括N-HTGB栅极连接指体、N-HTGB漏极连接指体以及N-HTGB源极连接指体；
[0013]在HTGB转接板内设置板体N-HTGB连接线组，通过板体N-HTGB连接线组能使得NMOSFET漏极连接指体、NMOSFET源极连接指体均与N-HTGB源极连接指体电连接，NMOSFET栅极连接指体与N-HTGB栅极连接指体电连接。
[0014]测试工位上的测试器件为PMOSFET且对测试器件进行HTRB试验时，器件连接指体包括PMOSFET栅极连接指体、PMOSFET漏极连接指体以及PMOSFET源极连接指体，所述转接板体为HTRB-P/N转接板，转接连接指体包括设置于HTRB-P/N转接板端部的HTRB-P/N转接连接指体，HTRB-P/N转接连接指体包括HTRB-P/N栅极连接指体、HTRB-P/N漏极连接指体以及HTRB-P/N源极连接指体；
[0015]在HTRB-P/N转接板内设置板体HTRB-P/N连接线组，通过板体HTRB-P/N连接线组能使得PMOSFET栅极连接指体、PMOSFET漏极连接指体均与HTRB-P/N漏极连接指体电连接，PMOSFET源极连接指体与HTRB-P/N源极连接指体电连接。
[0016]测试工位上的测试器件为PMOSFET且对测试器件进行HTGB试验时，器件连接指体包括PMOSFET栅极连接指体、PMOSFET漏极连接指体以及PMOSFET源极连接指体，所述转接板体为HTGB-P/N转接板，转接连接指体包括设置于HTGB-P/N转接板端部的HTGB-P/N转接连接指体，HTGB-P/N转接连接指体包括HTGB-P/N栅极连接指体、HTGB-P/N漏极连接指体以及HTGB-P/N源极连接指体；
[0017]在HTGB-P/N转接板内设置板体HTGB-P/N连接线组，通过板体HTGB-P/N连接线组能使得PMOSFET漏极连接指体、PMOSFET源极连接指体均与HTGB-P/N漏极连接指体电连接，PMOSFET栅极极连接指体与HTRB-P/N栅极连接指体电连接。
[0018]在老化板体上设置老化板固定孔，在转接板体上设置转接板体固定孔，老化板体的老化板金手指组嵌置在转接板体的金手指插槽内本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种老化寿命试验用老化板装置，包括老化板体(1)、设置于老化板体(1)上的若干测试工位(2)以及位于老化板体(1)端部的老化板金手指组(3)，所述老化板金手指组(3)内包括若干器件连接指体(6)，老化板金手指组(3)内的器件连接指体(6)与老化板体(1)上的测试工位一一对应连接；其特征是：还包括能与老化板体(1)适配连接的转接板体(9)，所述转接板体(9)包括能允许老化板金手指组(3)嵌置的金手指插槽(11)以及测试连接用的转接板金手指组(10)，所述转接板金手指组(10)内包括若干转接连接指体，转接板金手指组(10)内的转接连接指体与老化板金手指组(3)内的器件连接指体一一对应，老化板金手指组(3)嵌置在金手指插槽(11)内后，老化板金手指组(3)内的器件连接指体通过转接板体(9)能与转接板金手指组(10)内相应的转接连接指体适配连接，以通过转接板金手指组(10)内的转接连接指体与器件连接指体(6)配合能满足对测试工位上测试器件的测试连接需要。2.根据权利要求1所述的老化寿命试验用老化板装置，其特征是：测试工位上的测试器件为NMOSFET且对测试器件进行HTRB试验时，器件连接指体(6)包括NMOSFET栅极连接指体、NMOSFET漏极连接指体以及NMOSFET源极连接指体，所述转接板体(9)为HTRB转接板(12)，转接连接指体包括设置于HTRB转接板(12)端部的HTRB转接连接指体(13)，HTRB转接连接指体(13)包括N-HTRB栅极连接指体、N-HTRB漏极连接指体以及N-HTRB源极连接指体；在HTRB转接板(12)内设置板体N-HTRB连接线组，通过板体N-HTRB连接线组能使得NMOSFET栅极连接指体、NMOSFET源极连接指体均与N-HTRB源极连接指体电连接，NMOSFET漏极连接指体与N-HTRB漏极连接指体电连接。3.根据权利要求1所述的老化寿命试验用老化板装置，其特征是：测试工位上的测试器件为NMOSFET且对测试器件进行HTGB试验时，器件连接指体(6)包括NMOSFET栅极连接指体、NMOSFET漏极连接指体以及NMOSFET源极连接指体，所述转接板体(9)为HTGB转接板(14)，转接连接指体包括设置于HTGB转接板(14)端部的HTGB转接连接指体(15)，HTGB转接连接指体(15)包括N-HTGB栅极连接指体、N-HTGB漏极连接指体以及N-HTGB源极连接指体；在HTGB转接板(14)内设置板体N-HTGB连接线组，通过板体N-HTGB连接线...
【专利技术属性】
技术研发人员：田昱，张文亮，孙浩强，李文江，朱阳军，
申请(专利权)人：山东阅芯电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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