【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及保护电路领域，尤其涉及一种用于功率半导体动态测试的过流保护结构。
技术介绍
1、在功率半导体动态测试中，确保测试过程的安全性和准确性至关重要。然而，现有的过流保护技术存在一些缺陷，这些缺陷可能导致测试系统无法有效保护被测模块和测试设备，甚至可能造成严重损失。现有的过流保护技术主要基于功率半导体自身的退饱和特性，即当被测模块发生短路时，其饱和电压会迅速上升。通过监测饱和电压的变化，可以间接计算出等效电流。然而，这种方法存在几个问题：为了计算电流，需要预先知道被测模块的压降-电流曲线，在实际生产中，获取这一曲线可能非常困难，因为它依赖于特定的测试条件和被测模块的特性，这些条件在生产过程中可能难以复现；当电流变化率较大时，母线上的杂散电感会对电压采样产生影响，进而导致电流计算的误差，这种误差可能会掩盖真实的过流情况，使得保护机制无法及时响应；为了滤除中高频噪声，饱和电压采样电路中通常会设计一个带宽较低的低通滤波器，这种设计虽然可以减少噪声干扰，但也降低了系统的响应速度，使得过流保护无法迅速切断主回路，从而无法有效保护被测模块和测
【技术保护点】
1.一种用于功率半导体动态测试的过流保护结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述一种用于功率半导体动态测试的过流保护结构，其特征在于，所述调理模块包括第一滤波电路、第二滤波电路、第三滤波电路、放大电路、上界比较器、下界比较器、第一防反二极管、第二防反二极管、光信号驱动器和发光二极管；
3.根据权利要求1所述一种用于功率半导体动态测试的过流保护结构，其特征在于，所述驱动模块包括第一光电探测器、第二光电探测器、与门、与非门、上驱动器和下驱动器；
4.根据权利要求3所述一种用于功率半导体动态测试的过流保护结构，其特征在于，所述上驱...
【技术特征摘要】
1.一种用于功率半导体动态测试的过流保护结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述一种用于功率半导体动态测试的过流保护结构，其特征在于，所述调理模块包括第一滤波电路、第二滤波电路、第三滤波电路、放大电路、上界比较器、下界比较器、第一防反二极管、第二防反二极管、光信号驱动器和发光二极管；
3.根据权利要求1所述一种用于功率半导体动态测试的过流保护结构，其特征在于，所述驱动模块包括第一光电探测器、第二光电探测器、与门、与非门、上驱动器和下驱动器；
4.根据权利要求3所述一种用于功率半导体动态测试的过流保护结构，其特征在于，所述上驱动器...
【专利技术属性】
技术研发人员：闫晗，郭斌，吴佳俊，赵兴旺，方辉煌，
申请(专利权)人：杭州沃镭智能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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