适用于液晶显示装置的有源陈列基板及其制造方法制造方法及图纸

一种液晶显示装置的有源阵列基板，包括：具有栅极线、源极线、栅极焊点和源极焊点的透明基板；覆盖在上述透明基板上的一光固性低介电常数保护层；以及位于光固性低介电常数保护层上的像素电极。其中透明基板上具有多条横向栅极线、多条纵向源极线、和多个薄膜晶体管配置于栅极线和源极线交会处附近，且每一薄膜晶体管控制每一相对应的像素区，其中栅极焊点位于栅极线的末端，源极焊点位于源极线的末端。薄膜晶体管包括连接至像素区的漏极电极、连接至源极线的源极电极、和连接至栅极线的栅极电极。光固性低介电常数保护层中具有仅露出漏极电极表面的接触孔开口，且保护源极焊点和栅极焊点。而像素电极定义每一像素区，且延伸于源极线和栅极线上。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶显示装置(liquid crystal display，LCD)及其制造方法，特别涉及一种具有高像素孔径比(pixel aperture ratio)的薄膜晶体管液晶显示装置(thin film transistor LCD，TFT LCD)及其制造方法。
技术介绍
图1显示液晶显示装置的有源阵列基板(active matrix substrate)的剖面图，图中标号A表示TFT区，标号B表示栅极焊点区，标号C表示源极焊点区。接合焊点区由栅极焊点区B和源极焊点区C所构成。在玻璃基板11上形成第一层金属层，经光刻蚀刻后成栅极线(gateline)13、栅极电极(gate electrode)13a、栅极焊点(gate pad)13b和源极焊点(source pad)13c。栅极电极13a形成于像素区的一角。其中栅极线13连接栅极电极13a，而栅极焊点13b位于栅极线13的末端。在具有栅极电极13a、栅极线13和栅极焊点13b的玻璃基板11上形成一层栅极绝缘层15。在TFT区的栅极绝缘层15上形成半导体层17和掺杂的半导体层19。接着在栅极绝缘层15中形成接触孔开口，以暴露出栅极焊点13b和源极焊点13c的表面。在具有掺杂的半导体层19的玻璃基板11上形成第二层金属层，经光刻蚀刻后成源极电极23S、漏极电极23D、源极线(source line)23、栅极焊点23b和源极焊点23c。源极线23连接源极电极23，且源极电极23S接触半导体层17以及掺杂的半导体层19的一端，漏极电极23D接触另一端。源极焊点23c位于源极线23的末端，且与源极焊点13c的表面接触。栅极焊点23b与栅极焊点13b的表面接触。在具有源极线23的玻璃基板11上形成一层氮化硅保护层25，将其构图而在其中形成接触孔开口，以暴露出欲进行电接触的漏极电极23D、栅极焊点23b和源极焊点23c的表面。为了提高像素孔径比，有人提出在形成像素电极之前，先于氮化硅保护层25表面覆盖一层厚度较厚的覆盖层(over coating)27，以避免像素电极和其下方的导电材料有电容效应，而得以扩大像素电极的覆盖面积。接着将此覆盖层27构图而于其中形成接触孔开口，以暴露出欲进行电接触的漏极电极23D的表面，另外，因覆盖层27的材料为丙烯酸(acrylic)，其与氮化硅保护层25的附着力不佳，因此必须将栅极焊点区B和源极焊点区C完全露出。藉此避免在栅极焊点(13b和23b)和/或源极焊点(13c和23c)需要重做(rework)时，在刮除的过程中，不易影响到内部组件。但是，这样的设计反而增加工艺的复杂度。之后于覆盖层27表面形成透明电极，并将其构图，使其成为像素电极29，即完成有源阵列基板，可继续进行与上基板和液晶进行组装。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种具高像素孔径比且工艺简单的有源阵列基板，并降低接合焊点区重做时的困难度。因此，本专利技术提供一种液晶显示装置的有源阵列基板，包括具有栅极线、源极线、栅极焊点和源极焊点的透明基板；覆盖于上述透明基板上的一光固性低介电常数保护层；以及位于光固性低介电常数保护层上的像素电极。其中透明基板上具有多条横向栅极线、多条纵向源极线、和多个薄膜晶体管配置于栅极线和源极线交会处附近，且每一薄膜晶体管控制每一相对应的像素区，其中栅极焊点位于栅极线的末端，源极焊点位于源极线的末端。薄膜晶体管包括连接至像素区的漏极电极、连接至源极线的源极电极、和连接至栅极线的栅极电极。此光固性低介电常数保护层中具有仅暴露出漏极电极表面的接触孔开口，且保护源极焊点和栅极焊点。而像素电极定义每一像素区，且延伸于源极线和栅极线上。本专利技术提供一种上述液晶显示装置的有源阵列基板的制造方法，其方法简述如下。提供一透明基板，其上具有栅极线、源极线、配置于栅极线和源极线交会处附近之薄膜晶体管、位于栅极线末端的栅极焊点、位于源极线末端的源极焊点。其中，每一薄膜晶体管控制每一相对应的像素区，而薄膜晶体管包括连接至像素区的漏极电极、连接至源极线的源极电极、和连接至栅极线的栅极电极。接着在具有源极线、源极焊点、栅极线和栅极焊点的透明基板上涂布一层光固性低介电常数保护层。将光固性低介电常数保护层曝光显影，使其硬化，以保护源极焊点和栅极焊点，并于其中形成仅暴露出漏极电极的表面的接触孔开口。最后在光固性低介电常数保护层上形成像素电极，其中每一像素电极定义每一像素区，且延伸于源极线和栅极线上，这些像素电极并经由接触孔开口连接至每一相对应的漏极电极。附图说明为让本专利技术的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举一优选实施例，并配合附图，作详细说明如下图1是显示传统液晶显示装置的有源阵列基板的TFT区(标号A)、栅极焊点区(标号B)和源极焊点区(标号C)的剖面图；图2是表示本专利技术一实施例的包括有源阵列基板的液晶显示装置的电路图；以及图3A至图3C显示本专利技术一实施例的液晶显示装置的有源阵列基板的制造方法。附图中的附图标记说明如下玻璃基板11 栅极线13、113栅极电极13a、113a 栅极绝缘层15、115半导体层17、117掺杂的半导体层19、119源极线23、123 源极电极23S、123S漏极电极23D、123D 保护层25覆盖层27 像素电极29、139低介电常数保护层135接触孔开口136栅极焊点13b、23b、113b、123b源极焊点13c、23c、113c、123c 具体实施例方式本专利技术提供一种高像素孔径比且降低接合焊点区重做时的困难度的有源阵列基板。其包括具有栅极线、源极线、栅极焊点和源极焊点的透明基板；覆盖于上述透明基板上的一光固性低介电常数保护层；以及位于光固性低介电常数保护层上的像素电极。其中，光固性低介电常数保护层中具有仅暴露出漏极电极表面的接触孔开口，且保护源极焊点和栅极焊点。由于光固性低介电常数保护层具有相当的厚度足以避免像素电极与其下方的导电材料的电容效应，因此像素电极可以延伸至源极线和栅极线上。在上述透明基板上栅极线横向排列，且末端配置栅极焊点，而源极线纵向排列，且末端配置源极焊点。用以控制像素区的薄膜晶体管配置于栅极线和源极线交会处附近，即像素区的一角落。薄膜晶体管包括连接至像素区的漏极电极、连接至源极线的源极电极、和连接至栅极线的栅极电极。以下实施例详细描述了此有源阵列基板的结构及制造方法。图2表示本专利技术一实施例的包括有源阵列基板的液晶显示装置的电路图。图3A至图3C显示本专利技术一实施例的液晶显示装置的有源阵列基板的制造方法，其中标号A表示TFT区，标号B表示栅极焊点区，标号C表示源极焊点区，接合焊点区由栅极焊点区B和源极焊点区C所构成。请同时参照图2和图3A，首先提供一透明基板111，例如是玻璃基板，在透明基板111上形成第一层金属层，其材料例如是铝或铝合金，经光刻蚀刻后成栅极线113、栅极电极113a、栅极焊点113b和源极焊点113c。栅极电极113a形成于像素区的一角。其中栅极线113连接栅极电极113a，而栅极焊点113b位于栅极线113的末端。在具有栅极电极113a、栅极线113和栅极焊点113b的玻璃基板111上形成一层栅极绝缘层115，其材料例如为氮化硅或氧化硅。在TFT区(A)的栅极绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示装置，适用于液晶显示装置的有源阵列基板，该装置包括： 一透明基板，其上具有多条横向栅极线、多条纵向源极线、和多个薄膜晶体管配置于该些栅极线和该些源极线交会处附近，且每一薄膜晶体管控制每一相对应的像素区，该些薄膜晶体管包括连接至该些像素区的多个漏极电极、连接至该些源极线的多个源极电极、和连接至该些栅极线的多个栅极电极，其中该些栅极线的末端具有多个相对应的栅极焊点，该些源极线的末端具有多个相对应的源极焊点； 一光固性低介电常数保护层覆盖于具有该些源极线、该些源极焊点、该些栅极线和该些栅极焊点的该透明基板上，且保护该些源极焊点和该些栅极焊点，该低介电常数保护层中具有多个接触孔开口仅暴露出该些漏极电极的表面；以及 多个像素电极位于该光固性低介电常数保护层上，其中每一像素电极定义每一像素区，且经由该些接触孔开口连接至每一相对应的漏极电极，该些像素电极延伸于该些源极线和该些栅极线上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：来汉中，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]