本发明专利技术提供一种液晶显示装置用基板和使用它的液晶显示装置。其结构是：将在分别形成在多个像素区域中的像素电极和驱动该像素电极的ＴＦＴ（２）之间形成的钝化膜（１４）设置成ＳｉＮ膜（１４ａ、１４ｂ）、ＳｉＯ层（１４ｃ）的层叠构造，使其最上层为ＳｉＯ层（１４ｃ）。在这样的层叠构造的钝化膜（１４）上形成树脂ＣＦ层（１５）。树脂ＣＦ层（１５）通过被直接形成在ＳｉＯ层（１４ｃ）上，可抑制结合力的下降，在形成树脂ＣＦ层（１５）时不容易发生ＣＦ的剥离，在对树脂ＣＦ层（１５）形成接触孔时，不容易产生ＣＦ的残渣。由此，实现抑制导通不良，显示特性优异的可靠性高的ＴＦＴ基板（１）。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示装置用基板和使用它的液晶显示装置，特别是涉及在形成薄膜晶体管等开关元件的阵列基板一侧形成滤色器的液晶显示装置用基板和使用这样的液晶显示装置用基板的液晶显示装置。
技术介绍
以往，作为把薄膜晶体管(Thin Film Transistor；TFT)作为开关元件使用的有源矩阵型液晶显示装置(Liquid Crystal Display；LCD)，提出了反参差型TFT-LCD等(例如参照专利文献1)。近年，为了实现宽开口率，也提出使用在形成TFT等开关元件的阵列基板一侧形成滤色器(Color Filter；CF)的CF-on-TFT构造的LCD用基板的LCD(例如参照专利文献2)。在这样的CF-on-TFT构造的LCD用基板上，通常在除了与像素电极的接触部分的TFT上形成由无机绝缘材料构成的钝化膜。图13是以往的CF-on-TFT构造的LCD用基板的1个像素区域的一例的俯视图，图14是图13的B-B剖视图。在TFT基板100上，在透明绝缘性基板101上形成栅极总线(GB)102。在其上全面形成绝缘膜103，隔着绝缘膜103与栅极总线102交叉形成漏极总线(DB)104。由栅极总线102和漏极总线104划分的区域成为像素区域。而且，在栅极总线102和漏极总线104的交叉位置附近形成TFT105。TFT105具有由上部金属层106a和电阻接触层107a构成的漏极108，其端部位于形成在栅极总线102上方的沟道保护膜109上的端部。上部金属层106b和电阻接触层107b构成的源极110与漏极108同样，形成在沟道保护膜109的另一端侧。在绝缘膜103和沟道保护膜109之间形成工作半导体层111，工作半导体层111与电阻接触层107a、107b连接。在这样结构的TFT105中，沟道保护膜109正下方的栅极总线102区域作为栅极起作用，位于其间的区域中的绝缘膜103作为栅绝缘膜起作用。在TFT105的上层形成氮化硅层(Si3NX；以下称作“SiN”)的钝化膜112，隔着钝化膜112在像素区域内形成树脂CF层113。在树脂CF层113上形成保护(OC)层114，在OC层114上把透明氧化电极膜构图，形成像素电极115。像素电极115通过贯穿OC层114和钝化膜112的接触孔116a与源极110连接。同样，像素电极115通过接触孔116b连接在隔着绝缘膜103形成在存储电容总线(CB)117上的存储电容电极118上。这样，在以往的CF-on-TFT构造的TFT基板上，在TFT105和树脂CF层113之间形成SiN的钝化膜112。由于在树脂CF层113中例如作为色成分而使用了分散了颜料的树脂，所以通过形成钝化膜112，可防止颜料的无机成分向工作半导体层111等扩散。可是，如果在TFT的上层隔着SiN的钝化膜形成树脂CF层，则由于SiN表面的羟基(OH基)的状态随时间变化，使钝化膜与树脂CF层的结合力下降，在形成树脂CF层时，CF从SiN表面剥离，或在形成到达TFT的接触孔时，树脂CF层的蚀刻残渣残留在接触孔内。由于这样的CF残渣或剥离，发生色纯度不良等问题，此外，由于在接触孔内成膜的像素电极材料的图案不良，有时也发生像素电极与TFT未能构成接触的问题。特开平6-202153号公报特开平10-39292号公报
技术实现思路
本专利技术是鉴于这样的问题而提出的，其目的在于提供一种不会形成CF的残渣或剥离，不会发生导通不良的CF-on-TFT构造的LCD用基板和使用这样的LCD用基板的LCD。在本专利技术中，为了解决所述问题，提供了一种能由图1所示的结构实现的LCD用基板。本专利技术的LCD用基板具有在分别形成在多个像素区域中的像素电极和驱动所述像素电极的开关元件之间形成的钝化膜、形成在所述钝化膜上的CF层，其特征在于所述钝化膜具有SiN层和氧化硅层(SiOX；以下称作“SiO”)或氧氮化硅层(SiOXNY；以下称作“SiON”)的层叠构造，挨着所述CF层形成所述SiO层或所述SiON层。作为LCD用基板，根据图1所示的结构的TFT基板1，形成在像素电极18和开关元件TFT2之间的钝化膜14具有SiN层14a、14b、SiO层14c的层叠构造。其中，SiO层14c形成在最上层，挨着形成在上层的树脂CF层15。由于SiO层14c的表面状态随时间的变化小，稳定，所以即使在其上形成树脂CF层15，也不容易发生CF的剥离，此外，即使蚀刻树脂CF层15，也不容易产生CF的残渣。代替SiO层14c使用SiON层，也是同样。此外，在本专利技术中，提供一种LCD，包含具有在分别形成在多个像素区域中的像素电极和驱动所述像素电极的开关元件之间形成的钝化膜、形成在所述钝化膜上的CF层的LCD用基板；与所述LCD用基板相对配置的对置基板；夹在所述LCD用基板和所述对置基板之间的液晶层；其特征在于所述LCD用基板中，所述钝化膜具有SiN层和SiO层或SiON层的层叠构造，挨着所述CF层形成所述SiO层或所述SiON层。根据这样的LCD，在LCD用基板中不容易产生CF的残渣或剥离，所以抑制了导通不良的发生，使用它制造的LCD，可提高显示特性和可靠性。在本专利技术中，形成在LCD用基板的像素电极和开关元件之间的钝化膜为SiN层和SiO层或SiON层的层叠构造，CF层挨着SiO层或SiON层。由此，抑制CF的残渣或剥离的发生，能抑制导通不良的发生，能实现显示特性优异的可靠性高的LCD用基板和LCD。通过控制SiO层或SiON层的膜厚、SiN层的内部构造，能使形成在钝化膜上的接触孔为截面顺锥形，能实现不会发生导通不良的高性能的LCD用基板和LCD。附图说明图1是表示本专利技术实施形态1的TFT基板的TFT部分的主要部分剖视图。图2是表示本专利技术实施形态1的TFT基板的1个像素区域的俯视图。图3是GB形成工序的说明图。图4是绝缘膜形成工序的说明图。图5是沟道保护膜形成工序的说明图。图6是电阻层和金属层形成工序的说明图。图7是电极和工作半导体层形成工序的说明图。图8是钝化膜形成工序的说明图。图9是CF层形成工序的说明图。图10是OC层形成工序的说明图。图11是像素电极连接用接触孔的形成工序的说明图。图12是像素电极形成工序的说明图。图13是表示以往的CF-on-TFT构造的LCD用基板的1个像素区域一例的俯视图。图14是图13的B-B剖视图。图15是表示成为本专利技术实施形态2的前提的以往的液晶显示装置用基板结构的图。图16是表示本专利技术实施形态2的实施例2-1的液晶显示装置用基板结构的图。图17是表示本专利技术实施形态2的实施例2-1的液晶显示装置用基板结构的剖视图。图18是表示本专利技术实施形态2的实施例2-1的液晶显示装置用基板的制造方法的工序剖视图。图19是表示本专利技术实施形态2的实施例2-1的液晶显示装置用基板的制造方法的工序剖视图。图20是表示本专利技术实施形态2的实施例2-1的液晶显示装置用基板的制造方法的工序剖视图。图21是表示本专利技术实施形态2的实施例2-1的液晶显示装置用基板的制造方法的工序剖视图。图22是表示本专利技术实施形态2的实施例2-2的液晶显示装置用基板结构的图。图23是表示本专利技术实施形态2的实施例2-2的液晶显示装置用基板结构的剖视图。图24是表示本专利技术本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种液晶显示装置用基板，具有在分别形成在多个像素区域中的像素电极和驱动所述像素电极的开关元件之间形成的钝化膜、形成在所述钝化膜上的滤色层，其特征在于， 所述钝化膜具有氮化硅层和氧化硅层或氧氮化硅层的层叠构造，挨着所述滤色层形成所述氧化硅层或所述氧氮化硅层。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：泽崎学，田野濑友则，美崎克纪，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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