一种射频滤波器制造技术

技术编号:27175244 阅读:37 留言:0更新日期:2021-01-31 00:05
本实用新型专利技术提供一种射频滤波器,射频滤波器包括:衬底、上电极层、下电极层、加热层和氮化镓层;所述衬底包括通孔区;所述下电极层设置于所述衬底的一侧;所述加热层设置于所述衬底远离所述下电极层的一侧,所述下电极层和所述加热层在所述通孔区相接触;所述氮化镓层设置于所述加热层远离所述衬底的一侧;所述上电极层设置于所述氮化镓层远离所述衬底的一侧。本实用新型专利技术提供的射频滤波器的工作性能不受环境温度的影响,可以在超低温度下正常工作。可以在超低温度下正常工作。可以在超低温度下正常工作。

【技术实现步骤摘要】
一种射频滤波器


[0001]本技术涉及通信器件
,尤其涉及一种射频滤波器。

技术介绍

[0002]体声波(BAW,Bulk Acoustic Wave)射频滤波器在通信领域有着重要的作用,相比于传统的滤波器,体声波射频滤波器具有低损耗和高隔离的特性。
[0003]然而,BAW射频滤波器在超低温度下频率温度系数会增大,BAW射频滤波器的频率随温度变化而发生变化,最终会导致BAW射频滤波器不能正常工作。

技术实现思路

[0004]本技术提供了一种射频滤波器,本技术提供的射频滤波器的工作性能不受环境温度的影响,可以在超低温度下正常工作。
[0005]本技术提供一种射频滤波器,包括:衬底、上电极层、下电极层、加热层和氮化镓层;所述衬底包括通孔区;所述下电极层设置于所述衬底的一侧;
[0006]所述加热层设置于所述衬底远离所述下电极层的一侧,所述下电极层和所述加热层在所述通孔区相接触;所述氮化镓层设置于所述加热层远离所述衬底的一侧;所述上电极层设置于所述氮化镓层远离所述衬底的一侧。
[0007]可选的,本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频滤波器,其特征在于,包括:衬底、上电极层、下电极层、加热层和氮化镓层;所述衬底包括通孔区;所述下电极层设置于所述衬底的一侧;所述加热层设置于所述衬底远离所述下电极层的一侧,所述下电极层和所述加热层在所述通孔区相接触;所述氮化镓层设置于所述加热层远离所述衬底的一侧;所述上电极层设置于所述氮化镓层远离所述衬底的一侧。2.根据权利要求1所述的射频滤波器,其特征在于,还包括:第一加热电极和第二加热电极;所...

【专利技术属性】
技术研发人员:缪建民张金姣
申请(专利权)人:迈感微电子上海有限公司
类型:新型
国别省市:

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