一种减小倒装LED板PAD上幅间距的制备方法技术

本发明专利技术属于线路板加工技术领域，提供一种减小倒装LED板PAD上幅间距的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：内层

【技术实现步骤摘要】
一种减小倒装LED板PAD上幅间距的制备方法


[0001]本专利技术属于线路板加工
，具体涉及一种减小倒装LED板PAD上幅间距的制备方法。

技术介绍

[0002]LED 倒装COB芯片的两个元器件间距为50um，对LED板PAD上幅间距有要求，越小越好。现阶段LED板化金后PAD上幅间距控制在50-60um，对应的蚀刻后PAD上幅间距在40-50um，PAD下幅间距在30-40um，属于HDI厂减成法的极限能力。
[0003]LED 倒装COB芯片的两个元器件间距为50um，LED成品板灯面PAD上幅间距在50um以上，COB芯片焊接到PAD后，焊脚会超出PAD边缘，焊接的可靠性，芯片散热性未达到最优的状态。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提供一种减小倒装LED板PAD上幅间距的制备方法。本专利技术可增加LED COB芯片焊接的可靠性，使得芯片散热性更好。
[0005]本专利技术的技术方案为：一种减小倒装LED板PAD上幅间距的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：内层
→
压合
→
钻孔
→
电镀
→
线路
→
陶瓷磨板
→
不织布抛光
→
AOI
→
防焊
→
化金
→
成型
→
测试
→
成品检验
→
包装。
[0006]本专利技术的创新点在于：在蚀刻后增加陶瓷刷磨+不织布抛光（只磨面），由于PAD截面成梯形状，PAD铜厚往下磨后，PAD表面尺寸变大，相应PAD上幅间距变小。
[0007]进一步的，所述PAD的水平截面为等腰梯形。
[0008]进一步的，所述陶瓷磨板工艺，将PAD上幅沿其垂直高度打磨1/3-2/3。
[0009]进一步的，所述陶瓷磨板工艺，将PAD上幅沿其垂直高度打磨1/2。
[0010]进一步的，所述陶瓷磨板工艺，将PAD上的铜厚进行打磨。
[0011]进一步的，所述陶瓷磨板工艺，打磨后PAD上幅间距相对于原来减小1/3-2/3。
[0012]进一步的，所述陶瓷磨板工艺，打磨后PAD上幅间距为40-50um。
[0013]进一步的，所述不织布抛光工艺，将PAD上表面的铜厚进行抛光处理。
[0014]进一步的，所述内层工艺中，在所述PCB基板的一面印制所述内层线路。
[0015]进一步的，所述压合工艺中，将所述PCB基板与所述绝缘薄片压合组合成PCB板，且印制有所述内层线路的一面朝向所述绝缘薄片；所述PCB板包括双层结构或三层结构。
[0016]进一步的，双层结构包括相互压合的一块所述PCB基板及一块所述绝缘薄片；三层结构包括一块所述绝缘薄片及分别压合于所述绝缘薄片两侧的两块所述PCB基板。
[0017]进一步的，所述钻孔工艺中，根据所述孔位图案钻出相应孔径的盲孔，在至少两块双层结构的所述PCB板打出不同孔径的所述盲孔、或在至少一块三层结构的所述PCB板的两面打出不同孔径的所述盲孔。
[0018]进一步的，所述电镀工艺中，将所述盲孔的孔壁上的所述薄铜加厚。
[0019]进一步的，所述外层线路工艺中，在所述PCB基板远离所述绝缘薄片的一侧面印制所述外层线路，所述外层线路及所述内层线路将所有所述盲孔串联、构成线路。
[0020]现有技术中，PCB PAD上幅间距在50um以上，而LED倒装芯片的两个元器件的间距为50um，COB芯片焊接到PAD后，焊脚会超出PAD边缘，焊接的紧密性，芯片散热性没有达到最优的状态。
[0021]通过本专利技术方法，将PAD上幅间距做到更小，可有效增加COB芯片焊接的可靠性以及芯片散热性。
附图说明
[0022]图1为本专利技术方法陶瓷磨板前PAD上幅间距的结构示意图；图2为本专利技术方法陶瓷磨板后PAD上幅间距的结构示意图。
具体实施方式
[0023]为使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施方式，对本专利技术进行进一步的详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用以解释本专利技术，并不限定本专利技术的保护范围。
[0024]实施例1一种减小倒装LED板PAD上幅间距的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：内层
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压合
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钻孔
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电镀
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线路
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陶瓷磨板
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不织布抛光
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AOI
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防焊
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化金
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成型
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测试
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成品检验
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包装。
[0025]本专利技术的创新点在于：在蚀刻后增加陶瓷刷磨+不织布抛光（只磨面），由于PAD截面成梯形状，PAD铜厚往下磨后，PAD表面尺寸变大，相应PAD上幅间距变小。
[0026]进一步的，所述PAD的水平截面为等腰梯形。
[0027]进一步的，所述陶瓷磨板工艺，将PAD上幅沿其垂直高度打磨1/3。
[0028]进一步的，所述陶瓷磨板工艺，将PAD上的铜厚进行打磨。
[0029]进一步的，所述陶瓷磨板工艺，打磨后PAD上幅间距相对于原来减小1/3。
[0030]进一步的，所述陶瓷磨板工艺，打磨后PAD上幅间距为50um。
[0031]进一步的，所述不织布抛光工艺，将PAD上表面的铜厚进行抛光处理。
[0032]进一步的，所述内层工艺中，在所述PCB基板的一面印制所述内层线路。
[0033]进一步的，所述压合工艺中，将所述PCB基板与所述绝缘薄片压合组合成PCB板，且印制有所述内层线路的一面朝向所述绝缘薄片；所述PCB板包括双层结构。
[0034]进一步的，双层结构包括相互压合的一块所述PCB基板及一块所述绝缘薄片。
[0035]进一步的，所述钻孔工艺中，根据所述孔位图案钻出相应孔径的盲孔，在至少两块双层结构的所述PCB板打出不同孔径的所述盲孔。
[0036]进一步的，所述电镀工艺中，将所述盲孔的孔壁上的所述薄铜加厚。
[0037]进一步的，所述外层线路工艺中，在所述PCB基板远离所述绝缘薄片的一侧面印制所述外层线路，所述外层线路及所述内层线路将所有所述盲孔串联、构成线路。
[0038]现有技术中，PCB PAD上幅间距在50um以上，而LED倒装芯片的两个元器件的间距
为50um，COB芯片焊接到PAD后，焊脚会超出PAD边缘，焊接的紧密性，芯片散热性没有达到最优的状态。
[0039]通过本专利技术方法，将PAD上幅间距做到更小，可有效增加COB芯片焊接的可靠性以及芯片散热性。
[0040]实施例2一种减小倒装LED板PAD上幅间距的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：内层
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压合
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种减小倒装LED板PAD上幅间距的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：内层
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压合
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钻孔
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电镀
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线路
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陶瓷磨板
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不织布抛光
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AOI
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防焊
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化金
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成型
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测试
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成品检验
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包装。2.根据权利要求1所述的减小倒装LED板PAD上幅间距的制备方法，其特征在于，所述PAD的水平截面为等腰梯形。3.根据权利要求1所述的减小倒装LED板PAD上幅间距的制备方法，其特征在于，所述陶瓷磨板工艺，将PAD上幅沿其垂直高度打磨1/3-2/3。4.根据权利要求1所述的减小倒装LED板PAD上幅间距的制备方法，其特征在于，所述陶瓷磨板工艺，将PAD上幅沿其垂直高度打磨1/2。5.根据权利要求1所述的减小倒装LED板PAD上幅间距的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：程胜伟，党晓坤，向华，杨俊，余小丰，
申请(专利权)人：惠州中京电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：