液晶显示器的制造方法技术

一种液晶显示器的制造方法。液晶显示器包括薄膜晶体管区域及像素区域，且其制造方法包括下列步骤。首先，提供一基板，门极线位于基板上。门极介电层位于门极线和基板上，主动层位于门极介电层上，掺杂层位于主动层上，并且金属层位于掺杂层上。其后，形成一光阻层覆盖部分金属层，其中在薄膜晶体管区域的光阻层至少具有两不同厚度。接下来，以光阻层为掩模，构型金属层、掺杂层及主动层，以在薄膜晶体管区域上形成一薄膜晶体管，并且在像素区域上形成一反射层，其中反射层可反射由液晶显示装置上方入射的光线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种，特别是有关反射式。
技术介绍
反射式液晶显示器(RLCD)可分为「全反射式」与「半透射式」两大类。全反射式LCD不用背光源，利用附在LCD面板上的反射板来反射外部光线，好处是极为省电，但是缺点是在较暗的场合看不到显示屏幕内容且对比度较差，因此一般会用前光源作为辅助光源。而半透射式LCD是当外部光线足够时就用外部光源，不足时可点亮背光源，是兼具省电以及具辅助光线的方式，因此是许多手机、个人数字助理(PDA)的优先选择。请参阅图1，显示已知半透射式LCD结构的一例的示意图。已知半透射式LCD的结构，包括有一下基底100，其上具有一绝缘层110；一像素区165，位于该绝缘层110上；一上基底160，相对于该下基底100；一滤色片150，位于上基底160的内侧表面上；一公共电极140，位于该滤色片150上；一液晶层130，夹于下基底100与上基底160的间，一反射层120，邻接于下基底100外侧，反射层120具有使光线部分穿透，部分反射的功能，一般为镀上数百厚度的金属例如Al，在基底100外侧的偏光板上。然而，上述已知半透射式LCD在使用时，因为环境光(即反射光)170，由于玻璃折射造成反射光与入射光不一定经过同一像素电极165，亦即有像差的问题。其解决方法为将反射电极制作在面板的下基板内侧，然而此类将反射电极制作在面板内的技术往往需要6道光掩模以上，其制程较复杂，且成本亦较高。
技术实现思路
本专利技术的一目的为提供液晶显示装置的制造方法，其可将反射层制作在面板内，以避免像差。此外，根据本专利技术实施例的液晶显示装置的制造方法，其用以制作全反射式LCD或是半反半透射式LCD的制程，仅需要4道光掩模，可达到节省成本及提高生产效率的目的。因此，根据上述的问题，本专利技术提供一。液晶显示装置包括薄膜晶体管区域及像素区域，且其制造方法包括下列步骤。首先，提供一基板，门极线位于基板上。门极介电层位于门极线和基板上，主动层(active layer)位于门极介电层上，掺杂层位于主动层上，并且金属层位于掺杂层上。其后，形成一光阻层覆盖部分金属层，其中在薄膜晶体管区域的光阻层至少具有两不同厚度。接下来，以光阻层为掩模，构型金属层、掺杂层及主动层，以在薄膜晶体管区域上形成一薄膜晶体管，并且在像素区域上形成一反射层，其中反射层可反射由液晶显示装置上方入射的光线。本专利技术提供一。液晶显示装置包括薄膜晶体管区域及像素区域，并且液晶显示装置的制造方法包括下列步骤。首先，提供一基板，门极线位于基板上。门极介电层位于门极线和基板上，主动层位于门极介电层上，掺杂层位于主动层上，并且金属层位于掺杂层上。后续，构型金属层，使金属层在薄膜晶体管区域形成源极和漏极接触，并且在同一构型步骤在至少在像素区域的部分区域上形成一反射层，其中反射层用以反射由该液晶显示装置上方入射的光线。附图说明图1是显示已知半透射式LCD结构的一例的示意图。图2A~2H为本专利技术一实施例半穿半反式液晶显示器制作方法的示意图。图3A~3F为本专利技术一实施例半穿半反式液晶显示器制作方法的示意图。图4A~4C为显示本专利技术一实施例具有凹凸结构反射层的半穿半反式液晶显示器制作方法的示意图。图5A~5F为本专利技术一实施例全反射式液晶显示器制作方法的示意图。符号说明100~下基底； 110~绝缘层；120~反射层； 130~液晶层；140~公共电极；150~滤色片；160~上基底； 170~外部光(反射光)；168~像素电极；200~基板；202~门极线； 204~储存电容；206~门极介电层； 208~主动层；210~掺杂层； 212~第二金属层；214~第一光阻层； 216~第一区域；218~第二区域；220~第三区域；222~第四区域；224~薄膜晶体管区域；226~像素区域；228~保护层；230~开口；232~像素电极；300~基板；302~门极线；304~储存电容线； 306~门极介电层；308~主动层； 310~掺杂层；312~第二金属层； 314~第一光阻层；315~第一光阻层； 316~第一区域；317~凹面底部； 318~第二区域；320~第三区域； 322~第四区域；324~薄膜晶体管区域； 326~像素区域；328~保护层； 330~像素电极；500~基板； 502~门极线；504~储存电容线； 506~门极介电层；508~主动层； 510~掺杂层；512~第二金属层； 514~第一光阻层；516~沟道； 518~源/漏极区域；520~薄膜晶体管区域； 522~像素区域；524~保护层； 526~像素电极。具体实施方式图2A~2H为本专利技术一实施例半穿半反式液晶显示器制作方法的示意图。其中由于金属层的厚度与透光率有关，因此当金属层的厚度达到数千埃时，相当于一反射层，反之，当金属层的厚度足够薄时，则该金属层可以形成部份穿透、部份反射的半穿半反层，以下的本专利技术实施例中，即以控制金属层的厚度来制作反射层、穿透层、及半穿半反层。请参照图2A，首先提供一基板，例如玻璃基板、低碱玻璃基板或无碱玻璃基板，但本专利技术不限于此。其后，以一沉积方法形成一第一金属层(未图示)于基板200上。此第一金属层可以为单一金属层，例如Al或Mo，或是合金例如AlNd。此外，第一金属层亦可以为双层或是多层的金属层，例如Ti/Al、TiN/Al、Mo/Al或Ti/AlNd。较佳者，第一金属层系为Ti/Al/TiN的堆栈层。上述的沉积方法可以为例如化学气相沉积法CVD或是物理气相沉积法CVD，但本专利技术不限于此。之后，通过已知的光刻和蚀刻技术构型第一金属层，以在基板200上形成门极线202和储存电容204。接下来，如图2B所示，以一沉积方法，在基板200、门极线202及储存电容204上依序形成门极介电层206、主动层208、掺杂层210和第二金属层212。上述的沉积方法可包括任何已知或新颖的沉积技术，例如化学气相沉积法CVD、物理气相沉积法PECVD或原子层沉积法ALD，但本专利技术不限于此。门极介电层206可以为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅、或其组合，或是堆栈层。主动层208可以为半导体层，例如硅或锗，于此处，以掺杂氢离子的非晶硅层为例。掺杂层210可以为掺杂的半导体层，例如掺杂磷的n型非晶硅或掺杂砷的n型非晶硅，其用以降低第二金属层212和主动层208的接触电阻。第二金属层212可以为单一金属层，例如Al或Mo，或是合金例如AlNd。此外，第二金属层212亦可以为双层或是多层的金属层，例如Ti/Al、TiN/Al、Mo/Al或Ti/AlNd。较佳者，第二金属层212系为Ti/Al的堆栈层。接下来，如图2C所示，涂布一光阻层于第二金属层212上。之后，采用半色调(Halftone)曝光制程，以使在显影之后，在第二金属层212上形成不同厚度的第一光阻层214。在本实施例中，液晶显示组件包括一薄膜晶体管区域224及一像素区域226，而薄膜晶体管区域224包括第一区域216和第二区域218，像素区域226包括第三区域220和第四区域222。薄膜晶体管区域224的第一区域可为一沟道216。第二区域可为一源/漏极区域218。第三区域220可为一接触区域。第四区域222可为一反本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示器的制造方法，包括下列步骤：提供一基板，其定义有一薄膜晶体管区域及一像素区域；依序形成一门极线、一门极介电层、一主动层及一掺杂层于该基板上；在该掺杂层表面形成一金属层；在该薄膜晶体管区域定义该金属 层、掺杂层及主动层以形成一薄膜晶体管；及在该像素区域定义该金属层以形成一具有一第一厚度的第一金属部及一具有第二厚度的第二金属部，该第一金属部作为接触区，其中该第一厚度厚于该第二厚度，且该第二金属部的第二厚度大小足以使入射的光线部份穿 透且部份反射，而在该像素区域形成一半穿半反区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邱俊昌，徐文义，李冠仪，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]