清洁装置以及晶圆处理设备以及晶圆载台的清洁方法制造方法及图纸

该发明专利技术涉及一种清洁装置以及晶圆处理设备以及晶圆载台的清洁方法，其中所述清洁装置，内置有气体腔，用于存储清洁气体，且所述清洁装置表面设置有气孔，与所述气体腔连通，用于供所述气体腔内存储的清洁气体喷出，且所述气孔设置有开关，用以在所述气体腔和外界的压差大于一第一预设阈值时打开。所述清洁装置以及晶圆处理设备以及晶圆载台的清洁方法具有所述气体腔和所述气孔，以及具有开关，只有在所述气体腔和外界的压差大于一第一预设阈值时打开，因此保证了所述清洁装置在喷出清洁气体时有一定的清洁力度，从而保证了清洁效果。

【技术实现步骤摘要】
清洁装置以及晶圆处理设备以及晶圆载台的清洁方法
本专利技术涉及半导体生产领域，具体涉及一种清洁装置以及晶圆处理设备以及晶圆载台的清洁方法。
技术介绍
在晶圆生产加工的过程中，晶圆载物台(Waferstage)上经常会附着颗粒物杂质，影响晶圆生产加工的良率，且使用错误数据监测控制(FDC，Faultdetectioncontrol)或统计过程控制(SPC，statisticalprocesscontrol)对晶圆的处理过程进行监控时，获取到监控数据也会增加晶圆损失或晶圆电性测试失败的风险，导致产品报废。现有技术中，晶圆载物台通常指静电吸盘(E-chuck)。当静电吸盘表面有沾污颗粒时，会造成晶圆(wafer)良率下降。通常会使用试验片(dummywafer)来去除所述静电吸盘表面的颗粒物杂质，然而当静电吸盘背面抽真空时，试验片被吸附在静电吸盘上，如果静电吸盘表面有颗粒物，颗粒会被静电吸盘压碎，损伤静电吸盘，同时也会损伤所述试验片，在所述试验片表面造成划痕。并且，使用试验片来去除所述静电吸盘表面的颗粒物杂质时，由于试验片与静电吸盘表面的颗粒物杂质有直接的接触，因此还需要对使用过的试验片进行清洁，以防止二次污染。市面上也有一种用于吸附颗粒物杂质的晶圆，这种用于吸附颗粒物杂质的晶圆背面生长有绝缘介质层，表面带有电荷。当该用于吸附颗粒物杂质的晶圆被放在静电吸盘表面时，通过表面的电荷，就可吸附所述静电吸盘表面的颗粒，从而将所述静电吸盘表面的颗粒物杂质移除。但使用这种方式去除静电吸盘表面的颗粒物杂质时，由于所述静电吸盘表面设置有不同形状的凹槽，难以将凹槽内的颗粒物杂质也吸附干净，无法保证清洁力度。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种清洁装置以及晶圆处理设备以及晶圆载台的清洁方法，能够清除晶圆载物台表面的颗粒物杂质。为了解决上述技术问题，以下提供了一种清洁装置，内置有气体腔，用于存储清洁气体，且所述清洁装置表面设置有气孔，与所述气体腔连通，用于供所述气体腔内存储的清洁气体喷出，且所述气孔设置有开关，用以在所述气体腔和外界的压差大于一第一预设阈值时打开。可选的，所述气孔的数目至少为四个，均匀分布于所述清洁装置表面。可选的，所述开关为延时开关，且每一气孔都设置有一延时开关。可选的，还包括：标记点，设置于所述清洁装置的外表面，用于与晶圆表面设置的对准点对齐；所述气体腔设置有充气口，所述充气口为硅胶材质，外露于所述清洁装置的外表面，设置在非标记点处。可选的，所述清洁装置呈圆盘状，盘面直径与晶圆相同，厚度大于晶圆的厚度。可选的，所述清洁装置由高耐性合金材料制成，所述清洁装置表面设置有凹槽，用于在放置到晶圆载物台时供所述晶圆载物台的升降销插入，且所述凹槽的数量和位置与所述晶圆载物台的升降销的数量和位置一致。为了解决上述技术问题，以下还提供了一种晶圆处理设备，包括：反应腔室，内部设置有晶圆载物台，用于放置晶圆；所述清洁装置，用于放置到所述反应腔室内，以清洁所述反应腔室内设置的晶圆载物台。可选的，所述反应腔室内为真空环境，所述清洁装置呈圆盘状，盘面直径与晶圆相同，厚度大于晶圆的厚度。可选的，还包括：晶圆盒，尺寸与所述清洁装置的尺寸相适应，用于放置晶圆和所述清洁装置；机械手臂，设置于所述反应腔室与所述晶圆盒之间，用于在所述反应腔室和所述晶圆盒之间传输所述晶圆和清洁装置。为了解决上述技术问题，以下还提供了一种晶圆处理设备的晶圆载物台的清洁方法，包括以下步骤：将所述清洁装置放置到所述晶圆载物台；打开所述清洁装置表面的气孔，使气体腔内的清洁气体自所述气孔喷出，以清除所述晶圆载物台表面的颗粒物杂质。可选的，所述清洁装置呈圆盘状，盘面直径与晶圆相同，厚度大于晶圆的厚度，所述晶圆处理设备还包括晶圆盒，尺寸与所述清洁装置的尺寸相适应，用于放置晶圆和所述清洁装置，在将所述清洁装置放置到所述晶圆载物台之前，还包括以下步骤：将所述清洁装置放置到所述晶圆盒内。可选的，所述晶圆处理设备还包括机械手臂，设置于所述反应腔室与所述晶圆盒之间，用于在所述反应腔室和所述晶圆盒之间传输所述晶圆和清洁装置，通过机械手臂将所述清洁装置从所述晶圆盒内抓取放置到所述晶圆载物台。可选的，还包括以下步骤：将所述反应腔室被抽真空。可选的，在将所述清洁装置放置到所述晶圆载物台之前，还包括以下步骤：给所述清洁装置的气体腔充入清洁气体。所述清洁装置以及晶圆处理设备以及晶圆载台的清洁方法具有所述气体腔和所述气孔，以及具有开关，只有在所述气体腔和外界的压差大于一第一预设阈值时打开，因此保证了所述清洁装置在喷出清洁气体时有一定的清洁力度，从而保证了清洁效果。附图说明图1为本专利技术的一种具体实施方式中清洁装置的结构示意图。图2为本专利技术的一种具体实施方式中清洁装置放置在晶圆载物台时的示意图。图3为本专利技术的一种具体实施方式中清洁装置放置在晶圆载物台时的示意图。图4为本专利技术的一种具体实施方式中晶圆处理设备的晶圆载物台的清洁方法的步骤示意图。图5为本专利技术的一种具体实施方式中清洁装置的传送示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施方式对本专利技术提出的一种清洁装置以及晶圆处理设备以及晶圆载台的清洁方法作进一步详细说明。请参阅图1至图3，其中图1为本专利技术的一种具体实施方式中清洁装置的结构示意图，图2为本专利技术的一种具体实施方式中清洁装置清洁晶圆载物台时的示意图，图3为本专利技术的一种具体实施方式中清洁装置清洁晶圆载物台时的示意图。在该具体实施方式中，提供了一种清洁装置100，内置有气体腔105，用于存储清洁气体，且所述清洁装置100表面设置有气孔101，与所述气体腔105连通，用于供所述气体腔105内存储的清洁气体喷出，且所述气孔101设置有开关，用以在所述气体腔105和外界的压差大于一第一预设阈值时打开。所述清洁装置100具有气体腔105和气孔101，能使用所述气体腔105存放清洁气体，并通过气孔101将所述清洁气体释放出来。并且，由于所述气孔101设置有开关，在所述气体腔105和外界的压差大于一第一预设阈值时所述开关打开，因此，只有在所述气体腔105和外界的压差大于一定程度时，清洁气体才会自所述气体腔105内喷出，且由于清洁气体是喷出的，因此具有一定的清扫力度，保证了一定的清扫效果。在一种具体实施方式中，所述清洁装置100由高耐性合金材料制成。在一种具体实施方式中，所述高耐性合金材料包括航空航天耐高压材料等。在一种具体实施方式中，所述航空航天耐高压材料包括钛合金、钛铝合金、钛铝金属基复合材料等。在实际的使用过程中，可根据需要选择所述清洁装置100的制备材料。使用航空航天耐高压材料来制备所述清洁装置100，可以防止将所述清洁装置100放入至真空环境下使用时，清洁装置100内外压强差过大而导致所述清洁装置100发生破裂。在一种具体实施方式中，除了清洁装置100制备材料有要求，对清洁装置100的外壳本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种清洁装置，其特征在于，内置有气体腔，用于存储清洁气体，且所述清洁装置表面设置有气孔，与所述气体腔连通，用于供所述气体腔内存储的清洁气体喷出，且所述气孔设置有开关，用以在所述气体腔和外界的压差大于一第一预设阈值时打开。/n

【技术特征摘要】
1.一种清洁装置，其特征在于，内置有气体腔，用于存储清洁气体，且所述清洁装置表面设置有气孔，与所述气体腔连通，用于供所述气体腔内存储的清洁气体喷出，且所述气孔设置有开关，用以在所述气体腔和外界的压差大于一第一预设阈值时打开。


2.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述气孔的数目至少为四个，均匀分布于所述清洁装置表面。


3.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述开关为延时开关，且每一气孔都设置有一延时开关。


4.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，还包括：
标记点，设置于所述清洁装置的外表面，用于与晶圆表面设置的对准点对齐；
所述气体腔设置有充气口，所述充气口为硅胶材质，外露于所述清洁装置的外表面，设置在非标记点处。


5.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述清洁装置呈圆盘状，盘面直径与晶圆相同，厚度大于晶圆的厚度。


6.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述清洁装置由高耐性合金材料制成，所述清洁装置表面设置有凹槽，用于在放置到晶圆载物台时供所述晶圆载物台的升降销插入，且所述凹槽的数量和位置与所述晶圆载物台的升降销的数量和位置一致。


7.一种晶圆处理设备，其特征在于，包括：
反应腔室，内部设置有晶圆载物台，用于放置晶圆；
如权利要求1至6中任一项所述清洁装置，用于放置到所述反应腔室内，以清洁所述反应腔室内设置的晶圆载物台。


8.根据权利要求7所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述反应腔室内为真空环境，所述清洁装置呈圆盘状，盘面直径与晶圆相同，厚度大于晶圆的厚度。

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34