【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及制造半导体装置的方法
本公开涉及电子装置，更具体地，涉及一种半导体装置以及制造该半导体装置的方法。
技术介绍
非易失性存储器元件是即使当电源被切断时也维持所存储的数据的存储器元件。最近，随着在基板上按单层形成存储器单元的二维非易失性存储器元件的集成度达到极限，已提出了在基板上垂直地层叠存储器单元的三维非易失性存储器元件。三维非易失性存储器元件包括交替地层叠的层间绝缘层和栅电极以及穿过层间绝缘层和栅电极的沟道层，并且存储器单元沿着沟道层层叠。已开发出各种结构和制造方法以改进具有这种三维结构的非易失性存储器元件的操作可靠性。
技术实现思路
本公开的实施方式提供了一种具有稳定的结构和改进的特性的半导体装置。本公开还提供了一种制造半导体装置的方法。根据本公开的实施方式的制造半导体装置的方法可包括以下步骤：形成包括第一部分和第二部分的第一牺牲层，该第二部分的厚度比第一部分的厚度厚；在第一牺牲层上形成包括彼此交替的第一材料层和第二材料层的层叠物；形成穿过该层叠物并延伸到第一部分的沟道结构；形成穿...
【技术保护点】
1.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：/n形成第一牺牲层，该第一牺牲层包括第一部分和第二部分，所述第二部分的厚度比所述第一部分的厚度厚；/n在所述第一牺牲层上形成层叠物，该层叠物包括彼此交替的第一材料层和第二材料层；/n形成沟道结构，该沟道结构穿过所述层叠物并且延伸到所述第一部分；/n形成狭缝，该狭缝穿过所述层叠物并且延伸到所述第二部分；/n通过所述狭缝去除所述第一牺牲层以形成第一开口；以及/n在所述第一开口中形成连接到所述沟道结构的第二源极层。/n
【技术特征摘要】
20190708 KR 10-2019-00822711.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：
形成第一牺牲层，该第一牺牲层包括第一部分和第二部分，所述第二部分的厚度比所述第一部分的厚度厚；
在所述第一牺牲层上形成层叠物，该层叠物包括彼此交替的第一材料层和第二材料层；
形成沟道结构，该沟道结构穿过所述层叠物并且延伸到所述第一部分；
形成狭缝，该狭缝穿过所述层叠物并且延伸到所述第二部分；
通过所述狭缝去除所述第一牺牲层以形成第一开口；以及
在所述第一开口中形成连接到所述沟道结构的第二源极层。
2.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：
在形成所述第一牺牲层之前，形成包括第二开口的第一源极层。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述第一源极层上形成所述第一牺牲层，并且在所述第二开口中形成所述第二部分。
4.根据权利要求2所述的方法，该方法还包括以下步骤：
在形成所述第一牺牲层之前，在所述第一源极层上形成第二牺牲层。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一牺牲层包括多晶硅，并且所述第二牺牲层包括氧化物层。
6.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：
通过所述狭缝去除所述第一材料层以形成多个第三开口；
分别在多个所述第三开口中形成第三材料层；以及
分别在多个所述第三开口中形成密封层。
7.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：
在形成所述第一开口之前，通过所述狭缝利用第三材料层替换所述第一材料层。
8.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：
在形成所述第一开口之前，在所述狭缝中形成间隔物。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沟道结构包括沟道层以及围绕所述沟道层的存储器层。
10.根据权利要求9所述的方法，该方法还包括以下步骤：
在形成所述第二源极层之前，通过所述第一开口部分地去除所述存储器层。
11.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：
在形成所述第二源极层之后，执行热处理工艺。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二源极层或第一源极层中的掺杂剂通过所述热处理工艺扩散到所述沟道结构。
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【专利技术属性】
技术研发人员：李南宰，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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