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半导体装置以及制造半导体装置的方法制造方法及图纸
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半导体装置以及制造半导体装置的方法。根据本公开的实施方式的制造半导体装置的方法可包括:形成包括第一部分和第二部分的第一牺牲层,第二部分的厚度比第一部分的厚度厚;在第一牺牲层上形成包括彼此交替的第一材料层和第二材料层的层叠物;形成穿过层叠物并...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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