嵌入式电子器件制造技术

本实用新型专利技术提供一种嵌入式电子器件，该嵌入式电子器件包括：第一基板；第一磁芯，嵌入于第一基板中；位于第一基板上且位于第一磁芯两侧的第一线路及第二线路；多个第一导电元件，位于第一基板中，连接第一线路与第二线路以形成绕第一磁芯传输电流的线圈回路；第一屏蔽层，位于第一线路背对第一磁芯的一侧，用于屏蔽外界电磁干扰。本实用新型专利技术能够减少外界信号对电子器件的信号干扰。

【技术实现步骤摘要】
嵌入式电子器件
本技术涉及一种电子器件领域，尤其涉及一种嵌入式电子器件。
技术介绍
近年来，集成化、小型化已经成为集成电路的发展趋势，电子器件作为一种重要的器件，被广泛应用于集成电路中，以实现阻抗匹配、功率合成、交流耦合等功能。通常为了减小电子器件在芯片中的占据面积，获得更好的集成效果，将电子器件集成设计。而这种集成化层叠设计的方法虽然有效地减少了芯片面积，但是随着工作频率的不断提高，各电子器件之间的耦合效应急剧增加，导致串扰效应十分显著，各电子器件的性能和电路的稳定性都受到影响，目前，减少电子器件间的串扰成为急需解决的问题。
技术实现思路
本技术主要解决的技术问题是提供一种嵌入式电子器件，以实现减少电子器件相互之间的干扰的目的。为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是：提供一种嵌入式电子器件，包括：第一基板；第一磁芯，嵌入于所述第一基板中；位于所述第一基板上且位于所述第一磁芯两侧的第一线路及第二线路；多个第一导电元件，位于所述第一基板中，连接所述第一线路与所述第二线路以形成绕所述第一磁芯传输电流的线圈回路；第一屏蔽层，位于所述第一线路背对所述第一磁芯的一侧，用于屏蔽外界电磁干扰。本技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本技术提供一种嵌入式电子器件，通过对所述第一基板开槽并嵌入所述第一磁芯，并在所述第一基板上及所述磁芯两侧形成第一线路及第二线路，在所述第一线路背对所述第一磁芯的一侧设置第一屏蔽层，以此实现减少电子器件相互之间的干扰的目的。附图说明图1a-图1c是本技术的嵌入式电子器件第一实施例的结构及剖面示意图；图2是本技术的嵌入式电子器件第二实施例的剖面示意图。具体实施方式下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。请参见图1a-图1c，为本技术嵌入式电子器件第一实施例的结构及剖面示意图。嵌入式电子器件110包括：第一基板10及第一磁芯16，第一基板10包括第一中心部12，其上开设有贯穿第一基板10的多个第一内部导通孔13；第一外围部14，其上开设有贯穿第一基板10的多个第一外部导通孔15；第一中心部12和第一外围部14之间形成第一容置槽18。第一磁芯60嵌入于第一基板10中，具体为，第一磁芯16放置在第一容置槽18中，多个第一导电元件17设置在第一内部导通孔13和第一外部导通孔15内；位于第一基板10上且位于磁芯16两侧且连接多个第一导电元件17的第一线路20及第二线路30；导电元件17将第一线路20与第二线路30电性连接，并组成绕磁芯16传输电流的线圈回路。嵌入式电子器件110还包括与第一线路20和/或第二线路30连接且接地的中心抽头171。如图1c所示，第一屏蔽层50同时位于第一线路20及第二线路30远离第一磁芯16的一侧。在另一实施例中，第一屏蔽层50还可以仅位于第一线路20远离第一磁芯16的一侧。或者在另一实施例中，第一屏蔽层50还可以位于第二第二线路30远离第一磁芯16的一侧。具体地，第一屏蔽层50具体用于屏蔽外界干扰。其中，第一屏蔽层50可以设置为覆盖第一线路20或第二线路30的整面层；也可以覆盖第一线路20或第二线路30且与第一线路20或第二线路30形状对应；还可以设置为覆盖第一线路20或第二线路30并暴露第一中心部12的环形层，还可以是其中任意组合，或者其形状根据第一线路20及第二线路30的具体形状进行设置，只要能实现第一屏蔽层50覆盖第一线路20或覆盖第二线路30的目的即可；第一屏蔽层50材料为铜，也可以为其他材料。其中，第一屏蔽层50与第一线路20之间设有绝缘层501，第二线路30与第一屏蔽层50之间设有绝缘层502，绝缘层501与502及第一屏蔽层50上均设有过孔51，第一屏蔽层50通过过孔51与中心抽头171连接且接地，或第一屏蔽层50上设有接地线(图未示)，通过接地线将第一屏蔽层50接地，以实现通过屏蔽层减少信号干扰的作用。其中，第一基板10的介电损耗可小于或等于0.02。具体地，第一基板10由中心材料与外围材料组成，其中材料为高速低速材料，该材料为有机树脂，第一基板10还可以由树脂材料制成，外围材料为可导电材料，如铜。用增强材料浸以树脂胶黏剂，通过烘干、裁剪、叠合等工艺制成。其中，第一中心部12与第一外围部14可为一体结构，即通过在第一基板10的中心处开设第一容置槽18以将该第一基板10分成第一中心部12和第一外围部14。当然，在其他实施例中，该第一中心部12与第一外围部14可以为分体结构，例如在第一基板10中心处开设圆形容置槽后再将第一中心部12通过例如粘结等方式固定于该圆形第一容置槽18内，使该第一中心部12与第一外围部14之间形成该环形容置槽18，且第一中心部12与第一外围部14的两端面齐平。其中，在本实施例中，该环形容置槽18的截面形状与磁芯16的截面形状大体相同，以便于磁芯16可容置在环形容置槽18内。其中，该环形容置槽18的横截面形状可以为圆环形、方环形、椭圆形等。对应地，该磁芯16的形状可以为圆环形、方环形、椭圆形等。其中，第一导电元件17可以为金属柱，且与每一第一内部导通孔13或每一第一外部导通孔15对应的金属柱的直径小于或等于其所在的第一内部导通孔13或第一外部导通孔15的直径。该金属柱的材料包括不限于铜、铝、铁、镍、金、银、铂族、铬、镁、钨、钼、铅、锡、铟、锌或其合金等。在本实施例中，可以通过例如电镀、涂覆等方式在第一内部导通孔13和第一外部导通孔15的内壁上形成金属层，由此将位于第一基板10相对两侧的第一线路20及第二线路30电性连接。请参见图2，为本技术嵌入式电子器件第二实施例的剖面示意图。本实施例与第一实施例相比，区别之处在于，本实施例中还包括与第一基板10层叠设置的第二基板120及设置在第二基板内的第二磁芯161，且第二基板120同样开设第二容置槽将第二基板120分为第二中心部121与第二外围部141，且在第二中心部121与第二外围部141分别开设多个第二内部导通孔131与多个第二外部导通孔151，且多个第二内部导通孔131与多个第二外部导通孔151中设有第二导电元件172，其结构与第一实施例相同，在此不再赘述，此外，第二基板120上且第二磁芯161两侧分别设有第三线路70及第四线路80，第三线路70及第四线路80与第二导电元件172连接，以形成绕第二磁芯161传输电流的线圈回路。在本申请中，第一基板10、第一磁芯16、第一导电元件17、第一线路20及第二线路30形成变压器，第二基板121、第二磁芯161、第二导电元件172、第三线路70及第四线路80形成滤波器。在一实施例中在滤波器及变压器之间设置屏蔽层，可以屏蔽两个器件之间的信号干扰。具体地，如图2所示，在本实施例中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种嵌入式电子器件，其特征在于，包括：/n第一基板；/n第一磁芯，嵌入于所述第一基板中；/n位于所述第一基板上且位于所述第一磁芯两侧的第一线路及第二线路；/n多个第一导电元件，位于所述第一基板中，连接所述第一线路与所述第二线路以形成绕所述第一磁芯传输电流的线圈回路；/n第一屏蔽层，位于所述第一线路背对所述第一磁芯的一侧，用于屏蔽外界电磁干扰。/n

【技术特征摘要】
1.一种嵌入式电子器件，其特征在于，包括：
第一基板；
第一磁芯，嵌入于所述第一基板中；
位于所述第一基板上且位于所述第一磁芯两侧的第一线路及第二线路；
多个第一导电元件，位于所述第一基板中，连接所述第一线路与所述第二线路以形成绕所述第一磁芯传输电流的线圈回路；
第一屏蔽层，位于所述第一线路背对所述第一磁芯的一侧，用于屏蔽外界电磁干扰。


2.根据权利要求1所述的嵌入式电子器件，其特征在于，所述嵌入式电子器件还包括：
与所述第一基板层叠设置的第二基板；
嵌入于所述第二基板中的第二磁芯；
位于所述第二基板上且位于所述第二磁芯两侧的第三线路及第四线路；
多个第二导电元件，位于所述第二基板中，连接所述第三线路与所述第四线路以形成环绕所述第二磁芯传输电流的线圈回路；
第二屏蔽层，位于所述第三线路背对所述第二磁芯的一侧。


3.根据权利要求2所述的嵌入式电子器件，其特征在于，所述第一屏蔽层和/或所述第二屏蔽层位于所述第一基板及所述第二基板之间。


4.根据权利要求3所述的嵌入式电子器件，其特征在于，所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层为同一层。


5.根据权利要求3所述的嵌入式电子器件，其特征在于，所述第一基板、所述第一磁芯、多个所述第一导电元件、所述第一线路及所述第二线路形成变压器；
所述第二基板、所述第二磁芯、多个所述第二导电元件、所述第三线路及所述第四线路形成滤波器。


6.根据权利要求5所述的嵌入式电子器件，其特征在于，所述第一基板包括：
第一中心部，其上开设有贯穿所述第一基板的多个第一内部导通孔；和
第一外围部，其上开设有贯穿所述第一基板的多个第一外部导通孔；所述第一中心部和所述第一外围部之间形成第一容置槽，用于容纳所述第一磁芯；
所述多个第一导电元件部分位于所述第一内部导通孔中，其余部分位于所述第一外部导通孔中，位于所述第一内...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭伟静，王蓓蕾，
申请(专利权)人：深南电路股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44