一种用NMOS做零位的IGBT推挽电路及装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种用NMOS做零位的IGBT推挽电路，所述电路包括PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和IGBT模块，所述IGBT模块的集电极连接电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端连接电源，所述IGBT模块的发射极接地，所述IGBT模块的门极分别连接电阻R3的一端和电阻R4的一端，所述电阻R3的另一端连接PMOS管，所述电阻R4的另一端连接第二NMOS管；所述PMOS管的漏极连接电阻R3的另一端，所述PMOS管的源极接入电压，所述PMOS管的源极还连接电阻R6的一端，所述电阻R6的另一端连接第一NMOS管，所述PMOS管的栅极连接电阻R5的一端；所述第二NMOS管的漏极连接电阻R4的另一端，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的栅极连接电阻R5的一端。本实用新型专利技术电路结构简单，性能稳定，大大降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种用NMOS做零位的IGBT推挽电路及装置
本技术属于汽车电路
，特别涉及一种用NMOS做零位的IGBT推挽电路及装置。
技术介绍
随着汽车制造行业的发展，尤其是新能源汽车行业的发展，高压大电流的功率控制器件使用越来越广泛，IGBT作为新能源汽车中不可或缺的功率控制器件，对其驱动电路的要求也越来越高，高端的驱动电路使用的都是集成驱动芯片，但其价格昂贵，并且选用渠道受限，所以，对于驱动控制要求不高的场合中，用分立器件搭建的驱动电路对于产品的成本控制显得很重要。因此，如何降低用分立器件搭建的驱动电路对于产品的成本成为亟需解决的问题。
技术实现思路
针对上述问题，本技术提供了一种用NMOS做零位的IGBT推挽电路，所述电路包括PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和IGBT模块，其中：所述IGBT模块的集电极连接电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端连接电源，所述IGBT模块的发射极接地，所述IGBT模块的门极分别连接电阻R3的一端和电阻R4的一端，所述电阻R3的另一端连接PMOS管，所述电阻R4的另一端连接第二NMOS管；所述PMOS管的漏极连接电阻R3的另一端，所述PMOS管的源极接入电压，所述PMOS管的源极还连接电阻R6的一端，所述电阻R6的另一端连接第一NMOS管，所述PMOS管的栅极连接电阻R5的一端；所述第二NMOS管的漏极连接电阻R4的另一端，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的栅极连接电阻R5的一端；所述第一NMOS管的漏极连接电阻R6的另一端，所述第一NMOS管的漏极还连接电阻R5的另一端，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的栅极连接电阻R7的一端，所述电阻R7的另一端接入驱动信号。进一步地，所述IGBT模块的门极还连接电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端接地。进一步地，所述电阻R2的两端并联有稳压二极管D1，所述稳压二极管D1的正极接地，所述稳压二极管D1的负极连接IGBT模块的门极。进一步地，所述PMOS管并联有稳压二极管D2和稳压二极管D3，所述稳压二极管D2的正极与稳压二极管D3的正极连接，所述稳压二极管D2的负极连接PMOS管的源极，所述稳压二极管D3的负极连接PMOS管的栅极。进一步地，所述PMOS管的源极还连接电容C1，所述电容C1的一端连接PMOS管的源极，所述电容C1的另一端接地。进一步地，所述第一NMOS管的栅极还连接电阻R8的一端，所述电阻R8的另一端接地。本技术还提供了一种用NMOS做零位的IGBT推挽装置，所述装置包括上述的用NMOS做零位的IGBT推挽电路。本技术使用一个PMOS管和两个NMOS管以及几个电阻组成，用于对控制要求不高的场合中，推挽电路使用的分立器件数量不多，对于设计布板难度没有加大，且电路结构简单，性能稳定可靠，大大降低了生产成本。并且，本技术的用料选型范围广泛，非常适用中、低控制要求的使用场合。本技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术而了解。本技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所指出的结构来实现和获得。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1示出了本技术实施例的用NMOS做零位的IGBT推挽电路示意图；图2示出了本技术实施例的推挽电路驱动波形示意图。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地说明，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术提供了一种用NMOS做零位的IGBT推挽电路，示例性的，图1示出了本技术实施例的用NMOS做零位的IGBT推挽电路示意图，如图1所示，所述电路包括PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和IGBT模块，其中：所述IGBT模块的集电极连接电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端连接电源VCC，所述IGBT模块的发射极接地，所述IGBT模块的门极分别连接电阻R3的一端和电阻R4的一端，所述电阻R3的另一端连接PMOS管，所述电阻R4的另一端连接第二NMOS管。所述IGBT模块的门极还连接电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端接地。所述电阻R2的两端并联有稳压二极管D1，所述稳压二极管D1的正极接地，所述稳压二极管D1的负极连接IGBT模块的门极。所述PMOS管的漏极连接电阻R3的另一端，所述PMOS管的源极接入电压，本实施例中接入15V电压，但不限于此，所述PMOS管的源极还连接电阻R6的一端，所述电阻R6的另一端连接第一NMOS管，所述PMOS管的栅极连接电阻R5的一端。所述PMOS管并联有稳压二极管D2和稳压二极管D3，所述稳压二极管D2的正极与稳压二极管D3的正极连接，所述稳压二极管D2的负极连接PMOS管的源极，所述稳压二极管D3的负极连接PMOS管的栅极。所述PMOS管的源极还连接电容C1，所述电容C1的一端连接PMOS管的源极，所述电容C1的另一端接地。所述第二NMOS管的漏极连接电阻R4的另一端，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的栅极连接电阻R5的一端。所述第一NMOS管的漏极连接电阻R6的另一端，所述第一NMOS管的漏极还连接电阻R5的另一端，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的栅极连接电阻R7的一端，所述电阻R7的另一端接入驱动信号。所述第一NMOS管的栅极还连接电阻R8的一端，所述电阻R8的另一端接地。本技术还提供了一种用NMOS做零位的IGBT推挽装置，所述装置包括上述的用NMOS做零位的IGBT推挽电路本技术实施例工作中，当驱动信号为高电平时，开通第一NMOS管，第一NMOS管开通后会开通PMOS管，PMOS管开通后，15V驱动电压经过驱动电阻R3去开通IGBT，实现IGBT的开通；当驱动信号为低电平时，15V驱动电压经过第一NMOS管上端的电阻R7及电阻R5去开通第二NMOS管，第二NMOS管开通后，通过关断电阻R4将IGBT门极拉为低电平，实现IGBT的关断。本技术实施例的推挽电路驱动波形如图2所示，当输入的驱动信号波形为图2中的Vin时，将会得到图2中Vout的输出波形。另外，当IGBT的驱动频率相对较高时需要选择工作速度比较快的MOS管进行推挽电路的设计。本技术使用一个PMOS管和两个NMO本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用NMOS做零位的IGBT推挽电路，其特征在于，所述电路包括PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和IGBT模块，其中：/n所述IGBT模块的集电极连接电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端连接电源，所述IGBT模块的发射极接地，所述IGBT模块的门极分别连接电阻R3的一端和电阻R4的一端，所述电阻R3的另一端连接PMOS管，所述电阻R4的另一端连接第二NMOS管；/n所述PMOS管的漏极连接电阻R3的另一端，所述PMOS管的源极接入电压，所述PMOS管的源极还连接电阻R6的一端，所述电阻R6的另一端连接第一NMOS管，所述PMOS管的栅极连接电阻R5的一端；/n所述第二NMOS管的漏极连接电阻R4的另一端，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的栅极连接电阻R5的一端；/n所述第一NMOS管的漏极连接电阻R6的另一端，所述第一NMOS管的漏极还连接电阻R5的另一端，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的栅极连接电阻R7的一端，所述电阻R7的另一端接入驱动信号。/n

【技术特征摘要】
1.一种用NMOS做零位的IGBT推挽电路，其特征在于，所述电路包括PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和IGBT模块，其中：
所述IGBT模块的集电极连接电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端连接电源，所述IGBT模块的发射极接地，所述IGBT模块的门极分别连接电阻R3的一端和电阻R4的一端，所述电阻R3的另一端连接PMOS管，所述电阻R4的另一端连接第二NMOS管；
所述PMOS管的漏极连接电阻R3的另一端，所述PMOS管的源极接入电压，所述PMOS管的源极还连接电阻R6的一端，所述电阻R6的另一端连接第一NMOS管，所述PMOS管的栅极连接电阻R5的一端；
所述第二NMOS管的漏极连接电阻R4的另一端，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的栅极连接电阻R5的一端；
所述第一NMOS管的漏极连接电阻R6的另一端，所述第一NMOS管的漏极还连接电阻R5的另一端，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的栅极连接电阻R7的一端，所述电阻R7的另一端接入驱动信号。


2.根据权利要求1所述的用NMOS做零位的IGBT推挽电路，其特征在于，所述IGBT模块的门极还连接电阻R2的...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴文臣，崔石磊，冯新建，徐进峰，
申请(专利权)人：上海金脉电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31