一种大功率IGBT实用驱动电路及装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种大功率IGBT实用驱动电路及装置，所述电路包括集成驱动芯片U1、电阻R1、电阻R2、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C1、电容C2、二极管D1、TVS二极管D2和IGBT模块；所述集成驱动芯片U1的管脚1EN与电阻R1一端连接，所述电阻R1的另一端接收连接驱动使能，所述集成驱动芯片U1的管脚2信号数据输入端IN与二极管D1的输出端连接，所述二极管的输入端与电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端接收连接驱动信号，所述集成驱动芯片U1的管脚3电源端VDD与电容C1一端连接。本实用新型专利技术通过使用集成驱动芯片及外围使用少量的器件组成IGBT驱动电路对IGBT进行驱动，电路结构简单，可靠性相对较高。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率IGBT实用驱动电路及装置
本技术属于汽车制造电路
，特别涉及一种大功率IGBT实用驱动电路及装置。
技术介绍
随着汽车制造行业的发展，尤其是新能源汽车行业的发展，高压大功率器件IGBT的使用越来越广泛，IGBT的驱动对于IGBT使用的可靠性非常重要，对于控制精度、低速的应用场合中，基于成本的考虑可以使用分立器件搭建驱动电路，但分立器件使用越多会降低电路的可靠性，所以，对可靠性及控制精度要求高、响应迅速、驱动能力强的应用场合中，独立的集成驱动电路是较好的选择。
技术实现思路
针对上述问题，本技术提供了一种大功率IGBT实用驱动电路及装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种大功率IGBT实用驱动电路，所述电路包括集成驱动芯片U1、电阻R1、电阻R2、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C1、电容C2、二极管D1、TVS二极管D2和IGBT模块；所述集成驱动芯片U1的管脚1EN与电阻R1一端连接，所述电阻R1的另一端接收连接驱动使能，所述集成驱动芯片U1的管脚2信号数据输入端IN与二极管D1的输出端连接，所述二极管的输入端与电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端接收连接驱动信号，所述集成驱动芯片U1的管脚3电源端VDD与电容C1一端连接，所述电容C1的另一端接地，所述集成驱动芯片U1的管脚4接地端接地，所述集成驱动芯片U1的管脚5低电平输出端OUTL与电阻R5一端相连接，所述R5的另一端与IGBT模块的门极相连接，所述集成驱动芯片U1的管脚6高电平输出端OUTH与电阻R4一端连接，所述电阻R4的另一端与IGBT模块的门极相连接；所述IGBT模块的集电极连接有负载，所述负载的另一端连接有有供电电压VCC，所述IGBT模块的发射极接地。进一步的，所述电阻R2与电容C1之间设置有电阻R3；所述电阻R3的一端与电阻R2的一端连接，所述电阻R3的另一端与电容C1的另一端连接。进一步的，所述IGBT模块的集电极和发射极之间设置有电容C3和电容C4；所述电容C3的一端与IGBT模块的集电极连接，所述电容C3的另一端与电容C4一端连接，所述电容C4的另一端与IGBT模块的发射极连接。进一步的，所述电阻R5的另一端与IGBT模块的发射极之间连接有电阻R6；所述电阻R6的一端与电阻R5的另一端连接，所述电阻R5的另一端与IGBT模块的发射极连接。进一步的，所述电阻R6与电容C2并联；所述电容C2的一端与电阻R5的另一端连接，所述电阻R5的另一端与电阻R6的另一端连接。进一步的，所述TVS二极管D2与电容C2并联；所述TVS二极管D2的输入端与电容C2一端连接，所述TVS二极管D2的输出端与电容C2的另一端连接。进一步的，所述所述集成驱动芯片U1的管脚3电源端VDD接入的电源为15V设置。本技术还提供了一种大功率IGBT实用驱动装置，所述装置包括上述的大功率IGBT实用驱动电路。本技术的技术效果和优点：1、本技术提供了一种大功率IGBT实用驱动电路及装置，该驱动芯片驱动能力强，响应速度快，可实现高、低边驱动，搭建外部控制电路可实现IGBT的过流及短路保护，芯片集成封装相对较小，集成度高，Layout布板时所占空间较小，能够很紧凑的将驱动电路布置在IGBT的驱动脚附近，提高电路的控制性能及稳定性，芯片的驱动路数可根据实际使用情况进行选择，可选择范围较广泛，单片驱动路数最高可达4路，驱动能力峰值可达5A，器件的使用成本较专用的IGBT驱动芯片有很大优势。2、本技术通过使用集成驱动芯片及外围使用少量的器件组成IGBT驱动电路对IGBT进行驱动，电路结构简单，可靠性相对较高。本技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术而了解。本技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所指出的结构来实现和获得。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1示出了本技术实施例的IGBT实用驱动电路示意图。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地说明，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术提供了如图1所示的一种大功率IGBT实用驱动电路，所述电路包括集成驱动芯片U1、电阻R1、电阻R2、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C1、电容C2、二极管D1、TVS二极管D2和IGBT模块，其中集成驱动芯片U1采用IGBT模块的专用型号M57962L，且该型号以此实施例为实验，但并不限于此；所述集成驱动芯片U1的管脚1EN与电阻R1一端连接，所述电阻R1的另一端接收连接驱动使能，所述集成驱动芯片U1的管脚2信号数据输入端IN与二极管D1的输出端连接，所述二极管的输入端与电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端接收连接驱动信号，所述电阻R2与电容C1之间设置有电阻R3；所述电阻R3的一端与电阻R2的一端连接，所述电阻R3的另一端与电容C1的另一端连接，所述集成驱动芯片U1的管脚3电源端VDD与电容C1一端连接，所述电容C1的另一端接地，所述集成驱动芯片U1的管脚4接地端接地，所述集成驱动芯片U1的管脚5低电平输出端OUTL与电阻R5一端相连接，所述R5的另一端与IGBT模块的门极相连接，所述电阻R5的另一端与IGBT模块的发射极之间连接有电阻R6；所述电阻R6的一端与电阻R5的另一端连接，所述电阻R6与电容C2并联；所述电容C2的一端与电阻R5的另一端连接，所述电阻R5的另一端与电阻R6的另一端连接，所述电阻R5的另一端与IGBT模块的发射极连接，所述集成驱动芯片U1的管脚6高电平输出端OUTH与电阻R4一端连接，所述电阻R4的另一端与IGBT模块的门极相连接；所述IGBT模块的集电极连接有负载，所述负载的另一端连接有有供电电压VCC，所述IGBT模块的发射极接地，所述IGBT模块的集电极和发射极之间设置有电容C3和电容C4；所述电容C3的一端与IGBT模块的集电极连接，所述电容C3的另一端与电容C4一端连接，所述电容C4的另一端与IGBT模块的发射极连接；所述TVS二极管D2与电容C2并联；所述TVS二极管D2的输入端与电容C2一端连接，所述TVS二极管D2的输出端与电容C2的另一端连本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大功率IGBT实用驱动电路，其特征在于：所述电路包括集成驱动芯片U1、电阻R1、电阻R2、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C1、电容C2、二极管D1、TVS二极管D2和IGBT模块；/n所述集成驱动芯片U1的管脚1EN与电阻R1一端连接，所述电阻R1的另一端接收连接驱动使能，所述集成驱动芯片U1的管脚2信号数据输入端IN与二极管D1的输出端连接，所述二极管的输入端与电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端接收连接驱动信号，所述集成驱动芯片U1的管脚3电源端VDD与电容C1一端连接，所述电容C1的另一端接地，所述集成驱动芯片U1的管脚4接地端接地，所述集成驱动芯片U1的管脚5低电平输出端OUTL与电阻R5一端相连接，所述R5的另一端与IGBT模块的门极相连接，所述集成驱动芯片U1的管脚6高电平输出端OUTH与电阻R4一端连接，所述电阻R4的另一端与IGBT模块的门极相连接；/n所述IGBT模块的集电极连接有负载，所述负载的另一端连接有供电电压VCC，所述IGBT模块的发射极接地。/n

【技术特征摘要】
1.一种大功率IGBT实用驱动电路，其特征在于：所述电路包括集成驱动芯片U1、电阻R1、电阻R2、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C1、电容C2、二极管D1、TVS二极管D2和IGBT模块；
所述集成驱动芯片U1的管脚1EN与电阻R1一端连接，所述电阻R1的另一端接收连接驱动使能，所述集成驱动芯片U1的管脚2信号数据输入端IN与二极管D1的输出端连接，所述二极管的输入端与电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端接收连接驱动信号，所述集成驱动芯片U1的管脚3电源端VDD与电容C1一端连接，所述电容C1的另一端接地，所述集成驱动芯片U1的管脚4接地端接地，所述集成驱动芯片U1的管脚5低电平输出端OUTL与电阻R5一端相连接，所述R5的另一端与IGBT模块的门极相连接，所述集成驱动芯片U1的管脚6高电平输出端OUTH与电阻R4一端连接，所述电阻R4的另一端与IGBT模块的门极相连接；
所述IGBT模块的集电极连接有负载，所述负载的另一端连接有供电电压VCC，所述IGBT模块的发射极接地。


2.根据权利要求1所述的一种大功率IGBT实用驱动电路，其特征在于：所述电阻R2与电容C1之间设置有电阻R3；
所述电阻R3的一端与电阻R2的一端连接，所述电阻R3的另一端与电容C1的另一端连接。


3.根据权利要求1所述的一种大功率IGBT实用驱动电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴文臣，崔石磊，徐进峰，冯新建，
申请(专利权)人：上海金脉电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31