【技术实现步骤摘要】
制造发光器件封装件的方法及使用其制造显示面板的方法相关申请的交叉引用于2019年7月5日在韩国知识产权局提交的题为“制造发光器件封装件的方法以及使用其制造显示面板的方法”的韩国专利申请No.10-2019-0081599整体以引用方式并入本文中。
实施例涉及一种制造发光器件封装件的方法以及使用其制造显示面板的方法。
技术介绍
半导体发光二极管(LED)已用作各种电子产品的光源以及照明装置的光源。例如，半导体LED器件可用作各种类型的显示面板(诸如TV、移动电话、PC、膝上型PC和PDA)的光源。
技术实现思路
实施例可通过提供一种制造发光器件封装件的方法来实现，该方法包括：在具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的衬底的第一表面上形成半导体叠层，使得该半导体叠层具有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；通过经由在衬底的第一表面的方向上蚀刻穿过半导体叠层来在衬底中形成具有预定深度的沟槽，将半导体叠层分离成彼此分离的多个半导体光发射器；通过施用柔性绝缘材料以覆盖所述多个半导体光发射器来形成填充沟...
【技术保护点】
1.一种制造发光器件封装件的方法，所述方法包括步骤：/n在具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的衬底的第一表面上形成半导体叠层，使得所述半导体叠层具有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；/n通过在所述衬底的第一表面的方向上蚀刻贯穿所述半导体叠层而在所述衬底中形成具有预定深度的沟槽，来将所述半导体叠层分离为彼此分离的多个半导体光发射器；/n通过涂覆柔性绝缘材料以覆盖所述多个半导体光发射器来形成填充所述沟槽并使所述多个半导体光发射器彼此绝缘的模制件；/n通过去除所述衬底来形成通过所述模制件彼此分离并分别覆盖到所述多个半导体光发射器上的多个凹槽；以及/n在所述多个凹...
【技术特征摘要】
20190705 KR 10-2019-00815991.一种制造发光器件封装件的方法，所述方法包括步骤：
在具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的衬底的第一表面上形成半导体叠层，使得所述半导体叠层具有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；
通过在所述衬底的第一表面的方向上蚀刻贯穿所述半导体叠层而在所述衬底中形成具有预定深度的沟槽，来将所述半导体叠层分离为彼此分离的多个半导体光发射器；
通过涂覆柔性绝缘材料以覆盖所述多个半导体光发射器来形成填充所述沟槽并使所述多个半导体光发射器彼此绝缘的模制件；
通过去除所述衬底来形成通过所述模制件彼此分离并分别覆盖到所述多个半导体光发射器上的多个凹槽；以及
在所述多个凹槽中形成多个波长转换器。
2.根据权利要求1所述的制造发光器件封装件的方法，其中，所述柔性绝缘材料是模量低于所述半导体叠层的模量的材料。
3.根据权利要求2所述的制造发光器件封装件的方法，其中，所述柔性绝缘材料包括聚酰亚胺、聚对苯二甲酸环己烷二甲醇酯或环氧模塑化合物。
4.根据权利要求1所述的制造发光器件封装件的方法，其中，所述多个半导体光发射器和所述多个波长转换器分别彼此对应以形成多个子像素，并且包括所述多个子像素的一个像素具有每英寸8000像素的像素密度。
5.根据权利要求1所述的制造发光器件封装件的方法，其中，形成所述半导体叠层的步骤还包括：在所述第二导电半导体层上顺序地堆叠氧化铟锡层和绝缘层。
6.根据权利要求1所述的制造发光器件封装件的方法，其中：
形成所述模制件的步骤还包括：
形成填充所述沟槽的第一模制件；以及
形成覆盖所述第一模制件的第二模制件，并且
所述第二模制件由熔点高于所述第一模制件的熔点的材料形成。
7.根据权利要求6所述的制造发光器件封装件的方法，其中:
所述第一模制件由包括聚对苯二甲酸环己烷二甲醇酯或环氧模塑化合物的材料形成，并且
所述第二模制件由包括聚酰亚胺的材料形成。
8.根据权利要求1所述的制造发光器件封装件的方法，在形成所述模制件的步骤之前，还包括步骤：
形成覆盖所述半导体叠层的绝缘层；以及
形成覆盖所述绝缘层的反射层。
9.根据权利要求8所述的制造发光器件封装件的方法，其中，所述反射层由包括铝的材料形成。
10.根据权利要求1所述的制造发光器件封装件的方法，还包括步骤：
在将所述半导体叠层分离为多个半导体光发射器之前，在所述第二导电半导体层上形成氧化铟锡层；以及
在所述氧化铟锡层上形成绝缘层。
11.一种制造发光器件封装件的方法，所述方法包括步骤：
通过在衬底上堆叠第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层并蚀刻所述第一导电半导体层、所述有源层和所述第二导电半导体层以暴露所述衬底的区域，来形成彼此分离的多个半导体光发射器；<...
【专利技术属性】
技术研发人员：司空坦，金周贤，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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