抗辐照碳纳米管晶体管及集成电路系统技术方案

本公开提供了一种抗辐照碳纳米管晶体管，包括：抗辐照衬底；碳纳米管粘附层，碳纳米管粘附层形成在抗辐照衬底上；碳纳米管层，碳纳米管层形成在碳纳米管粘附层上，碳纳米管层作为沟道；以及栅介质，栅介质为至少在碳纳米管层的一部分上形成的聚合物离子液体凝胶。本公开还提供了一种集成电路系统。

【技术实现步骤摘要】
抗辐照碳纳米管晶体管及集成电路系统
本公开属于晶体管电子器件
，本公开尤其涉及一种抗辐照碳纳米管晶体管及集成电路系统。
技术介绍
传统硅基集成电路中使用氧化硅栅介质以及衬底，浅沟道隔离层等技术，受到总剂量辐照时会产生许多陷阱电荷，造成漏电增加，阈值电压漂移。虽然硅基集成电路通过尺寸缩减可以减小辐照吸收截面，但是硅基为块体材料，存在缩减极限。硅基集成电路通过选用高k栅介质甚至真空栅介质等，减薄栅厚度减小陷阱电荷，但是这样会提高漏电几率，降低栅效率。硅基集成电路使用SOI技术进行衬底辐照加固，但是总剂量辐照进一步增加仍然会产生漏电通道，并且衬底反射辐照射线，造成二次辐照效应。由于二维材料(如硫化钼、金属氧化物半导体等)辐照吸收截面小，有可能减小辐照吸收，但是其在辐照下不稳定，会产生明显的缺陷。
技术实现思路
为了解决上述技术问题中的至少一个，本公开提供了一种抗辐照碳纳米管晶体管及集成电路系统。本公开的抗辐照碳纳米管晶体管及集成电路系统通过以下技术方案实现。根据本公开的一个方面，提供一种抗辐照碳纳本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗辐照碳纳米管晶体管，其特征在于，包括：/n抗辐照衬底；/n碳纳米管粘附层，所述碳纳米管粘附层形成在所述抗辐照衬底上；/n碳纳米管层，所述碳纳米管层形成在所述碳纳米管粘附层上，所述碳纳米管层作为沟道；以及/n栅介质，所述栅介质为至少在所述碳纳米管层的一部分上形成的聚合物离子液体凝胶。/n

【技术特征摘要】
1.一种抗辐照碳纳米管晶体管，其特征在于，包括：
抗辐照衬底；
碳纳米管粘附层，所述碳纳米管粘附层形成在所述抗辐照衬底上；
碳纳米管层，所述碳纳米管层形成在所述碳纳米管粘附层上，所述碳纳米管层作为沟道；以及
栅介质，所述栅介质为至少在所述碳纳米管层的一部分上形成的聚合物离子液体凝胶。


2.根据权利要求1所述的抗辐照碳纳米管晶体管，其特征在于，所述抗辐照衬底为薄膜绝缘材料。


3.根据权利要求2所述的抗辐照碳纳米管晶体管，其特征在于，所述薄膜绝缘材料为聚酰亚胺(PI)薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜、或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)薄膜。


4.根据权利要求1所述的抗辐照碳纳米管晶体管，其特征在于，所述碳纳米管粘附层为氧化铪、氧化铝、氧化硅、或氧化锆。...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱马光，肖洪山，张志勇，赵建文，彭练矛，
申请(专利权)人：北京元芯碳基集成电路研究院，北京大学，北京华碳元芯电子科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：北京;11