一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可提高薄膜晶体管的迁移率。该制备方法包括：在衬底上形成胶材层，胶材层包括多个沿第一方向延伸且间隔设置的条形的凹槽，凹槽贯通胶材层；在衬底上形成包括碳纳米管的有源图案；有源图案包括间隔设置的多个条形子图案；条形子图案与凹槽一一对应，条形子图案在衬底上的正投影和与其对应的凹槽在衬底上的正投影完全重叠；去除胶材层；在衬底上形成源极和漏极，沿第一方向有源图案中的条形子图案中的一端与源极相接触、另一端与漏极相接触。

The invention relates to a thin film transistor, a preparation method and a display device thereof

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置。
技术介绍
近年来，用户对高品质的显示面板的需求逐渐提高，进而对薄膜晶体管(Thin-filmtransistor，简称TFT)的要求也越来越高。目前常用低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，简称LTPS)或氧化物半导体作为有源层的材料。然而，若采用低温多晶硅作为有源层的材料，则TFT存在均一性差、难以实现大尺寸显示面板的问题。若采用氧化物半导体作为有源层的材料，则TFT存在迁移率低的问题。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置，可提高薄膜晶体管的迁移率。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底上形成胶材层，所述胶材层包括多个沿第一方向延伸且间隔设置的条形的凹槽，所述凹槽贯通所述胶材层；在形成有所述胶材层的所述衬底上形成包括碳纳米管的有源图案；所述有源图案包括间隔设置的多个条形子图案；所述条形子图案与所述凹槽一一对应，且所述条形子图案在所述衬底上的正投影和与其对应的所述凹槽在所述衬底上的正投影完全重叠；去除所述胶材层；在所述有源图案背离所述衬底一侧形成源极和漏极，沿所述第一方向，所述有源图案中的每个条形子图案中的一端与所述源极相接触、另一端与所述漏极相接触。选的，在形成所述胶材层之后，形成所述有源图案之前，所述薄膜晶体管的制备方法还包括：向每个所述凹槽中填充修饰图案；所述修饰图案设置于所述有源图案靠近所述衬底一侧，所述修饰图案与所述条形子图案一一对应且直接接触，所述修饰图案在所述衬底上的正投影和与其对应的所述条形子图案在所述衬底上正投影完全重叠；其中，所述修饰图案的材料不与所述胶材层的材料发生化学反应。在一些实施例中，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管，所述修饰图案与设置于所述胶材层靠近所述衬底一侧的栅绝缘层直接接触。在一些实施例中，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管或双栅型薄膜晶体管，所述修饰图案与设置于所述胶材层靠近所述衬底一侧的缓冲层直接接触。在一些实施例中，所述修饰图案的材料为硅烷偶联剂，所述胶材层的材料为疏水型压印胶；在所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管的情况下，所述底栅型薄膜晶体管中的所述栅绝缘层的材料可与羧基发生化学反应；或者，在所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管或双栅型薄膜晶体管的情况下，所述顶栅型薄膜晶体管或所述双栅型薄膜晶体管中的所述缓冲层的材料可与羧基发生化学反应。在一些实施例中，在衬底上形成胶材层，包括：在衬底上形成液态的胶材；将具有凸起的模具放置在所述胶材背离所述衬底一侧，并沿所述模具指向所述衬底一侧向所述模具施加作用力，直至所述胶材的形状变为间隔设置的多个胶条，所述胶条之间设置有所述凹槽；所述凸起与所述凹槽一一对应且贴合；对所述胶材进行固化，形成所述胶材层；剥离所述模具。在一些实施例中，第二方面，提供一种薄膜晶体管，包括设置于衬底上的有源图案、源极和漏极；所述有源图案包括沿第一方向延伸且间隔设置的多个条形子图案；沿所述第一方向，所述有源图案中的每个条形子图案中的一端与所述源极相接触、另一端与所述漏极相接触；其中，所述有源图案的材料包括碳纳米管。在一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括修饰图案；所述修饰图案设置于所述有源图案靠近所述衬底一侧，所述修饰图案与所述条形子图案一一对应且直接接触，所述修饰图案在所述衬底上的正投影和与其对应的所述条形子图案在所述衬底上正投影完全重叠。在一些实施例中，所述条形子图案的横截面的宽度范围为5～100nm；其中，所述横截面与所述衬底的厚度方向垂直，所述横截面的宽度与所述第一方向垂直。第三方面，提供一种显示装置，包括阵列基板，所述阵列基板包括像素电路，所述像素电路包括驱动晶体管；所述驱动晶体管为第二方面所述的薄膜晶体管。本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置，可先在衬底上形成具有凹槽的胶材层；之后，再在凹槽中形成条形子图案，以得到间隔设置的多个条形子图案。或者，可先在衬底上形成具有凹槽的绝缘层；之后，再在凹槽中形成其他结构(例如下文的修饰图案)，并在该结构上形成条形子图案，以得到间隔设置的多个条形子图案。每个条形子图案包括一个或多个碳纳米管，每个条形子图案中的碳纳米管被限定在该条形子图案所在区域内。因此，一个条形子图案中的碳纳米管的排列受限。相较于相关技术中整个有源图案所在的区域，本专利技术实施例的每个条形子图案所在的区域小得多，因此，相较于相关技术中多个碳纳米管沿任意方向排列，本专利技术实施例的碳纳米管的延伸方向与第一方向之间的夹角均较小，进而多个碳纳米管之间的夹角可忽略不计，多个碳纳米管整体呈规则排列，从而可改善相关技术中因多个碳纳米管不规则排列而导致的薄膜晶体管的迁移率低的问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种制备薄膜晶体管的流程示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种制备薄膜晶体管的过程示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种胶材层的结构示意图；图5a为本专利技术实施例提供的一种制备薄膜晶体管的过程示意图；图5b为本专利技术实施例提供的一种制备薄膜晶体管的过程示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种制备薄膜晶体管的过程示意图；图7为本专利技术实施例提供的一种制备薄膜晶体管的过程示意图；图8为本专利技术实施例提供的一种制备薄膜晶体管的过程示意图；图9为本专利技术实施例提供的一种制备薄膜晶体管的过程示意图；图10为本专利技术实施例提供的一种制备薄膜晶体管的过程示意图；图11a为相关技术提供的一种碳纳米管的排布示意图；图11b为本专利技术实施例提供的一种碳纳米管的排布示意图；图12为本专利技术实施例提供的一种制备胶材层的流程示意图；图13为本专利技术实施例提供的一种制备胶材层的过程示意图；图14为本专利技术实施例提供的一种制备胶材层的过程示意图；图15为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；图16为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图17为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。附图标记：1-框架；2-显示面板；21-阵列基板；22-对置基板；3-电路板；4-盖板；10-衬底；11-条形子图案；111-碳纳米管；12-源极；13-漏极；14-胶材层；141-凹槽；142-胶材；15-栅极；16-栅绝缘层；17-缓冲层；18-层间绝缘层；20-修饰图案；31-驱动晶体管；41-LED发光单元；42-第一电极；43-本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：/n在衬底上形成胶材层，所述胶材层包括多个沿第一方向延伸且间隔设置的条形的凹槽，所述凹槽贯通所述胶材层；/n在形成有所述胶材层的所述衬底上形成包括碳纳米管的有源图案；所述有源图案包括间隔设置的多个条形子图案；所述条形子图案与所述凹槽一一对应，且所述条形子图案在所述衬底上的正投影和与其对应的所述凹槽在所述衬底上的正投影完全重叠；/n去除所述胶材层；/n在所述有源图案背离所述衬底一侧形成源极和漏极，沿所述第一方向，所述有源图案中的每个所述条形子图案中的一端与所述源极相接触、另一端与所述漏极相接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成胶材层，所述胶材层包括多个沿第一方向延伸且间隔设置的条形的凹槽，所述凹槽贯通所述胶材层；
在形成有所述胶材层的所述衬底上形成包括碳纳米管的有源图案；所述有源图案包括间隔设置的多个条形子图案；所述条形子图案与所述凹槽一一对应，且所述条形子图案在所述衬底上的正投影和与其对应的所述凹槽在所述衬底上的正投影完全重叠；
去除所述胶材层；
在所述有源图案背离所述衬底一侧形成源极和漏极，沿所述第一方向，所述有源图案中的每个所述条形子图案中的一端与所述源极相接触、另一端与所述漏极相接触。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在形成所述胶材层之后，形成所述有源图案之前，所述薄膜晶体管的制备方法还包括：
向每个所述凹槽中填充修饰图案；所述修饰图案设置于所述有源图案靠近所述衬底一侧，所述修饰图案与所述条形子图案一一对应且直接接触，所述修饰图案在所述衬底上的正投影和与其对应的所述条形子图案在所述衬底上正投影完全重叠；
其中，所述修饰图案的材料不与所述胶材层的材料发生化学反应。


3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管，所述修饰图案与设置于所述胶材层靠近所述衬底一侧的栅绝缘层直接接触。


4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管或双栅型薄膜晶体管，所述修饰图案与设置于所述胶材层靠近所述衬底一侧的缓冲层直接接触。


5.根据权利要求3或4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述修饰图案的材料为硅烷偶联剂，所述胶材层的材料为疏水型压印胶；
在所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管的情况下，所述底栅型薄膜晶体管中的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁广才，郭康，董学，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11