一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可提高薄膜晶体管的迁移率。该制备方法包括：在衬底上形成胶材层，胶材层包括多个沿第一方向延伸且间隔设置的条形的凹槽，凹槽贯通胶材层；在衬底上形成包括碳纳米管的有源图案；有源图案包括间隔设置的多个条形子图案；条形子图案与凹槽一一对应，条形子图案在衬底上的正投影和与其对应的凹槽在衬底上的正投影完全重叠；去除胶材层；在衬底上形成源极和漏极，沿第一方向有源图案中的条形子图案中的一端与源极相接触、另一端与漏极相接触。

The invention relates to a thin film transistor, a preparation method and a display device thereof

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置。
技术介绍
近年来，用户对高品质的显示面板的需求逐渐提高，进而对薄膜晶体管(Thin-filmtransistor，简称TFT)的要求也越来越高。目前常用低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，简称LTPS)或氧化物半导体作为有源层的材料。然而，若采用低温多晶硅作为有源层的材料，则TFT存在均一性差、难以实现大尺寸显示面板的问题。若采用氧化物半导体作为有源层的材料，则TFT存在迁移率低的问题。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置，可提高薄膜晶体管的迁移率。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底上形成胶材层，所述胶材层包括多个沿第一方向延伸且间隔设置的条形的凹槽，所述凹槽贯通所述胶材层；在形成有所述胶材层的所述衬底上形成包括碳纳米管的有源图案；所述有源图案包括间隔设置的多个条形子图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：/n在衬底上形成胶材层，所述胶材层包括多个沿第一方向延伸且间隔设置的条形的凹槽，所述凹槽贯通所述胶材层；/n在形成有所述胶材层的所述衬底上形成包括碳纳米管的有源图案；所述有源图案包括间隔设置的多个条形子图案；所述条形子图案与所述凹槽一一对应，且所述条形子图案在所述衬底上的正投影和与其对应的所述凹槽在所述衬底上的正投影完全重叠；/n去除所述胶材层；/n在所述有源图案背离所述衬底一侧形成源极和漏极，沿所述第一方向，所述有源图案中的每个所述条形子图案中的一端与所述源极相接触、另一端与所述漏极相接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成胶材层，所述胶材层包括多个沿第一方向延伸且间隔设置的条形的凹槽，所述凹槽贯通所述胶材层；
在形成有所述胶材层的所述衬底上形成包括碳纳米管的有源图案；所述有源图案包括间隔设置的多个条形子图案；所述条形子图案与所述凹槽一一对应，且所述条形子图案在所述衬底上的正投影和与其对应的所述凹槽在所述衬底上的正投影完全重叠；
去除所述胶材层；
在所述有源图案背离所述衬底一侧形成源极和漏极，沿所述第一方向，所述有源图案中的每个所述条形子图案中的一端与所述源极相接触、另一端与所述漏极相接触。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在形成所述胶材层之后，形成所述有源图案之前，所述薄膜晶体管的制备方法还包括：
向每个所述凹槽中填充修饰图案；所述修饰图案设置于所述有源图案靠近所述衬底一侧，所述修饰图案与所述条形子图案一一对应且直接接触，所述修饰图案在所述衬底上的正投影和与其对应的所述条形子图案在所述衬底上正投影完全重叠；
其中，所述修饰图案的材料不与所述胶材层的材料发生化学反应。


3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管，所述修饰图案与设置于所述胶材层靠近所述衬底一侧的栅绝缘层直接接触。


4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管或双栅型薄膜晶体管，所述修饰图案与设置于所述胶材层靠近所述衬底一侧的缓冲层直接接触。


5.根据权利要求3或4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述修饰图案的材料为硅烷偶联剂，所述胶材层的材料为疏水型压印胶；
在所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管的情况下，所述底栅型薄膜晶体管中的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁广才，郭康，董学，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11