一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可提高薄膜晶体管的迁移率。该薄膜晶体管包括设置于衬底上的绝缘层、包括碳纳米管的有源图案、源极和漏极；所述有源图案包括沿第一方向延伸且间隔设置的多个条形子图案；沿所述第一方向，所述有源图案中的每个条形子图案中的一端与所述源极相接触、另一端与所述漏极相接触；所述绝缘层包括多个条形的凹槽，所述凹槽与所述条形子图案一一对应，且所述凹槽在所述衬底上的正投影与所述条形子图案在所述衬底上的正投影完全重叠。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置。
技术介绍
近年来，用户对高品质的显示面板的需求逐渐提高，进而对薄膜晶体管(Thin-filmtransistor，简称TFT)的要求也越来越高。目前常用低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，简称LTPS)或氧化物半导体作为有源层的材料。然而，若以低温多晶硅作用有源层的材料的TFT，则存在均一性差、难以实现大尺寸显示面板的问题。若以氧化物半导体作为有源层的材料的TFT，则存在迁移率低的问题。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置，可提高薄膜晶体管的迁移率。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，提供一种薄膜晶体管，包括设置于衬底上的绝缘层、包括碳纳米管的有源图案、源极和漏极；所述有源图案包括沿第一方向延伸且间隔设置的多个条形子图案；沿所述第一方向，所述有源图案中的每个条形子图案中的一端与所述源极相接触、另一端与所述漏极相接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括设置于衬底上的绝缘层、包括碳纳米管的有源图案、源极和漏极；/n所述有源图案包括沿第一方向延伸且间隔设置的多个条形子图案；沿所述第一方向，所述有源图案中的每个所述条形子图案中的一端与所述源极相接触、另一端与所述漏极相接触；/n所述绝缘层包括多个条形的凹槽，所述凹槽与所述条形子图案一一对应，且所述凹槽在所述衬底上的正投影与所述条形子图案在所述衬底上的正投影完全重叠。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括设置于衬底上的绝缘层、包括碳纳米管的有源图案、源极和漏极；
所述有源图案包括沿第一方向延伸且间隔设置的多个条形子图案；沿所述第一方向，所述有源图案中的每个所述条形子图案中的一端与所述源极相接触、另一端与所述漏极相接触；
所述绝缘层包括多个条形的凹槽，所述凹槽与所述条形子图案一一对应，且所述凹槽在所述衬底上的正投影与所述条形子图案在所述衬底上的正投影完全重叠。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述条形子图案填充于所述凹槽中；
所述条形子图案靠近所述衬底一侧的表面和与其对应的所述凹槽的底面平齐。


3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述凹槽贯通所述绝缘层；
每个所述凹槽中填充有修饰图案；
所述有源图案设置于所述修饰图案背离所述衬底一侧；所述修饰图案与所述条形子图案一一对应且直接接触，所述修饰图案在所述衬底上的正投影和与其对应的所述条形子图案在所述衬底上正投影完全重叠；
其中，所述修饰图案的材料不与所述绝缘层的材料发生化学反应。


4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管；所述绝缘层设置于所述有源图案靠近所述衬底一侧；所述凹槽未贯通所述绝缘层；
或者，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管或双栅型薄膜晶体管；所述绝缘层设置于所述有源图案靠近所述衬底一侧；所述凹槽未贯通所述绝缘层。


5.根据权利要求2或3所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管；所述薄膜晶体管还包括设置于所述衬底上的栅绝缘层，所述栅绝缘层设置于所述绝缘层靠近所述衬底一侧；
或者，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管或双栅型薄膜晶体管；所述薄膜晶体管还包括设置于所述衬底上的缓冲层，所述缓冲层设置于所述绝缘层靠近所述衬底一侧。


6.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管；所述薄膜晶体管还包括设置于所述衬底上的栅绝缘层，所述栅绝缘层设置于所述绝缘层靠近所述衬底一侧，所述修饰图案与所述栅绝缘层直接接触；
或者，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管或双栅型薄膜晶体管；所述薄膜晶体管还包括设置于所述衬底上的缓冲层，所述缓冲层设置于所述绝缘层靠近所述衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁广才，郭康，董学，卢鑫泓，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11