石墨盘制造技术

本实用新型专利技术提供一种石墨盘，所述石墨盘包括石墨本体和在石墨本体表面沉积的涂层，所述石墨本体包括至少一个孔洞，所述每一孔洞中填充与其匹配的石墨块。

【技术实现步骤摘要】
石墨盘
本技术实施例涉及半导体制造技术，尤其涉及一种石墨盘。
技术介绍
金属有机化学气相沉积(Metal-organicChemicalVaporDeposition，MOCVD)设备中的晶圆载体通常为石墨盘，它包括石墨本体和在石墨本体表面沉积的SiC涂层。石墨本体失效主要是由于两者物理性能的差异，在MOCVD沉积过程中，极端烘烤条件下所产生的频繁的、较大的温度差异，往往导致SiC涂层先破损，然后导致石墨本体破损。此外，大尺寸石墨本体在沉积过程中的温度不均匀导致石墨本体和SiC涂层的热应力剧增，而导致石墨本体外侧SiC涂层破损，SiC涂层破损之后NH3、H2通过破损之后的裂缝侵蚀包裹在SiC涂层内侧的石墨本体，而加剧石墨本体的破损，且经过多个制程生产后，石墨本体变松散，形成破损的孔洞。现有克服石墨盘破损的方法为，通过人工目检石墨盘上出现的裂缝，在SiC涂层裂缝处覆盖新的SiC涂层，但是，当石墨本体上的孔洞孔径大于6mm后则会导致MOCVD垒晶过程中温度不均匀，且受气流影响明显。即使对孔洞处重新形成SiC涂层，垒晶过程中温度均匀性及受气流本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种石墨盘，所述石墨盘包括石墨本体和在石墨本体表面沉积的涂层，其特征在于，/n所述石墨本体包括至少一个孔洞，所述每一孔洞中填充与其匹配的石墨块。/n

【技术特征摘要】
1.一种石墨盘，所述石墨盘包括石墨本体和在石墨本体表面沉积的涂层，其特征在于，
所述石墨本体包括至少一个孔洞，所述每一孔洞中填充与其匹配的石墨块。


2.如权利要求1所述石墨盘，其特征在于，所述石墨块为圆柱体结构，所述孔洞为圆柱形开孔。


3.如权利要求1所述的石墨盘，其特征在于，所述石墨块的从所述孔洞中露出的顶面上沉积有修复涂层，所述修复涂层的外侧表面与所述涂层的外侧表面相互齐平。


4.如权利要求3所述的石墨盘，其特征在于，所述涂层对应所述孔洞处具有裂缝，所述修复涂层沉积于所述裂缝中。


5.如权利要求4所述的石墨盘，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：聚灿光电科技宿迁有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32