一种用于制造抗反射薄膜的化合物以及抗反射薄膜的制造方法。化合物具有Ｓｉ（ＯＲ）↓［３］－Ｏ－［Ｓｉ（ＯＲ）↓［２］－Ｏ］↓［ｎ］－Ｓｉ（ＯＲ）↓［３］的结构，式中，Ｒ选自Ｃ↓［３］Ｈ↓［９］－、Ｃ↓［２］Ｈ↓［５］－或ＣＨ↓［３］－，并且ｎ为１至１５的整数。方法步骤包括：准备第一溶液，通过将上述化合物、氟代硅氧烷基单体、催化剂及溶剂的混合溶液进行溶胶－凝胶反应后而形成；将第一溶液涂布于表面；以及进行干燥工序，以形成抗反射薄膜。氟代硅氧烷基单体，具有ＣＦ↓［３］（ＣＦ↓［２］）↓［ｍ］ＣＨ↓［２］ＣＨ↓［２］－Ｓｉ（ＯＸ）↓［３］的结构，式中，Ｘ选自Ｃ↓［３］Ｈ↓［９］－、Ｃ↓［２］Ｈ↓［５］－或ＣＨ↓［３］－，ｍ为０至１０的整数。本发明专利技术的薄膜具有较低的光反射率，并且具有较高的耐磨耗度和硬度的物理性质。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于制造抗反射薄膜的化合物以及一种抗反 射薄膜的制造方法，用于制造可降低光学组件或显示装置的显示器 屏幕薄膜的光反射率。
技术介绍
光反射率是影响光学组件或显示装置的显示器中的屏幕显示 效果的重要因素之一。较低的光反射率可改善显示效果。因此，光 学组件或显示装置的显示器多会使用抗反射薄膜以降低光反射率。造成光反射的主要原因在于，当光波行进经过不同介质时，由 于不同介质具有不同折射率，导致有部分光会乂人不同介质界面射回 原介质中。已知的可降低光反射率的薄膜包括氟化物薄膜。其原理在于氟化物薄膜的折射率比基材低，且所反射的光线的相位差达到180° , 两界面的反射光线由于形成破坏性干涉而达到降低光反射的目的。 氟化物薄膜包括利用蒸镀法形成，然而，该方法在制作寿交大面积的 基板时，难以利用蒸镀法形成均匀的氟化物薄膜。在中国台湾专利第91136165号披露具有纳米结构的低反射率 薄膜。其原理是利用在薄膜表面形成雕紋等结构变化，进而使折射率产生变化。然而，该方法在工艺上较为繁瑣且成本较高。另外，在美国专利US20060099407中披露，在纳米粒子表面上改性使具有 反应性的末端官能基之后，再通过纳米粒子相互堆栈所形成的孔隙 而制成低反射率薄膜。这种薄膜浊度值(Haze)较高，且因结构中 孔隙较多而容易造成结构松散，导致耐磨耗等物理性质不好。在曰本专利特开昭61-40845及特^>平6-98703中4皮露涂布氟代 烷基硅烷或具有特定结构的氟代聚合物的方法。然而添加过量的氟 代化合物往往导致润湿效果差以及薄膜物理性质不良的缺点。在美 国专利US6472012中所披露的另一低光反射率薄膜制造方法的工 艺中需要经过420。C的高温处理，并不适于应用在如偏光板等不耐 高温的基板上。在美国专利US6773121中4皮露以常用的硅氧烷溶胶 -凝胶前体单体与含氟石圭氧烷基等单体进行^f氐温的溶力交-凝胶反应， 以制成抗反射薄膜。但是这种薄膜的抗反射程度并不理想。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种用于制造抗反射薄膜的化合 物，使薄膜具有较低的光反射率。本专利技术的另 一主要目的在于提供一种用于制造抗反射薄膜的 化合物，使薄膜具有较高的耐磨耗度与硬度的物理性质。本专利技术的另 一主要目的在于提供一种抗反射薄膜的制造方法， 使薄膜具有较低的光反射率。本专利技术的另 一主要目的在于提供一种抗反射薄膜的制造方法， 4吏薄力莫具有4交高的耐磨一毛度和石更度的物理性质。本专利技术的用于制造抗反射薄膜的化合物，其具有Si( OR VO-n-Si(OR)3的结构，式中，R选自C3H9-、 C2Hs-或CH3-， 并且n为1至15的整数。化合物分子量为400至2000。本专利技术的抗反射薄膜的制造方法步骤包括准备第一溶液，通 过将上述化合物、氟代硅氧烷基单体、催化剂以及溶剂的混合溶液 进行溶胶-凝胶反应而形成；将第一溶液涂布于表面；以及进行干燥 工序，以形成抗反射薄膜。氟代硅氧烷基单体，具有CF3(CF2) mCH2CH2-Si (OX) 3的结构，式中，X选自C3H9-、 C2H5-i^ CH3-， m为0至10的整凄史。方法进一步包括准备第二溶液，通过将直链型硅氧烷低聚物、 催化剂以及溶剂的混合溶液进行溶胶-凝月交反应而形成；以及以第一 溶液与第二溶液的混合溶液代替涂布步骤中的第 一溶液而涂布于 表面。催化剂包括酸性或碱性物质。附图说明图1为本专利技术的抗反射薄膜的制造方法的实施例流程图；以及 图2为本专利技术的抗反射薄膜的制造方法的优选实施例流程图。 具体实施例方式本专利技术提供一种用于制造抗反射薄膜的化合物，以及一种抗反 射薄膜的制造方法。本专利技术的用于制造抗反射薄膜的化合物为具有Si ( OR) 3-0-n-Si (OR) 3结构的直链型硅氧烷低聚物，式中，R选自 C3H9-、 C2Hs-或CH3-，并且n为1至15的整数。化合物分子量为 400至2000。在优选实施例中，上述直链型硅氧烷低聚物可与氟代硅氧烷基单体共同成为用于制造抗反射薄膜的化合物的组合物。其中，氟代硅氧烷基单体具有CF3 ( CF2 ) mCH2CH2-Si ( OX ) 3的结构， 式中，X选自C3H9-、 C2Hs-或CH3-,并且m为0至10的整数。图1示出本专利技术的抗反射薄膜的制造方法的实施例流程图。步 骤3001为准备第一溶液，通过将上述直链型硅氧烷低聚物、上述 氟代硅氧烷基单体、催化剂以及溶剂的混合溶液进行溶胶-凝胶反应 后而形成。上述催化剂包括酸性或^5咸性物质。在优选实施例中，催 化剂选用氯化氢(hydrogen chloride, HC1 )。;;容剂由异丙醇(i-propyl alcohol )、正丁酉f ( n-butanol )、异丁醇 (i画butanol )、叔丁醇(t-butanol )、 甲乙酮(methyl ethyl ketone )、 曱基异丁酮(methyl isobutyl ketone )、乙二醇正丙醚(ethylene glycol n-propyl ether )、 乙二醇单甲醚(ethylene glycol monomethyl ether )、 乙二醇单乙醚(ethylene glycol monoethyl ether )、 二亚乙基乙二西孚 单曱醚(diethylene glycol monomethyl ether )、 二亚乙基乙二醇单乙 醚(diethylene glycol monoethyl ether )、 亚丙基乙二酉孚单曱醚 (propylene glocol monoethyl ether)或其'混合物中选4奪。在4尤选实 施例中，容剂选用异丙醇。步骤3004为将第一溶液涂布于表面。在优选实施例中，第二 溶液的涂布方法使用的是棒涂法。然而在不同实施例中，第二溶液 的^余布方法可〗吏用兹:〉余法、浸:余法或喷f余法等方法。步骤3005为进行干燥工序，以形成抗反射薄膜。在优选实施 例中，干燥工序l吏用循环烘箱加热烘烤。然而在不同实施例中，也 可使用自然风干、真空干燥等千燥工序。以下举例说明上述抗反射 薄膜的制造方法及各步骤。实施例1取3克作为直链型硅氧烷低聚物的硅酸乙酯(ethyl silicate )、 2 克作为氟代硅氧烷基单体的十三氟-1,1,2,2 -四氢化辛基三甲氧硅烷 (tridecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrooctyl) trimethoxysilan 、 10克作为溶 剂的异丙醇、以及1.5克作为催化剂的0.1N氯化氢，在室温中搅拌 30分钟直至完全达到均相，而后在70。C的反应温度下进行溶胶-凝 胶反应2小时后，降至室温，即形成第一〉容液。在优选实施例中， 第一溶液可进一步以0.45um的过滤器过滤，并冷藏备用。取1.5克上述第一溶液、3.5克异丙醇溶剂、以及0.5克乙二醇 正丙醚溶剂，于室温中搅拌10分钟后，用4号棒、以涂布速率80 mm/s涂布于基板表面上，并置于100。C的循环烘箱中烘烤5分钟， 而后以90。C恒温烘烤20小时之后取出，即可得到附着于基板表面 的抗反射薄膜。图2示出本专利技术的优选实施例流程图，在优选实施例中，本发 明的抗反射薄膜的制本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于制造抗反射薄膜的化合物，具有下式所示的结构： Ｓｉ（ＯＲ）↓［３］－Ｏ－［Ｓｉ（ＯＲ）↓［２］－Ｏ］↓［ｎ］－Ｓｉ（ＯＲ）↓［３］，其中，Ｒ选自Ｃ↓［３］Ｈ↓［９］－、Ｃ↓［２］Ｈ↓［５］－或ＣＨ↓［３］－；并且ｎ为１至１５的 整数。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：翁畅健，陈庆松，
申请(专利权)人：达信科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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