【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有改善的功率耐久性和耐热性的SAW谐振器以及包括SAW谐振器的RF滤波器
本专利技术涉及SAW谐振器(SAW＝表面声波)，该SAW谐振器具有改善的功率耐久性和耐热性并且保护对应设备不会发生故障。进一步地，本专利技术涉及包括至少一个这种谐振器的RF滤波器。
技术介绍
在移动通信系统中，需要RF滤波器来区分需要的RF信号和不需要的RF信号。可以在移动通信设备的前端系统中利用RF滤波器。例如，功率放大器与天线端口之间的传输滤波器用于使仅传输信号传播到天线端口。在接收信号路径中，接收信号用于传递接收信号，特别是用于隔离传输信号的接收端口。诸如与声波一起工作的RF滤波器之类的RF滤波器包括电声谐振器。特别地，与表面声波一起工作的SAW谐振器包括电极结构，其布置在压电材料上。电极结构包括叉指电极，其电极指连接到汇流条。RF滤波器的谐振器暴露于RF功率。电极中的欧姆损耗或其他能量耗散效应会导致能量从RF能量转换为热量。相应地，由于压电层的膨胀和材料特性的改变(例如，升高的温度下的弹性刚度)，所以加热的谐振器遭受诸如谐振频...
【技术保护点】
1.一种SAW谐振器，包括：/n-载体衬底、电极结构、以及在所述载体衬底与所述电极结构之间布置的压电材料；/n-分流路径，平行于所述电极结构并且被设置为使得RF信号绕过所述电极结构；/n其中/n-所述分流路径具有温度相关电导。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180411 DE 102018108605.91.一种SAW谐振器，包括：
-载体衬底、电极结构、以及在所述载体衬底与所述电极结构之间布置的压电材料；
-分流路径，平行于所述电极结构并且被设置为使得RF信号绕过所述电极结构；
其中
-所述分流路径具有温度相关电导。
2.根据前述权利要求所述的SAW谐振器，还包括反射结构，所述电极结构布置在所述反射结构之间。
3.根据前述权利要求中一项所述的SAW谐振器，其中所述压电材料被包含在压电层中，并且所述SAW谐振器是TF-SAW谐振器。
4.根据前述权利要求中一项所述的SAW谐振器，包括保护元件，其中所述保护元件具有温度相关电导并且建立所述分流路径的元件。
5.根据前述权利要求中一项所述的SAW谐振器，其中所述载体衬底包括硅。
6.根据前述权利要求中一项所述的SAW谐振器，还包括所述载体衬底与所述压电材料之间的分流层。
7.根据前一权利要求所述的SAW谐振器，其中所述分流层包括多晶硅。
8.根据前一权利要求所述的SAW谐振器，其中所述分流层：
-在低于100℃的温度下的电导率低于10-31/Ωcm；以及
-在高于200℃的温度下的电导率高于10-31/Ωcm。
9.根据前述...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·许克，
申请(专利权)人：RF三六零欧洲有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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