谐振器制造方法技术

一种谐振器制造方法，包括：在衬底上形成牺牲层图形；在牺牲层图形上形成下电极；在下电极上形成第二牺牲层图形；在第二牺牲层图形和下电极上形成压电层和上电极；去除牺牲层图形和第二牺牲层图形，在上电极和下电极之间留下气隙并在下电极和衬底之间留下谐振腔。依照本发明专利技术的谐振器制造方法，利用图形化的牺牲层同时形成谐振腔和电极气隙，并以此形成了多种改善器件特性的微结构如OT和Innie结构，高效且低成本了提高了器件的性能和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
谐振器制造方法
本专利技术涉及一种谐振器制造方法，特别是一种具有气隙的谐振器的制造方法。
技术介绍
在无线通讯中，射频滤波器作为过滤特定频率信号的中介，用于减少不同频段的信号干扰，在无线收发器中实现镜像消除、寄生滤波和信道选择等功能。随着4GLTE网络的部署和市场的增长，射频前端的设计朝着小型化、低功耗和集成化的方向发展，市场对滤波性能的要求也越来越高。由于薄膜体声波谐振器(FilmBulkAcousticResonator，简称“FBAR”，也称“体声波”，BulkAcousticWave，简称“BAW”，)具有尺寸小、工作频率高、功耗低、品质因数(Q值)高、直接输出频率信号、与CMOS工艺兼容等特点，目前已经成为射频通讯领域重要的器件被广泛应用。FBAR是制作在衬底材料上的电极——压电膜——电极的三明治结构的薄膜器件。FBAR的结构有空腔型、布拉格反射型(SMR)和背面刻蚀型。其中空腔型FBAR相对SMR型Q值要高，损耗要小，机电耦合系数要高；相对于背面刻蚀型FBAR不需要去掉大面积的衬底，机械强度较高。因此，空腔型FBAR是集成于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种谐振器制造方法，包括：/n在衬底上形成牺牲层图形；/n在牺牲层图形上形成下电极；/n在下电极上形成第二牺牲层图形；/n在第二牺牲层图形和下电极上形成压电层和上电极；/n去除牺牲层图形和第二牺牲层图形，在上电极和下电极之间留下气隙并在下电极和衬底之间留下谐振腔。/n

【技术特征摘要】
1.一种谐振器制造方法，包括：
在衬底上形成牺牲层图形；
在牺牲层图形上形成下电极；
在下电极上形成第二牺牲层图形；
在第二牺牲层图形和下电极上形成压电层和上电极；
去除牺牲层图形和第二牺牲层图形，在上电极和下电极之间留下气隙并在下电极和衬底之间留下谐振腔。


2.根据权利要求1的谐振器制造方法，形成牺牲层图形的步骤包括：
在衬底上形成牺牲层；
在牺牲层上形成光刻胶图形；
以光刻胶图形为掩模刻蚀形成牺牲层图形。


3.根据权利要求2的谐振器制造方法，形成光刻胶图形之后进一步包括修饰光刻胶图形以缩减尺寸。


4.根据权利要求1的谐振器制造方法，其中，牺牲层图形包括中心部分，在中心部分外侧的环形突起部分用于形成凹陷结构，以及在环形突起部分外侧的环形边缘部分用于形成框架结构。

【专利技术属性】
技术研发人员：唐兆云，王家友，唐滨，赖志国，杨清华，
申请(专利权)人：苏州汉天下电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32