体声波谐振器制造技术

提供一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括：基板，包括外部连接电极；连接层，连接到所述外部连接电极且设置在所述基板上；第一电极，被设置为覆盖所述连接层的至少一部分；压电层，被设置为覆盖所述第一电极的至少一部分；以及第二电极，被设置为覆盖所述压电层的至少一部分。所述连接层可被设置为围绕腔，并且可连接到所述第一电极和所述第二电极。

【技术实现步骤摘要】
体声波谐振器本申请要求于2019年6月14日提交到韩国知识产权局的第10-2019-0070782号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
以下描述涉及一种体声波谐振器。
技术介绍
近来，随着5G通信模块已变得流行，正在开发5G体声波(BAW)滤波器。在用于5G的BAW滤波器中，随着通信距离减小，信号强度和功率增大，并且BAW滤波器中的谐振器的温度与功率的增大紧密相关，使得谐振器的温度与功率的增大之间的关系是线性的。因此，开发使谐振器中产生的温度升高适当地消散的结构可能是有益的
技术实现思路
提供本
技术实现思路
以按照简化的形式对所选择的构思进行介绍，并且下面在具体实施方式中进一步描述所述构思。本
技术实现思路
既不意在限定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。在一个总体方面，一种体声波谐振器包括：连接层，设置在基板上；第一电极，被设置为覆盖所述连接层的至少一部分；压电层，被设置为覆盖所述第一电极的至少一部分；以及第二电极，被设置为覆盖所述压电层的至少一部分，其中，所述连接层被设置为围绕腔，并且被设置为连接到所述第一电极和所述第二电极中的至少一个。所述基板可被包括在所述体声波谐振器中，所述基板包括外部连接电极，其中，所述连接层连接到所述外部连接电极。所述连接层可包括第一金属层，所述第一金属层包含铝(Al)、铜(Cu)和钨(W)中的至少一种。所述连接层还可包括阻挡层，所述阻挡层至少设置在所述第一金属层的下方。所述阻挡层可利用氧化锰(MnO)、氧化锆(ZrO2)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化锌(ZnO)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、铂(Pt)、镓(Ga)、铪(Hf)、二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钽(Ta)和氮化钽(TaN)中的至少一种形成。所述体声波谐振器还可包括牺牲层，所述牺牲层被设置为从所述连接层延伸。所述体声波谐振器还可包括金属焊盘，所述金属焊盘连接到所述连接层。所述体声波谐振器还可包括种子层，所述种子层至少设置在所述连接层的上表面上。所述种子层可利用包含钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钽(Ta)和氮化钽(TaN)中的至少一种的材料形成。所述体声波谐振器还可包括插入层，所述插入层设置在所述第一电极与所述压电层之间。在一个总体方面，一种体声波谐振器包括：基板；蚀刻防止层，设置在所述基板上且被设置为围绕腔；牺牲层，被设置为围绕所述蚀刻防止层；连接层，设置在所述牺牲层中；第一电极，具有连接到所述连接层的一部分；压电层，具有被设置为覆盖所述第一电极的至少一部分；以及第二电极，被设置为覆盖所述压电层的至少一部分，其中，所述连接层连接到所述第一电极和所述第二电极。所述体声波谐振器还可包括外部连接电极，所述外部连接电极连接到所述连接层，并且被设置为穿过所述基板和所述牺牲层。所述连接层可包括第一金属层，所述第一金属层包含铝(Al)、铜(Cu)和钨(W)中的至少一种。所述连接层还可包括阻挡层，所述阻挡层至少设置在所述第一金属层的下方。所述阻挡层可利用氧化锰(MnO)、氧化锆(ZrO2)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化锌(ZnO)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、铂(Pt)、镓(Ga)、铪(Hf)、二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钽(Ta)和氮化钽(TaN)中的至少一种形成。所述体声波谐振器还可包括种子层，所述种子层至少设置在所述连接层的上表面上。所述种子层可利用包含钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钽(Ta)和氮化钽(TaN)中的至少一种的材料形成。所述连接层可具有与所述牺牲层的厚度对应的厚度。在一个总体方面，一种体声波谐振器包括：基板；牺牲层；连接层，设置在所述基板上；第一电极，设置在所述连接层的上表面上；以及连接电极，设置在所述连接层的下表面上，其中，所述连接层设置在所述牺牲层内，并且其中，所述连接电极被设置为穿过所述基板。所述连接层可包括第一金属层和阻挡层，所述阻挡层设置在所述第一金属层的下方。附图说明图1是示出体声波谐振器的示例的平面图；图2是沿图1的线I-I'截取的截面图；图3是沿图1的线II-II'截取的截面图；图4是沿图1的线III-III'截取的截面图；图5是示出典型的体声波谐振器中的外部连接电极的膨胀现象的示图；图6是示出体声波谐振器的示例的示意性截面图；图7是示出体声波谐振器的示例的示意性截面图；图8是示出体声波谐振器的示例的示意性截面图；图9是示出体声波谐振器的示例的示意性截面图；图10是示出体声波谐振器的示例的示意性截面图；图11是示出体声波谐振器的示例的示意性截面图；以及图12是示出体声波谐振器的示例的示意性截面图。在所有的附图和具体实施方式中，除非另外描述或提供，否则相同的附图标记将被理解为指代相同的元件、特征和结构。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明及便利起见，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。具体实施方式提供以下具体实施方式以帮助读者获得对这里所描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容后，这里所描述的方法、设备和/或系统的各种变换、修改及等同物将是显而易见的。例如，这里所描述的操作顺序仅仅是示例，其并不局限于这里所阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，可做出在理解本申请的公开内容后将是显而易见的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略公知的特征的描述。这里所描述的特征可按照不同的形式实施，并且将不被解释为限于这里所描述的示例。更确切的说，已提供这里所描述的示例仅仅是为了示出在理解本申请的公开内容后将是显而易见的实现这里所描述的方法、设备和/或系统的很多可行方式中的一些可行方式。尽管可在这里使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语的限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因而，在不脱离示例的教导的情况下，这里所描述的示例中所称的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分也可以被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。这里使用的术语仅用于描述各种示例且不用于限制本公开。除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式也意图包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在所陈述的特征、数字、操作、构件、元件和/或它本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种体声波谐振器，包括：/n连接层，设置在基板上；/n第一电极，被设置为覆盖所述连接层的至少一部分；/n压电层，被设置为覆盖所述第一电极的至少一部分；以及/n第二电极，被设置为覆盖所述压电层的至少一部分，/n其中，所述连接层被设置为围绕腔，并且被设置为连接到所述第一电极和所述第二电极中的至少一个。/n

【技术特征摘要】
20190614 KR 10-2019-00707821.一种体声波谐振器，包括：
连接层，设置在基板上；
第一电极，被设置为覆盖所述连接层的至少一部分；
压电层，被设置为覆盖所述第一电极的至少一部分；以及
第二电极，被设置为覆盖所述压电层的至少一部分，
其中，所述连接层被设置为围绕腔，并且被设置为连接到所述第一电极和所述第二电极中的至少一个。


2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述基板被包括在所述体声波谐振器中并且包括外部连接电极，
其中，所述连接层连接到所述外部连接电极。


3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述连接层包括第一金属层，所述第一金属层包含铝、铜和钨中的至少一种。


4.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所述连接层还包括阻挡层，所述阻挡层至少设置在所述第一金属层的下方。


5.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其中，所述阻挡层利用氧化锰、氧化锆、氮化铝、锆钛酸铅、砷化镓、氧化铪、氧化铝、氧化钛、氧化锌、铝、镍、铬、铂、镓、铪、二氧化硅、氮化硅、钛、氮化钛、钽和氮化钽中的至少一种形成。


6.根据权利要求1所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括牺牲层，所述牺牲层被设置为从所述连接层延伸。


7.根据权利要求1所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括金属焊盘，所述金属焊盘连接到所述连接层。


8.根据权利要求1所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括种子层，所述种子层至少设置在所述连接层的上表面上。


9.根据权利要求8所述的体声波谐振器，其中，所述种子层利用包含钛、氮化钛、钽和氮化钽中的至少一种的材料形成。


10.根据权利要求1所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括插入层，所述插入层设置在所述第一电极与所述压电层之间。


11.一种体声波谐振器，包括：
基板；
蚀刻防止层，设置在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泰京，庆济弘，李文喆，孙晋淑，申兰姬，李华善，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR