体声波谐振器制造技术

提供一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括：基板，包括外部连接电极；连接层，连接到所述外部连接电极且设置在所述基板上；第一电极，被设置为覆盖所述连接层的至少一部分；压电层，被设置为覆盖所述第一电极的至少一部分；以及第二电极，被设置为覆盖所述压电层的至少一部分。所述连接层可被设置为围绕腔，并且可连接到所述第一电极和所述第二电极。

【技术实现步骤摘要】
体声波谐振器本申请要求于2019年6月14日提交到韩国知识产权局的第10-2019-0070782号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
以下描述涉及一种体声波谐振器。
技术介绍
近来，随着5G通信模块已变得流行，正在开发5G体声波(BAW)滤波器。在用于5G的BAW滤波器中，随着通信距离减小，信号强度和功率增大，并且BAW滤波器中的谐振器的温度与功率的增大紧密相关，使得谐振器的温度与功率的增大之间的关系是线性的。因此，开发使谐振器中产生的温度升高适当地消散的结构可能是有益的
技术实现思路
提供本
技术实现思路
以按照简化的形式对所选择的构思进行介绍，并且下面在具体实施方式中进一步描述所述构思。本
技术实现思路
既不意在限定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。在一个总体方面，一种体声波谐振器包括：连接层，设置在基板上；第一电极，被设置为覆盖所述连接层的至少一部分；压电层，被设置为覆盖所述第一电极的至少一部分；以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种体声波谐振器，包括：/n连接层，设置在基板上；/n第一电极，被设置为覆盖所述连接层的至少一部分；/n压电层，被设置为覆盖所述第一电极的至少一部分；以及/n第二电极，被设置为覆盖所述压电层的至少一部分，/n其中，所述连接层被设置为围绕腔，并且被设置为连接到所述第一电极和所述第二电极中的至少一个。/n

【技术特征摘要】
20190614 KR 10-2019-00707821.一种体声波谐振器，包括：
连接层，设置在基板上；
第一电极，被设置为覆盖所述连接层的至少一部分；
压电层，被设置为覆盖所述第一电极的至少一部分；以及
第二电极，被设置为覆盖所述压电层的至少一部分，
其中，所述连接层被设置为围绕腔，并且被设置为连接到所述第一电极和所述第二电极中的至少一个。


2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述基板被包括在所述体声波谐振器中并且包括外部连接电极，
其中，所述连接层连接到所述外部连接电极。


3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述连接层包括第一金属层，所述第一金属层包含铝、铜和钨中的至少一种。


4.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所述连接层还包括阻挡层，所述阻挡层至少设置在所述第一金属层的下方。


5.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其中，所述阻挡层利用氧化锰、氧化锆、氮化铝、锆钛酸铅、砷化镓、氧化铪、氧化铝、氧化钛、氧化锌、铝、镍、铬、铂、镓、铪、二氧化硅、氮化硅、钛、氮化钛、钽和氮化钽中的至少一种形成。


6.根据权利要求1所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括牺牲层，所述牺牲层被设置为从所述连接层延伸。


7.根据权利要求1所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括金属焊盘，所述金属焊盘连接到所述连接层。


8.根据权利要求1所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括种子层，所述种子层至少设置在所述连接层的上表面上。


9.根据权利要求8所述的体声波谐振器，其中，所述种子层利用包含钛、氮化钛、钽和氮化钽中的至少一种的材料形成。


10.根据权利要求1所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括插入层，所述插入层设置在所述第一电极与所述压电层之间。


11.一种体声波谐振器，包括：
基板；
蚀刻防止层，设置在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泰京，庆济弘，李文喆，孙晋淑，申兰姬，李华善，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR