面发光激光器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及面发光激光器及其制造方法，一种面发光激光器，具备：基板；半导体层，设置在所述基板上，包括下部反射镜层、活性层及上部反射镜层，形成台面；第一绝缘膜，将所述台面覆盖；及第二绝缘膜，将所述第一绝缘膜覆盖，所述台面在所述基板扩展的方向上具有多角形的形状，所述台面的在所述基板扩展的方向上的顶点具有倒角部。

【技术实现步骤摘要】
面发光激光器及其制造方法本申请基于2019年06月28日提出的日本专利申请特愿2019-121453号主张优先权，并将前述的日本专利申请记载的全部内容援引于此。
本专利技术涉及面发光激光器及其制造方法。
技术介绍
专利文献1公开了垂直共振型面发光激光器(VCSEL)。【在先技术文献】【专利文献】【专利文献1】国际公开第2015/033649号
技术实现思路
【专利技术要解决的课题】有时使用不使VCSEL的芯片封装化而向基板直接安装的板上芯片方式。在该情况下，提高VCSEL自身的对于湿气及灰尘等的耐性的情况至关重要。为了保护VCSEL的芯片免于遭受湿气等而利用绝缘膜(钝化膜)将芯片的表面覆盖。然而，存在水分等从绝缘膜的缺陷侵入而芯片腐蚀的情况。因此，本专利技术的目的在于提供一种能够实现耐湿性的改善的面发光激光器及其制造方法。【用于解决课题的方案】本专利技术的面发光激光器具备：基板；半导体层，设置在所述基板上，包括下部反射镜层、活性层及上部反射镜层，形成台面；第一绝缘膜，将所述台面覆盖；及第二绝缘膜，将所述第一绝缘膜覆盖，所述台面在所述基板的上表面具有多角形的形状，所述台面的在所述基板的上表面上的顶点具有倒角部。本专利技术的面发光激光器的制造方法包括如下工序：在基板上层叠包含下部反射镜层、活性层及上部反射镜层在内的半导体层的工序；从所述半导体层以在顶点形成倒角部的方式在所述基板扩展的方向上形成具有多角形的形状的台面的工序；在形成所述台面的工序之后，形成覆盖所述半导体层的第一绝缘膜的工序；将所述第一绝缘膜中的所述台面的外侧的部分除去的工序；在将所述第一绝缘膜中的所述台面的外侧的部分除去的工序之后，形成覆盖所述第一绝缘膜的第二绝缘膜的工序；及在所述第二绝缘膜上设置抗蚀剂，通过使用了所述抗蚀剂的蚀刻将所述第二绝缘膜中的比所述第一绝缘膜靠外侧的部分除去的工序。附图说明图1A是例示实施例1的面发光激光器的俯视图。图1B是例示面发光激光器的剖视图。图2A是将槽附近放大的俯视图。图2B是将槽附近放大的剖视图。图3A及图3B是例示面发光激光器的制造方法的剖视图。图4A及图4B是例示面发光激光器的制造方法的剖视图。图5A及图5B是例示面发光激光器的制造方法的剖视图。图6A及图6B是例示面发光激光器的制造方法的剖视图。图7A及图7B是例示面发光激光器的制造方法的剖视图。图8A及图8B是将槽附近放大的俯视图。图9A～图9C是将槽附近放大的俯视图。图10A及图10B是将槽附近放大的剖视图。图11A～图11D是将槽附近放大的剖视图。图12A～图12C是将槽附近放大的剖视图。图13A及图13B是将槽附近放大的俯视图。图13C及图13D是将槽附近放大的剖视图。【标号说明】10基板11、13槽12下部反射镜层14活性层15、17、18绝缘膜16上部反射镜层17a、18a端部18b、18c开口部19、41台面20高电阻区域30、33电极31、34配线32、35焊盘36、37、38、39光致抗蚀剂40半导体层41a下侧端部41b上侧端部42倒角部44顶点100面发光激光器具体实施方式[本申请专利技术的实施方式的说明]首先，列举本申请专利技术的实施方式的内容进行说明。关于本申请专利技术的一方式，(1)一种面发光激光器，具备：基板；半导体层，设置在所述基板上，包括下部反射镜层、活性层及上部反射镜层，形成台面；第一绝缘膜，将所述台面覆盖；及第二绝缘膜，将所述第一绝缘膜覆盖，所述台面在所述基板扩展的方向上具有多角形的形状，所述台面的所述基板扩展的方向上的顶点具有倒角部。在台面设置倒角部，在该倒角部上覆盖第一绝缘膜，进而在该第一绝缘膜上覆盖第二绝缘膜。由于在台面设置倒角部，因此抗蚀剂的附着性变得良好，在第二绝缘膜难以产生缺陷。因此，耐湿性改善。(2)所述倒角部的曲率半径也可以为10μm以上且20μm以下。由于设置倒角部，因此抗蚀剂的附着性良好，在第二绝缘膜难以产生缺陷。因此，耐湿性改善。(3)也可以是，所述第一绝缘膜的端部位于所述台面的端部与所述基板的端部之间，所述第二绝缘膜将所述第一绝缘膜的端部覆盖，所述第二绝缘膜的端部位于所述第一绝缘膜的端部与所述基板的端部之间。由于第一绝缘膜未露出，因此耐湿性改善。(4)也可以是，所述台面的端部与所述第一绝缘膜的端部之间的距离为2.5μm以上，所述第一绝缘膜的端部与所述第二绝缘膜的端部之间的距离为1μm以上。第二绝缘膜向第一绝缘膜的端部的外侧延伸，第一绝缘膜未露出，因此耐湿性改善。(5)也可以是，所述第一绝缘膜包含硅及氧，所述第二绝缘膜包含氮化硅。第一绝缘膜的介电常数低，能抑制寄生电容。第二绝缘膜比第一绝缘膜致密，因此耐湿性改善。(6)所述台面的侧面也可以从所述半导体层的层叠方向倾斜。通过利用第二绝缘膜覆盖台面的倾斜的侧面而耐湿性改善。(7)一种面发光激光器的制造方法，包括如下工序：在基板上层叠包含下部反射镜层、活性层及上部反射镜层的半导体层的工序；从所述半导体层，以在顶点形成倒角部的方式，在所述基板扩展的方向上形成具有多角形的形状的台面的工序；在形成所述台面的工序之后，形成覆盖所述半导体层的第一绝缘膜的工序；将所述第一绝缘膜中的所述台面的外侧的部分除去的工序；在将所述第一绝缘膜中的所述台面的外侧的部分除去的工序之后，形成覆盖所述第一绝缘膜的第二绝缘膜的工序；及在所述第二绝缘膜上设置抗蚀剂，利用使用了所述抗蚀剂的蚀刻将所述第二绝缘膜中的比所述第一绝缘膜靠外侧的部分除去的工序。由于设置倒角部，因此抗蚀剂的附着性良好，在第二绝缘膜难以产生缺陷。因此，耐湿性改善。(8)也可以具有如下工序：在将所述第二绝缘膜中的比所述第一绝缘膜靠外侧的部分除去的工序之后，所述基板露出，将所述露出的基板切断。由于将从第二绝缘膜露出的基板切断，因此第二绝缘膜难以剥离，耐湿性改善。[本申请专利技术的实施方式的详情]以下，参照附图，说明本专利技术的实施方式的面发光激光器及其制造方法的具体例。需要说明的是，本专利技术不限于这些例示，而是旨在由权利要求书所示的，包含与权利要求书等同的含义及范围内的全部变更。【实施例1】(面发光激光器)图1A是例示实施例1的面发光激光器100的俯视图，图1B是例示面发光激光器100的剖视图。如图1A所示，面发光激光器100例如是边长为200μm～300μm的矩形的VCSEL。通过将多个面发光激光器100制成在一张基板上并利用设置在面发光激光器100之间的槽将其切断，来进行面发光激光器100的制造。因此，在面发光激光器100的外周部设置元件分离用的槽11。在槽11处基板10露出本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种面发光激光器，具备：/n基板；/n半导体层，设置在所述基板上，包括下部反射镜层、活性层及上部反射镜层，形成台面；/n第一绝缘膜，将所述台面覆盖；及/n第二绝缘膜，将所述第一绝缘膜覆盖，/n所述台面在所述基板的上表面具有多角形的形状，所述台面的在所述基板的上表面上的顶点具有倒角部。/n

【技术特征摘要】
20190628 JP 2019-1214531.一种面发光激光器，具备：
基板；
半导体层，设置在所述基板上，包括下部反射镜层、活性层及上部反射镜层，形成台面；
第一绝缘膜，将所述台面覆盖；及
第二绝缘膜，将所述第一绝缘膜覆盖，
所述台面在所述基板的上表面具有多角形的形状，所述台面的在所述基板的上表面上的顶点具有倒角部。


2.根据权利要求1所述的面发光激光器，其中，
所述倒角部的边缘具有曲线形状，
该曲线形状的曲率半径为10μm以上且20μm以下。


3.根据权利要求1或2所述的面发光激光器，其中，
所述第一绝缘膜的端部位于所述台面的端部与所述基板的端部之间，
所述第二绝缘膜将所述第一绝缘膜的端部覆盖，
所述第二绝缘膜的端部位于所述第一绝缘膜的端部与所述基板的端部之间。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的面发光激光器，其中，
所述台面的端部与所述第一绝缘膜的端部之间的距离为2.5μm以上，
所述第一绝缘膜的端部与所述第二绝缘膜的端部之间的距离为1μm以上。


5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：辻幸洋，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP