一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器制造技术

一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，属于激光器技术领域。自下而上层叠，层依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、下分布布拉格反射镜(3)、下相位匹配层(4)、亚集电极层(5)、集电极层(6)、基极及量子阱有源区层(7)、发射极层(8)、上相位匹配层(9)、氧化限制层(10)、上分布布拉格反射镜层(11)。本发明专利技术提供的微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，将VCSEL的优异光学性能与异质结晶体管的高速电学性能相结合，可以应用在光学互联和OEIC等领域。

【技术实现步骤摘要】
一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器
本专利技术涉及微波及半导体激光器领域，特别涉及一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器。
技术介绍
2005年，美国伊利诺伊大学的一个研究小组在世界上首次报道了一种称为异质结双极型晶体管激光器的半导体器件(Appl.Phys.Lett.87，131103)，仅利用较为简单的外延及制作工艺，该器件同时实现了激光器的发光功能和晶体管的放大功能。与普通晶体管的不同之处在于，晶体管的基区中引入了一个量子阱。在一定的基极-发射极电压下，电子会由发射区注入基区，部分电子在量子阱区与空穴复合发光，另一部分电子则由反向偏置的基极-集电极电压快速扫出基区。由于具有将基区电子快速扫出的功能，与传统的激光二极管相比，晶体管激光器的基区的电子寿命要小得多，因而有望得到更高的直接调制速率。目前，传统的半导体激光器的直接调制速率很难超过10Ghz，一般都需要利用电光调制器提高频率，而晶体管激光器的直接调制速率可超过40Ghz。另外，晶体管激光器的结构和制作工艺与微波电子学器件兼容，很容易实现HBT调制驱动电路和激光器的集成。正本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，其特征在于，自下而上层叠，层依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、下分布布拉格反射镜(3)、下相位匹配层(4)、亚集电极层(5)、集电极层(6)、基极及量子阱有源区层(7)、发射极层(8)、上相位匹配层(9)、氧化限制层(10)、上分布布拉格反射镜层(11)。/n

【技术特征摘要】
1.一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，其特征在于，自下而上层叠，层依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、下分布布拉格反射镜(3)、下相位匹配层(4)、亚集电极层(5)、集电极层(6)、基极及量子阱有源区层(7)、发射极层(8)、上相位匹配层(9)、氧化限制层(10)、上分布布拉格反射镜层(11)。


2.按照权利要求1所述的一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述衬底(1)选自InP衬底、是GaAs衬底、GaN衬底、SiC衬底或是Si衬底。


3.按照权利要求1所述的一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述基极及量子阱有源区层(7)中，有源区量子阱的个数为3-6个。


4.按照权利要求1所述的一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，其特征在于，由发射极层(8)注入的电子一部分在基极及量子阱有源区层(7)中辐射复合发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：王智勇，徐晟，李冲，周广正，王聪聪，黄瑞，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：北京;11