半导体光集成元件制造技术

在将第一半导体光元件(101)和第二半导体光元件(103)单片集成于同一半导体基板(1、104)的一个面的半导体光集成元件中，第一半导体光元件(101)的n侧包层(51)和第二半导体光元件(103)的n侧包层(53)电绝缘，并且用于与第一半导体光元件(101)及第二半导体光元件(103)中的至少一者的n侧包层(51、53)电连接的n侧接触层(41、43)设置于该n侧包层(51、53)和半导体基板(1、104)之间，n侧接触层(41、43)和与设置有该n侧接触层(41、43)的半导体光元件(101、103)不同的半导体光元件(101、103)的p侧包层(9)电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体光集成元件
本申请涉及集成了半导体光元件的半导体光集成元件。
技术介绍
在中继站和用户之间的光通信系统即接入系统中，当前大多使用适于低速调制的直接调制型半导体激光发送器(DML：DirectlyModulatedLaser)，但在进行10Gb/s或其以上的高速通信的情况下，应用集成有适于高速调制的电场吸收型半导体光调制器(EAM：Electro-absorptionModulator)和分布反馈型半导体激光器(DFB-LD：DistributedFeedbackLaserDiode，为了简单，有时也记载为LD)这两者的半导体光集成元件即EML(Electro-absorptionModulatorintegratedLaser)。在接入系统中，由于相对于多个用户使光信号分支，因此信号光强度衰减。因此，在分支前，半导体激光发送器的高输出化成为课题。由于外部调制器即EAM伴随有插入损耗，因此为了使EML高输出化，需要增大LD的驱动电流而使光输出增加。但是，由于存在LD的光输出增加具有极限、LD及调温元件的耗电量增大、EAM的消光特性与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体光集成元件，其将均以空穴从p侧包层注入至有源层、电子从n侧包层注入至有源层的方式构成的第一半导体光元件和第二半导体光元件单片集成于同一半导体基板的一个面，/n该半导体光集成元件的特征在于，/n所述第一半导体光元件的n侧包层和所述第二半导体光元件的n侧包层被电绝缘，并且用于与所述第一半导体光元件及所述第二半导体光元件中的至少一者的所述n侧包层电连接的n侧接触层设置于该n侧包层和所述半导体基板之间，/n构成为所述n侧接触层和所述第一半导体光元件及所述第二半导体光元件中的与设置有该n侧接触层的半导体光元件不同的半导体光元件的所述p侧包层被电连接，所述第一半导体光元件和所述第二半导体光元...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体光集成元件，其将均以空穴从p侧包层注入至有源层、电子从n侧包层注入至有源层的方式构成的第一半导体光元件和第二半导体光元件单片集成于同一半导体基板的一个面，
该半导体光集成元件的特征在于，
所述第一半导体光元件的n侧包层和所述第二半导体光元件的n侧包层被电绝缘，并且用于与所述第一半导体光元件及所述第二半导体光元件中的至少一者的所述n侧包层电连接的n侧接触层设置于该n侧包层和所述半导体基板之间，
构成为所述n侧接触层和所述第一半导体光元件及所述第二半导体光元件中的与设置有该n侧接触层的半导体光元件不同的半导体光元件的所述p侧包层被电连接，所述第一半导体光元件和所述第二半导体光元件电气地串联连接。


2.根据权利要求1所述的半导体光集成元件，其特征在于，
所述n侧接触层从设置有该n侧接触层的半导体光元件的所述n侧包层向侧方伸出。


3.根据权利要求1或2所述的半导体光集成元件，其特征在于，
所述半导体基板为导电性的半导体基板，在所述半导体基板和所述n侧接触层之间设置有电绝缘层。

【专利技术属性】
技术研发人员：松本启资，石村荣太郎，加治屋哲，西川智志，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP