半导体激光器、巴条及制作方法技术

本发明专利技术公开了半导体激光器、巴条及制作方法，其中，半导体激光器，包括：衬底；外延结构，覆盖于所述衬底的上表面；第一绝缘层，覆盖于所述外延结构的上表面，并在厚度方向开设有贯穿的电流注入窗口；第一电极，覆盖于所述第一绝缘层的上表面以及所述外延结构通过所述电流注入窗口外露的部分的上表面；第二绝缘层，在对应所述电流注入窗口位置处覆盖于所述第一电极的上表面，在所述第一绝缘层上的投影的外轮廓与所述电流注入窗口的边缘相对应，以使得所述第二绝缘层可以部分或全部地抵消所述第一绝缘层在所述电流注入窗口的边缘处对所述外延结构产生的应力。通过上述方式，本发明专利技术能够减小工艺过程中引入的应力对半导体材料造成的影响。

【技术实现步骤摘要】
半导体激光器、巴条及制作方法
本专利技术涉及半导体激光器
，特别是涉及一种半导体激光器、巴条及制作方法。
技术介绍
水平发散角的大小和光斑的强度分布是影响光纤耦合效率的重要因素之一。在沉积绝缘层限制电流注入的半导体激光器中，光弹性波导是其一种重要的光传导特性。在半导体激光器电流注入窗口下，有源区折射率出现的微小变化都会导致光弹性波导形成，而该区域折射率的变化则受电流注入窗口下半导体材料应力场分布的影响。由于Ⅲ-Ⅴ族半导体材料普遍具有较大的光弹性系数，因此引入较小的应力就会导致材料折射率发生明显变化。半导体激光器的电流注入窗口的制作方法是：p型接触层上通过PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积法)或者CVD(chemicalvapordeposition，化学气相沉积法)沉积绝缘层；在绝缘层上涂覆光刻胶，在光刻胶的掩蔽下，利用腐蚀液体在绝缘层的中间处开设出电流注入窗口。由于绝缘层与半导体材料的热膨胀系数不同，在后续热处理过程中，绝缘层在半导体材料表面会引入应力本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：/n衬底；/n外延结构，覆盖于所述衬底的上表面；/n第一绝缘层，覆盖于所述外延结构的上表面，并在厚度方向开设有贯穿的电流注入窗口；/n第一电极，覆盖于所述第一绝缘层的上表面以及所述外延结构通过所述电流注入窗口外露的部分的上表面；/n第二绝缘层，在对应所述电流注入窗口位置处覆盖于所述第一电极的上表面，在所述第一绝缘层上的投影的外轮廓与所述电流注入窗口的边缘相对应，以使得所述第二绝缘层可以部分或全部地抵消所述第一绝缘层在所述电流注入窗口的边缘处对所述外延结构产生的应力。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：
衬底；
外延结构，覆盖于所述衬底的上表面；
第一绝缘层，覆盖于所述外延结构的上表面，并在厚度方向开设有贯穿的电流注入窗口；
第一电极，覆盖于所述第一绝缘层的上表面以及所述外延结构通过所述电流注入窗口外露的部分的上表面；
第二绝缘层，在对应所述电流注入窗口位置处覆盖于所述第一电极的上表面，在所述第一绝缘层上的投影的外轮廓与所述电流注入窗口的边缘相对应，以使得所述第二绝缘层可以部分或全部地抵消所述第一绝缘层在所述电流注入窗口的边缘处对所述外延结构产生的应力。


2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述第二绝缘层在所述第一绝缘层上的投影的大小与所述电流注入窗口相等。


3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一绝缘层的材质和厚度均与所述第二绝缘层相同。


4.根据权利要求3所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材质均为二氧化硅或氮化硅。


5.根据权利要求3所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的厚度均为0.1～0.2um。


6.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一绝缘层的材质与所述第二绝缘层相同，所述第一绝缘层的厚度小于所述第二绝缘层。

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【专利技术属性】
技术研发人员：胡海，谢曳华，邱于珍，
申请(专利权)人：深圳瑞波光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44