一种镀在半导体激光器腔面用于选模的超窄带超薄反射膜制造技术

本发明专利技术公开一种镀在半导体激光器腔面用于选模的超窄带超薄反射膜，包括巴条，巴条中间是激活区，激活区的一面含超窄带超薄反射膜，超窄带反射膜由诱导层,极薄滤光膜和高反射膜组成，另一面是常规的部分反射输出面，可以是不镀膜解理面或镀膜的部分反射膜。本发明专利技术一种镀在半导体激光器腔面用于选模的超窄带超薄反射膜，在激励区一侧设置超窄带反射镜来选模，相比传统的光栅成本低，占用空间小，相比传统的PE腔选膜，带宽窄传输距离长，相比常规的超窄带反射镜，镀膜成本低，效率高，且便于封装。

An ultra narrow band ultra thin reflective film for mode selection on the cavity surface of a semiconductor laser

【技术实现步骤摘要】
一种镀在半导体激光器腔面用于选模的超窄带超薄反射膜
本专利技术属于反射膜
，具体涉及一种镀在半导体激光器腔面用于选模的超窄带超薄反射膜。
技术介绍
激光器输出的选模技术分为两个部分，一部分是对激光纵模的选取，另一部分是对激光横模的选取，前者对激光的输出频率影响较大，能够大大提高激光的相干性，常常也叫作激光的选频技术；后者是主要影响激光输出的光强均匀性，提高激光的亮度。大多数激光器为了得到较大的输出能量使用较长的激光谐振腔，这就使得激光器的输出是多模的，然而，基横模与高阶模相比，具有亮度高、发散角小、径向光强分布均匀、振荡频率单一的特点，具有最佳的时间和空间相干性。现有技术通常选模用FP腔或光栅。FP腔选模成本低，线宽大，边模抑制比差，用途少，光栅选模线宽窄，用途广，成本高，用超窄带反射镜来选模，成本低，常规的超窄带反射镜的镀膜成本高，因膜层厚反射面距离腔面远损耗大。
技术实现思路
（1）技术方案为了克服现有技术的不足之处，本专利技术提供一种镀在半导体激光器腔面用于选模的超窄带超薄反射膜，包括巴条（1），所述超窄带超薄反射膜包含金属诱导膜（2）、窄带滤光膜（3）、高反膜（4）和耦合部分反射膜（6），所述巴条（1）的中间是激活区（5），所述超窄带超薄反射膜膜系结构从靠近所述激活区（5）起依次是所述金属诱导膜（2）、所述窄带滤光膜（3）、所述高反膜（4），所述的超窄带超薄反射率峰值波长的半高全宽小于2nm，所述激活区（5）的另一端面是所述耦合部分反射膜（6）。进一步地，所述窄带滤光膜（3）的高低折射率比大于2。进一步地，所述窄带滤光膜（3）的高折射率薄膜材料为硅或氢化硅,低折射率薄膜材料氧化硅，而且所述窄带滤光膜（3）薄膜材料的物理厚度小于等于4um，所述金属诱导膜（2）包含铬金属诱导膜、镍金属诱导膜或者镍铬混合金属诱导膜。进一步地，所述镀在半导体激光器腔面用于选模的超窄带超薄反射膜由电子枪蒸镀实现，荷能离子辅助电子枪蒸镀，磁控溅射蒸镀，离子溅射蒸镀。进一步地，所述超窄带超薄反射膜适用中心波长处于1.2~1.65um之间波段的激光。（2）有益效果本专利技术的有益效果在于：本专利技术在激励区一侧设置超窄带反射镜来选模，相比传统的光栅和PE腔选膜，成本低，占用空间小，相比常规的超窄带反射镜，镀膜成本低，且便于封装装；超窄带超薄反射膜的膜系中包含金属诱导层，会产生小许吸收，大约3~5%，只能用于低功率，小于30毫瓦，能满足中距离传输。附图说明图1为本专利技术正面结构示意图；图2为本专利技术结构的光谱示意图；图3为本专利技术反射膜设计曲线示意图；图4为本专利技术试验品一的测试光谱示意图；图5为本专利技术试验品二的测试光谱示意图。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术实施例中的技术方案进行进一步清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。实施例一本实施例提供一种镀在半导体激光器腔面用于选模的超窄带超薄反射膜，包括巴条1，所述超窄带超薄反射膜包含金属诱导膜2、窄带滤光膜3、高反膜4和耦合部分反射膜6，所述巴条1的中间是激活区5，所述超窄带超薄反射膜膜系结构从靠近所述激活区5起依次是所述金属诱导膜2、所述窄带滤光膜3、所述高反膜4，所述的超窄带超薄反射率峰值波长的半高全宽小于2nm，所述激活区5的另一端面是所述耦合部分反射膜6。在本实施例中，所述窄带滤光膜3的薄膜材料为硅和氧化硅，在设计波段1310nm硅折射率3.509，氧化硅折射率1.453，硅/氧化硅的折射率比大于2，而且所述窄带滤光膜3薄膜材料的物理厚度小于等于4um，所述金属诱导膜2为铬金属诱导膜。具体的，本实施例的膜系结构为：A:Al2O3，L:SiO2，H:Ta2O5，SI:Si，CR：CrSub(巴条端面)A30.00nmH258.69nmCR19.47nmL217.53nmSI93.38nmL225.42nmSI93.37nmL895.84nmSI93.37nmL225.42nmSI93.37nmL360.53nmSI93.37nmL225.42nmSI93.37nmL225.42nmSI93.37nmL100nmAir（空气）在具体使用时，巴条1置于镀膜夹具使上下电极面靠紧，只露出腔面，装入真空镀膜机，试验样品1按膜系结构依次镀制：基板/铬金属诱导膜/窄带滤光膜/高反膜，试验样品2按膜系结构依次镀制：基板/镍金属诱导膜/窄带滤光膜/高反膜。铬金属诱导膜厚度用石英晶体振荡频率方式监控，介质膜厚度用石英晶体振荡频率方式监控，或光学厚度方式监控，最外层SiO2为钝化层。所述镀在半导体激光器腔面用于选模的超窄带超薄反射膜由电子枪蒸镀实现，荷能离子辅助电子枪蒸镀，磁控溅射蒸镀，离子溅射蒸镀，并且所述超窄带超薄反射膜适用中心波长处于1.2~1.65um之间波段的激光。以上所述实施例仅表达了本专利技术的优选实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本专利技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干变形、改进及替代，这些都属于本专利技术的保护范围。因此，本专利技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种镀在半导体激光器腔面用于选模的超窄带超薄反射膜，包括巴条（1），其特征在于，所述超窄带超薄反射膜包含金属诱导膜（2）、窄带滤光膜（3）、高反膜（4）和耦合部分反射膜（6），所述巴条（1）的中间是激活区（5），所述超窄带超薄反射膜膜系结构从靠近所述激活区（5）起依次是所述金属诱导膜（2）、所述窄带滤光膜（3）、所述高反膜（4），所述的超窄带超薄反射率峰值波长的半高全宽小于2nm，所述激活区（5）的另一端面是所述耦合部分反射膜（6）。/n

【技术特征摘要】
1.一种镀在半导体激光器腔面用于选模的超窄带超薄反射膜，包括巴条（1），其特征在于，所述超窄带超薄反射膜包含金属诱导膜（2）、窄带滤光膜（3）、高反膜（4）和耦合部分反射膜（6），所述巴条（1）的中间是激活区（5），所述超窄带超薄反射膜膜系结构从靠近所述激活区（5）起依次是所述金属诱导膜（2）、所述窄带滤光膜（3）、所述高反膜（4），所述的超窄带超薄反射率峰值波长的半高全宽小于2nm，所述激活区（5）的另一端面是所述耦合部分反射膜（6）。


2.根据权利要求1所述的一种镀在半导体激光器腔面用于选模的超窄带超薄反射膜，其特征在于，所述窄带滤光膜（3）的高低折射率比大于2。


3.根据权利要求2所述的一种镀...

【专利技术属性】
技术研发人员：王启平，
申请(专利权)人：腾景科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35