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本发明公开了半导体激光器、巴条及制作方法，其中，半导体激光器，包括：衬底；外延结构，覆盖于所述衬底的上表面；第一绝缘层，覆盖于所述外延结构的上表面，并在厚度方向开设有贯穿的电流注入窗口；第一电极，覆盖于所述第一绝缘层的上表面以及所述外延结构...
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