【技术实现步骤摘要】
一种功率模块及电子设备
本专利技术涉及电子器件
,特别地涉及一种功率模块及电子设备。
技术介绍
随着半导体器件技术的发展,功率模块的应用范围也越来越广,功率模块(IntelligentPowerModule,IPM)是一种将集成电路技术和电力电子技术集成在一起的模块,且由于其具有高集成度、高可靠性等优势赢得越来越大的市场,尤其适合于驱动电机的变频器及各种逆变电源,是变频调速设备、冶金机械、电力牵引设备、伺服驱动设备以及变频家电的理想电力电子器件。随着功率模块的集成度越来越高,外围电路也越来越简单。专利技术人经研究发现,现有的功率模块中的微控制单元芯片(MicrocontrollerUnit;MCU)在应用过程中通常会被读写,容易造成其应用在电子设备中时关键算法程序被泄露的情况,因此,现有的功率模块存在安全性能差的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种功率模块及电子设备,功率模块通过集成用于存储电子设备的通用程序及参数设置程序的EEPROM芯片以及用于存储固化的算法程序的MCU芯片,且MCU芯片中的 ...
【技术保护点】
1.一种功率模块,其特征在于,所述功率模块集成有:/n用于存储电子设备的通用程序及参数设置程序的EEPROM芯片;以及/n用于存储固化的算法程序的MCU芯片,其中,所述固化的算法程序不能通过所述EEPROM芯片被读写;/n所述MCU芯片与所述EEPROM芯片电连接以读写所述通用程序和参数设置程序。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种功率模块,其特征在于,所述功率模块集成有:
用于存储电子设备的通用程序及参数设置程序的EEPROM芯片;以及
用于存储固化的算法程序的MCU芯片,其中,所述固化的算法程序不能通过所述EEPROM芯片被读写;
所述MCU芯片与所述EEPROM芯片电连接以读写所述通用程序和参数设置程序。
2.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述功率模块还包括HVIC芯片和IGBT芯片,所述HVIC芯片与所述MCU芯片电连接,所述IGBT芯片与所述HVIC芯片电连接。
3.根据权利要求2所述的功率模块,其特征在于,所述功率模块还包括FRD芯片,所述FRD芯片与所述HVIC芯片电连接。
4.根据权利要求3所述的功率模块,其特征在于,所述功率模块还包括基板,所述EEPROM芯片、HVIC芯片以及MCU芯片分别设置于所述基板。
5.根据权利要求4所述的功率模块,其特征在于,所述基板为表面敷铜的DBC基板,所述EEPROM芯片和HVIC芯片与所述MCU芯片之间通过所述DBC基板表面的铜连接。
技术研发人员:曹俊,马浩华,史波,苏梨梨,廖勇波,敖利波,
申请(专利权)人:珠海零边界集成电路有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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