一种半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件及其形成方法。在本发明专利技术中，刻蚀所述上层金属层，以形成上极板组和保护墙，所述保护墙和上极板组相互分立且保护墙位于所述上极板组的侧部，所述保护墙用于保护与所述保护墙相邻的上极板的边缘区的介质层，在刻蚀上层金属层的过程中降低对上极板组与保护墙之间的介质层的损伤，从而避免半导体器件在工作过程中介质层被击穿，能够提高半导体器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
随着半导体制造工艺的不断发展，半导体器件的集成度越来越高，半导体器件的特征尺寸也逐渐缩小。然而，半导体器件的可靠性还需要提高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种半导体器件及其形成方法，能够提高半导体器件的可靠性。第一方面，本专利技术提供的半导体器件的形成方法包括：提供前端器件层；在所述前端器件层上形成依次叠置的底层金属层、介质层以及上层金属层；刻蚀所述上层金属层，以形成上极板组和保护墙，所述保护墙和上极板组相互分立且所述保护墙位于所述上极板组的侧部。可选的，刻蚀所述上层金属层的工艺包括等离子体干法刻蚀工艺。可选的，所述上极板组和所述保护墙之间的间隔为1um～2um；所述保护墙的宽度为1um～10um。可选的，所述上极板组包括若干个分立的上极板；所述若干个分立的上极板呈阵列排布。可选的，所述上极板组和所述保护墙之间的间隔小于等于相邻所述上极板之间的间隔。>可选的，所述方法还本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供前端器件层；/n在所述前端器件层上形成依次叠置的底层金属层、介质层以及上层金属层；/n刻蚀所述上层金属层，以形成上极板组和保护墙，所述保护墙和上极板组相互分立且所述保护墙位于所述上极板组的侧部。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
提供前端器件层；
在所述前端器件层上形成依次叠置的底层金属层、介质层以及上层金属层；
刻蚀所述上层金属层，以形成上极板组和保护墙，所述保护墙和上极板组相互分立且所述保护墙位于所述上极板组的侧部。


2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀所述上层金属层的工艺包括等离子体干法刻蚀工艺。


3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述上极板组和所述保护墙之间的间隔为1um～2um；所述保护墙的宽度为1um～5um。


4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述上极板组包括若干个分立的上极板；所述若干个分立的上极板呈阵列排布。


5.根据权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述上极板组和所述保护墙之间的间隔小于等于相邻所述上极板之间的间隔。


6.根据权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：
形成覆盖所述上极板组、所述保护墙和所述介质层的金属间隔离层；
在各上极板的上方形成贯穿金属间隔离层且与所述上极板连接的第一导电结构；
在所述上极板组和保护墙的外侧形成贯穿金属间隔离层且与所述底层金属层连接的第二导电结构。


7.根据权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护墙与第一导电结构和第二导电结构之间均电学隔离。


8.一种半导体器件，其特征在于，包括：
前端器件层；
...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷原梓，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11