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本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。在本发明中，刻蚀所述上层金属层，以形成上极板组和保护墙，所述保护墙和上极板组相互分立且保护墙位于所述上极板组的侧部，所述保护墙用于保护与所述保护墙相邻的上极板的边缘区的介质层，在刻蚀上层金属层的过程中...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。