【技术实现步骤摘要】
电感结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种电感结构及其形成方法。
技术介绍
电感器一般均由缠绕成螺旋状的导线所构成，其在通讯设备的射频电路上的应用相当广泛，例如可应用在移动电话、无线电路、无线调制解调器、以及其它的通讯器材。在集成电路技术的进步下，使得电感器可以利用集成电路技术来制造，且可将电感与其它组件整合于单一芯片上，以降低制造电路所需耗费的成本。目前，常见整合于集成电路制程的电感器的结构为回旋状金属层。但是现有集成工艺制作的电感与基底之间或者与其他器件之间容易产生交互噪音(crosstalknoise)，影响了集成电路的性能。然而，现有技术形成的电感结构的性能较差。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种电感结构及其形成方法，以提高电感结构的性能。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种电感结构，包括：基底，所述基底表面具有接地端；位于基底上的屏蔽结构，所述屏蔽结构包括：若干层重叠的屏蔽层，位于最底层的屏蔽层与所述接地端电连接，相邻两层所...
【技术保护点】
1.一种电感结构，其特征在于，包括：/n基底，所述基底表面具有接地端；/n位于基底上的屏蔽结构，所述屏蔽结构包括：若干层重叠的屏蔽层，位于最底层的屏蔽层与所述接地端电连接，相邻两层所述屏蔽层相互电连接，每一层所述屏蔽层包括并联线圈组以及包围所述并联线圈组的串联线圈组，所述并联线圈组包括平行排列且呈同心分布的若干第一导线，所述串联线圈组包括平行排列且呈同心分布的若干第二导线，且每一层所述屏蔽层包括若干线圈区，相邻线圈区内的第一导线相互分立，相邻线圈区内的第二导线相互分立，且每一个线圈区内的若干第一导线并联，每一个线圈区内的若干第二导线串联；/n位于所述屏蔽结构上的电感层。/n
【技术特征摘要】
1.一种电感结构，其特征在于，包括：
基底，所述基底表面具有接地端；
位于基底上的屏蔽结构，所述屏蔽结构包括：若干层重叠的屏蔽层，位于最底层的屏蔽层与所述接地端电连接，相邻两层所述屏蔽层相互电连接，每一层所述屏蔽层包括并联线圈组以及包围所述并联线圈组的串联线圈组，所述并联线圈组包括平行排列且呈同心分布的若干第一导线，所述串联线圈组包括平行排列且呈同心分布的若干第二导线，且每一层所述屏蔽层包括若干线圈区，相邻线圈区内的第一导线相互分立，相邻线圈区内的第二导线相互分立，且每一个线圈区内的若干第一导线并联，每一个线圈区内的若干第二导线串联；
位于所述屏蔽结构上的电感层。
2.根据权利要求1所述的电感结构，其特征在于，所述屏蔽结构还包括：掺杂线圈组，所述掺杂线圈组位于基底表面，所述掺杂线圈组包括第一端和第二端，在平行于基底平面的方向上，所述掺杂线圈组位于最底层屏蔽层的并联线圈组与串联线圈组之间，且所述第一端与并联线圈组电连接，所述第二端与串联线圈组电连接，所述掺杂线圈组包括：平行排列且呈同心分布的若干掺杂线，每一个线圈区内的若干掺杂线串联。
3.根据权利要求2所述的电感结构，其特征在于，所述屏蔽结构包括N层屏蔽层，N为大于1的自然数，所述屏蔽结构的M层屏蔽层与掺杂线圈组串联，M为大于1小于等于N的自然数。
4.根据权利要求3所述的电感结构，其特征在于，第i层的屏蔽层的并联线圈组与所述掺杂线圈组的第一端电连接，且所述第i层的屏蔽层的串联线圈组与所述掺杂线圈组的第二端电连接，i为大于1小于M的自然数。
5.根据权利要求2所述的电感结构，其特征在于，在平行于基底平面的方向上，所述掺杂线的宽度为0.3um～5um。
6.根据权利要求2所述的电感结构，其特征在于，在平行于基底平面的方向上，所述相邻掺杂线的距离为0.3um～5um。
7.根据权利要求2所述的电感结构，其特征在于，在平行于基底平面的方向上，所述相邻掺杂线和第一导线、相邻掺杂线和第二导线的距离为0.3um～5um。
8.根据权利要求1至3任意一项所述的电感结构，其特征在于，在平行于基底平面的方向上，所述第一导线和所述第二导线的宽度相等；所述第一导线和第二导线的宽度为0.3um～5um。
9.根据权利要求1至3任意一项所述的电感结构，其特征在于，在平行于基底平面的方向上，所述相邻第一导线和相邻第二导线的距离为0.3um～5um。
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【专利技术属性】
技术研发人员：王西宁，程仁豪，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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