布线结构及其制造方法技术

一种布线结构包含第一单元、第二单元、第一绝缘壁、第一重分布层和第三单元。所述第一单元安置在第一高程处并且具有第一电路层和围绕所述第一电路层的第一介电层。所述第二单元安置在所述第一高程处并且具有第二电路层和围绕所述第二电路层的第二介电层。所述第一绝缘壁安置在所述第一单元与所述第二单元之间。所述第一重分布层安置在所述第一单元和所述第二单元上，并且电连接在所述第一单元与所述第二单元之间。所述第三单元安置在所述第一重分布层上并且具有第三电路层和围绕所述第三电路层的第三介电层。

【技术实现步骤摘要】
布线结构及其制造方法
本专利技术涉及布线结构，并且更确切地说，涉及解离布线结构及其制造方法。
技术介绍
随着技术的进步，半导体芯片集成了增长数量的电子组件以增强性能。相应地，半导体芯片配备有相对更多的输入/输出(I/O)连接件。用于封装或组装半导体芯片的衬底可能需要按比例放大直到实现半导体芯片的增大数量的I/O连接件。然而，随着封装衬底的大小的增长，半导体芯片(装置)封装的弯曲可以是相对严重的，这可能不利地影响半导体装置封装的产率。
技术实现思路
在一些实施例中，本专利技术公开了一种布线结构。布线结构包含第一单元、第二单元、第一绝缘壁、第一重分布层和第三单元。第一单元安置在第一高程处并且具有第一电路层和围绕第一电路层的第一介电层。第二单元安置在第一高程处并且具有第二电路层和围绕第二电路层的第二介电层。第一绝缘壁安置在第一单元与第二单元之间。第一重分布层安置在第一单元和第二单元上。第一重分布层电连接在第一单元与第二单元之间。第三单元安置在第一重分布层上并且具有第三电路层和围绕第三电路层的第三介电层。在一些实施例中，本专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种布线结构，其包括：/n第一子单元，其安置在第一高程处并且具有第一电路层、围绕所述第一电路层的第一介电层，以及安置在所述第一电路层上的第一重分布层；/n第二子单元，其安置在所述第一高程处并且具有第二电路层、围绕所述第二电路层的第二介电层，以及安置在所述第二电路层上的第二重分布层；/n第一绝缘壁，其安置在所述第一子单元与所述第二子单元之间；以及/n第三重分布层，其安置在所述第一子单元和所述第二子单元上，并且电连接在所述第一子单元与所述第二子单元之间。/n

【技术特征摘要】
20190627 US 16/455,5521.一种布线结构，其包括：
第一子单元，其安置在第一高程处并且具有第一电路层、围绕所述第一电路层的第一介电层，以及安置在所述第一电路层上的第一重分布层；
第二子单元，其安置在所述第一高程处并且具有第二电路层、围绕所述第二电路层的第二介电层，以及安置在所述第二电路层上的第二重分布层；
第一绝缘壁，其安置在所述第一子单元与所述第二子单元之间；以及
第三重分布层，其安置在所述第一子单元和所述第二子单元上，并且电连接在所述第一子单元与所述第二子单元之间。


2.根据权利要求1所述的布线结构，其进一步包括安置在所述第一电路层与所述第一重分布层之间的第一中间层。


3.根据权利要求1所述的布线结构，其进一步包括安置在所述第二电路层与所述第二重分布层之间的第二中间层。


4.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述第一绝缘壁包括基本上不同于所述第一介电层的材料。


5.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述第一绝缘壁围绕所述第一子单元。


6.根据权利要求5所述的布线结构，其中所述第一绝缘壁围绕所述第一重分布层。


7.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述第一绝缘壁与所述第一子单元直接接触。


8.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：黃文宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71